[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上涂布一层黑色光阻材料，经曝光显影后，得到黑色矩阵(20)；然后在黑色矩阵(20)、及衬底基板(10)上沉积形成隔离层(30)；

步骤S2、在所述隔离层(30)上依次沉积第二金属层(40’)、及离子掺杂非晶硅层(51’)，对所述第二金属层(40’)、及离子掺杂非晶硅层(50’)进行图案化处理，由所述第二金属层(40’)得到间隔的源极(41)和漏极(42)，由所述离子掺杂非晶硅层(51’)得到位于所述源极(41)和漏极(42)上的欧姆接触层(51)，所述欧姆接触层(51)的尺寸小于所述源极(41)和漏极(42)的尺寸而露出所述漏极(42)的部分上表面；

步骤S3、在经过步骤S2的衬底基板(10)上沉积透明导电膜，对所述透明导电膜进行图案化处理，得到像素电极(60)，所述像素电极(60)位于所述漏极(42)、及隔离层(30)上，与所述欧姆接触层(51)露出的漏极(42)相接触；

步骤S4、在经过步骤S3的衬底基板(10)上沉积非晶硅层(52’)，对所述非晶硅层(52’)进行图案化处理，得到半导体层(52)，所述半导体层(52)位于所述欧姆接触层(51)、及隔离层(30)上，与所述欧姆接触层(51)共同构成有源层(50)；

步骤S5、在经过步骤S4的衬底基板(10)上依次沉积栅极绝缘层(70)、第一金属层(80’)，对所述第一金属层(80’)进行图案化处理，得到对应位于所述有源层(50)上方的栅极(80)；

步骤S6、在所述栅极绝缘层(70)、及栅极(80)上沉积钝化层(90)；

步骤S7、在所述钝化层(90)上形成彩色滤光膜层(95)。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中对所述第二金属层(40’)、及离子掺杂非晶硅层(51’)采用一道光罩进行图案化处理，其具体过程为：在所述离子掺杂非晶硅层(51’)上涂布光阻材料，使用所述光罩对该光阻材料进行曝光显影后，得到光阻层，以该光阻层为遮蔽层，首先对所述离子掺杂非晶硅层(51’)进行干法蚀刻，得到欧姆接触层(51)，然后对所述第二金属层(40’)进行湿法蚀刻，得到源极(41)和漏极(42)。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述离子掺杂非晶硅层(51’)与所述非晶硅层(52’)均采用化学气相沉积法制备；

所述离子掺杂非晶硅层(51’)与所述非晶硅层(52’)在制备方法上的区别为：沉积所述离子掺杂非晶硅层(51’)时在化学气相沉积过程中通入硼烷气体。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述隔离层(30)、栅极绝缘层(70)、及钝化层(90)均采用化学气相沉积法制备；

所述隔离层(30)、栅极绝缘层(70)、及钝化层(90)均为氮化硅层、氧化硅层、或氮化硅层与氧化硅层的堆栈组合。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二金属层(40’)与所述第一金属层(80’)均采用物理气相沉积法制备；

所述第二金属层(40’)与所述第一金属层(80’)的材料均为钼、铝、铜、钛中的一种或多种。