[发明专利]弧形栅-漏复合场板电流孔径异质结器件

权利要求书

1.一种弧形栅-漏复合场板电流孔径异质结器件，包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)、帽层(8)和钝化层(14)，沟道层(6)和势垒层(7)的两侧刻蚀有源槽(11)，两侧源槽(11)中淀积有两个源极(12)，源极(12)之间的势垒层(7)上外延有帽层(8)，帽层(8)两侧刻有两个台阶(9)，帽层(8)上面淀积有栅极(10)，衬底(1)下面淀积有肖特基漏极(13)，钝化层(14)完全包裹在除肖特基漏极(13)底部以外的所有区域，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，其特征在于：

所述两个电流阻挡层(4)，采用由第一阻挡层(41)和第二阻挡层(42)构成的二级阶梯结构，且第二阻挡层(42)位于第一阻挡层(41)的内侧；

所述钝化层(14)，其两侧均采用双弧形台阶，即在钝化层两边的上部区域刻有弧形栅台阶，下部区域刻有弧形漏台阶，其中：

每个弧形栅台阶处淀积有金属，形成对称的两个弧形栅场板(15)，该弧形栅场板(15)与栅极(10)电气连接；

每个弧形漏台阶处淀积有金属，形成对称的两个弧形漏场板(16)，该弧形漏场板(16)与肖特基漏极(13)电气连接。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于第一阻挡层(41)的厚度a为1.2～3μm，宽度c为0.2～1μm，第二阻挡层(42)的厚度b为0.3～1μm，宽度为d，且d＝1.1a。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述弧形栅台阶，该弧形栅台阶表面与第一阻挡层(41)下边缘处于同一水平高度的部位，其与漂移层的水平距离g为0.18μm；该弧形栅台阶位于第一阻挡层(41)下边缘水平高度以下的部分，其表面的任意一点，与第一阻挡层(41)下边界的垂直距离为f，与漂移层(2)的水平距离为e，且满足关系f＝9.5-10.5exp(-0.6e)，0μm<f≤9μm。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于弧形漏台阶下边界与肖特基漏极(13)下边界对齐，该弧形漏台阶表面，其位于肖特基漏极上边界同一水平高度以上的任意一点，与衬底(1)下边界的垂直距离为q，与漂移层(2)的水平距离为p，满足关系q＝5.5+2.5ln(p+0.06)，且0μm<q≤11μm，弧形漏台阶表面与肖特基漏极上边界处于同一水平高度的部分距离漂移层(2)的水平间距h为0.05μm。