[发明专利]阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板。本发明的阵列基板的制作方法，结合COA技术与BOA技术，先在衬底基板上制作黑色矩阵，再在黑色矩阵上方制作顶栅型的TFT器件，最后在TFT器件上方制作彩色滤光层，其中，像素电极直接设于漏极上与漏极相接触，该制作方法可以提高TFT器件的电学性能及性能稳定性，提升显示面板的品质，相对于现有阵列基板的制作方法，缩减了所使用的光罩和制程，制作方法简单，节约生产成本。本发明的阵列基板，制作方法简单，TFT器件电学性能好、性能稳定，可提升显示面板的品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

在显示技术领域，有源式液晶显示器(Active Matrix Liquid Crystal Display，AMLCD)是目前最广泛使用的平板显示器之一，液晶面板是有源式液晶显示器的核心组成部分。传统的液晶面板通常是由一彩色滤光片(Color Filter，CF)基板、一薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)阵列基板以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid CrystalLayer)所构成，其工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。其中薄膜晶体管阵列基板上制备TFT阵列，用于驱动液晶的旋转，控制每个像素的显示。

薄膜晶体管具有多种结构，目前，主流的AMLCD多采用底栅型TFT阵列基板结构，如图1所示，为现有一种底栅型TFT阵列基板的结构示意图，所述底栅型TFT阵列基板包括玻璃基板100、设于玻璃基板100上的栅极200、设于栅极200与玻璃基板100上的栅极绝缘层(GI)300、设于栅极绝缘层300上的有源层(active layer)400、设于有源层400与栅极绝缘层300上的间隔的源极510和漏极520、设于源极510、漏极520、有源层400与栅极绝缘层300上的钝化层(PV)600。该底栅型TFT阵列基板的制作方法包括：

步骤101、提供一玻璃基板100，在所述玻璃基板100上沉积第一金属层(M1)，对第一金属层进行图案化处理，得到栅极200；在栅极200与玻璃基板100上沉积形成栅极绝缘层300；

步骤102、在所述栅极绝缘层300上依次沉积未掺杂非晶硅层(a-si)与硼离子掺杂非晶硅层，采用灰阶光罩(gray tone Mask)或半色调光罩(half tone Mask)等高阶光罩对未掺杂非晶硅层与硼离子掺杂非晶硅层进行图案化处理，得到有源层400，其中，硼离子掺杂非晶硅层经图案化后形成有源层400的N型欧姆接触层410；

步骤103、在所述有源层400及栅极绝缘层300上沉积第二金属层(M2)，对所述第二金属层进行图案化处理，得到源极510与漏极520；

步骤104、在所述源极510、漏极520、有源层400与栅极绝缘层300上沉积形成钝化层600。

另外，底栅型TFT阵列基板制作过程中，在形成钝化层600之后，为实现漏极520与像素电极的连接，还需要在所述钝化层600上形成对应于所述漏极520上方的过孔。

现在主流的AMLCD采用底栅型TFT阵列基板主要出于下面考量：一方面底栅型TFT的栅极200可以作为遮光层，屏蔽来自于背光(back light)模组的光线对于有源层400的照射，从而避免产生光电流影响器件稳定性；另一方面栅极绝缘层300/非晶硅层/硼离子掺杂非晶硅层的薄膜沉积顺序合理，界面影响小，蚀刻方便。

然而，在形成过孔的制程中，很容易发生因为杂质(particle)等因素造成的过孔异常或与像素电极桥接不良，从而降低产品良率。另外主流AMLCD中黑色矩阵(BlackMatrix，BM)和彩色滤光层通常制作在CF基板侧，这样不仅会使CF基板制程复杂，更因为要考虑CF基板与TFT阵列基板对组时的偏移量而不得不加宽黑色矩阵，从而使产品的开口率下降。