[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板，具有主表面；

第一元件形成区域，由从所述主表面到达第一深度的第一绝缘分离部来规定；

第一半导体元件，形成于所述第一元件形成区域；

第二元件形成区域，与所述第一元件形成区域隔开距离地配置，由从所述主表面到达所述第一深度的第二绝缘分离部来规定；

第二半导体元件，形成于所述第二元件形成区域；及

基板接触部，以从所述主表面侧到达比所述第一深度深的第二深度的方式形成在位于所述第一元件形成区域与所述第二元件形成区域之间的所述半导体基板的区域，所述基板接触部从所述第一深度至所述第二深度与所述半导体基板接触，

其中，所述第一绝缘分离部和所述第二绝缘分离部各自与所述基板接触部间隔开；

其中，所述基板接触部以至少包围所述第一元件形成区域的周围的方式配置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

配置有多个所述第一绝缘分离部，

每个所述第一绝缘分离部包括：

第一绝缘分离第一部，对所述第一元件形成区域进行规定；和

第一绝缘分离第二部，以包围所述第一绝缘分离第一部的周围的方式配置在所述基板接触部的内侧。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

配置有多个所述第一绝缘分离部，

每个所述第一绝缘分离部包括：

第一绝缘分离第一部，对所述第一元件形成区域进行规定；和

第一绝缘分离第二部，以包围所述第一绝缘分离第一部及所述基板接触部的周围的方式配置。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

配置有多个所述基板接触部，

每个所述基板接触部包括：

基板接触第一部，和

以包围所述基板接触第一部的周围的方式配置的基板接触第二部。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述半导体基板中形成有埋入杂质区域，

所述第一绝缘分离部、所述第二绝缘分离部及所述基板接触部以贯通所述埋入杂质区域的形态形成。

6.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成从半导体基板的主表面到达第一深度而对第一元件形成区域进行规定的第一分离槽及对第二元件形成区域进行规定的第二分离槽，并且形成位于所述第一分离槽与所述第二分离槽之间的从所述半导体基板的所述主表面到达所述第一深度的开口的工序；

在所述第一元件形成区域形成第一半导体元件的工序；

在所述第二元件形成区域形成第二半导体元件的工序；

以埋入所述第一分离槽、所述第二分离槽及所述开口的方式形成绝缘膜，由此在所述第一分离槽内形成第一绝缘分离部并且在所述第二分离槽内形成第二绝缘分离部的工序；

对埋入所述开口的所述绝缘膜的部分和所述半导体基板依次实施加工，由此形成贯通所述绝缘膜并到达比所述第一深度深的第二深度的接触开口的工序；及

在所述接触开口形成导电体，由此形成在从所述第一深度到达所述第二深度的部分使所述导电体与所述半导体基板接触的基板接触部的工序；

其中，所述基板接触部以至少包围所述第一元件形成区域的周围的方式配置。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述接触开口的工序包括：

从所述主表面侧至到达所述第一深度为止，以不使所述开口的侧壁面露出的形态将所述绝缘膜的部分除去的第一工序；及

从所述第一深度至到达所述第二深度为止，将所述半导体基板的部分除去的第二工序，

在形成所述基板接触部的工序中，从所述主表面侧至到达所述第一深度为止，以所述绝缘膜的部分介于所述导电体与所述开口的所述侧壁面之间的形态形成所述导电体。