[发明专利]大功率MOSFET的扇出形封装结构及其制造工艺

权利要求书

1.一种大功率MOSFET的扇出形封装结构，其特征在于，包括由下到上依次设置的陶瓷双面覆铜基板、镀金层、大功率MOSFET晶圆经划片后形成的单颗MOSFET芯片、锡球，所述陶瓷双面覆铜基板上设置有用于内置单颗MOSFET芯片的下嵌槽，所述单颗MOSFET芯片上设置有栅极、源极和漏极，所述锡球包括第一锡球、第二锡球、第三锡球、第四锡球，所述第一锡球位于下嵌槽外两侧并且与镀金层接触用于引出成品的漏极，所述第二锡球位于栅极上用于引出成品的栅极，所述第三锡球、第四锡球位于源极上上用于引出成品的源极。

2.根据权利要求1所述的大功率MOSFET的扇出形封装结构，其特征在于，所述陶瓷双面覆铜基板包括由下到上依次设置的背面薄铜层、陶瓷层、厚铜层，所述厚铜层上设置有用于内置单颗MOSFET芯片的下嵌槽。

3.根据权利要求1或2所述的大功率MOSFET的扇出形封装结构，其特征在于，所述第二锡球、第三锡球、第四锡球与栅极或者源极之间设置有区域金属层。

4.根据权利要求3所述的大功率MOSFET的扇出形封装结构，其特征在于，所述陶瓷双面覆铜基板的底部设置有镀金层，两侧设置有厚铜层。

5.根据权利要求4所述的大功率MOSFET的扇出形封装结构，其特征在于，所述单颗MOSFET芯片的间隙以及单颗MOSFET芯片侧壁与下嵌槽的间隙均设置有绝缘材料层。

6.根据权利要求5所述的大功率MOSFET的扇出形封装结构，其特征在于，所述单颗MOSFET芯片的表面除锡球底部的其它区域设置有钝化层。

7.一种大功率MOSFET的扇出形封装结构的制造工艺，其特征在于，该工艺通过以下步骤实现：

步骤1：陶瓷双面覆铜基板切割成晶圆的尺寸，采用精密腐蚀方法在陶瓷双面覆铜基板的厚铜面腐蚀出能够放入单颗MOSFET芯片200的下嵌槽、产品的表面四周边框槽，在薄铜面腐蚀出产品的背面四周边框槽，腐蚀深度为露出陶瓷层，将腐蚀完成的陶瓷双面覆铜基板的金属部分做镀金层，下嵌槽底部镀锡层；

步骤2：整片MOSFET晶圆研磨成100um厚度的薄片，晶圆正面栅极和源极电极露出部分镀金层处理，晶圆背面漏极做金属化层，按设计尺寸划片成单颗MOSFET芯片；

步骤3：将划好的单颗MOSFET芯片转移到陶瓷双面覆铜基板的下嵌槽，整片陶瓷双面覆铜基板加热将芯片和基板邦定到一起；

步骤4：所述单颗MOSFET芯片的表面印刷绝缘材料层；

步骤5：所述单颗MOSFET芯片的三个电极植多个锡球；

步骤6：整板测试、划片成单颗成品。