[发明专利]TFT基板中电极层的制作方法及柔性TFT基板的制作方法在审
| 申请号： | 201710138323.0 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106816409A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王幸 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT基板中电极层的制作方法及柔性TFT基板的制作方法。本发明TFT基板中电极层的制作方法，首先在硅衬底上形成一层金属镍层，然后采用化学气相沉积法在所述金属镍层上沉积一层石墨烯层，并采用等离子体蚀刻法对所述石墨烯层进行蚀刻，形成图案化的石墨烯层，最后将金属镍层溶解掉，使图案化的石墨烯层与硅衬底分离，将图案化的石墨烯层转移即可得到TFT基板的电极层，采用石墨烯材料的电极层具有优秀的导电及机械性能，同时具有较好的热学稳定性及化学稳定性，该制作方法实现了适用于柔性显示装置弯折的电极层的制作。 | ||
| 搜索关键词： | tft 基板中 电极 制作方法 柔性 | ||
【主权项】：
一种TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一硅衬底(200)，在所述硅衬底(200)上形成一层金属镍层(300)；步骤2、采用化学气相沉积法在所述金属镍层(300)上沉积一层石墨烯层(400)，采用等离子体蚀刻法对所述石墨烯层(400)进行蚀刻，形成图案化的石墨烯层(405)；步骤3、将所述硅衬底(200)上的金属镍层(300)溶解掉，从而使图案化的石墨烯层(405)与硅衬底(200)分离，然后将图案化的石墨烯层(405)转移，得到TFT基板的电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
