[发明专利]封装基板及其制法有效
申请号: | 201710043165.0 | 申请日: | 2017-01-19 |
公开(公告)号: | CN108305836B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 米轩皞;陈嘉成;范植文;邱士超;林俊贤 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 制法 | ||
1.一种封装基板的制法,其特征为,该制法包括:
以电镀方式形成线路层于一第一承载件上,其中,该线路层具有相对的第一表面与第二表面,并以该第二表面结合该第一承载件;
形成一具有多个第一开孔的第一绝缘保护层于该第一承载件上,以令该线路层的第一表面外露于该第一开孔,其中,该第一绝缘保护层具有相对的第一侧与第二侧,并以该第二侧结合该第一承载件;
移除该第一承载件,以外露该线路层的第二表面与该第一绝缘保护层的第二侧;以及
形成一具有多个第二开孔的第二绝缘保护层于该第一绝缘保护层的第二侧与该线路层的第二表面上,且令该线路层的第二表面外露于该第二开孔。
2.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征为,该线路层的线宽及/或线距为35um以下。
3.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征为,该线路层的制程包括:
于该第一承载件上形成阻层,且该阻层形成有多个开口区,以令该第一承载件的部分表面外露于所述开口区;
以电镀方式形成该线路层于所述开口区中;以及
移除该阻层。
4.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征为,该线路层的第一表面具有多个焊垫,且令该焊垫外露于该第一开孔。
5.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征为,该线路层的第二表面具有多个电性接触垫,且令该电性接触垫外露于该第二开孔。
6.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征为,该线路层的第二表面与该第一绝缘保护层的第二侧齐平。
7.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征为,该第一绝缘保护层的第一侧相对该线路层的第一表面的厚度等于该第二绝缘保护层的厚度。
8.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征为,该第一绝缘保护层的第一侧相对该线路层的第一表面的厚度、该线路层的厚度与该第二绝缘保护层的厚度为均等。
9.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征为,该制法还包括于移除该第一承载件之前,设置一第二承载件于该第一绝缘保护层的第一侧与该线路层的第一表面上。
10.根据权利要求9所述的封装基板的制法,其特征为,该线路层的第一表面与该第二承载件之间具有间隙。
11.根据权利要求9所述的封装基板的制法,其特征为,该第一绝缘保护层的第一侧与该第二承载件直接相接触。
12.根据权利要求1所述的封装基板的制法,该制法还包括形成表面处理层于所述第二开孔中的该线路层的第二表面上。
13.一种封装基板,其特征为,该封装基板包括:
第一绝缘保护层,其具有相对的第一侧及第二侧;
线路层,其仅设于该第一绝缘保护层中且具有相对的第一表面及第二表面,该线路层的线宽及/或线距为35um以下,其中,该线路层的第一表面与该第一绝缘保护层的第一侧间形成有段差,该线路层的第二表面与该第一绝缘保护层的第二侧齐平,第一绝缘保护层形成有多个第一开孔以外露出该线路层的第一表面,且该线路层的第一表面未接触该第一绝缘保护层;以及
第二绝缘保护层,其设于该第一绝缘保护层的第二侧与该线路层的第二表面上,第二绝缘保护层形成有多个第二开孔以外露出该线路层的第二表面,且该线路层的第二表面未接触该第二绝缘保护层。
14.根据权利要求13所述的封装基板,其特征为,该线路层的第一表面具有多个焊垫,且令该焊垫外露于该第一开孔。
15.根据权利要求13所述的封装基板,其特征为,该线路层的第二表面具有多个电性接触垫,且令该电性接触垫外露于该第二开孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司,未经矽品精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710043165.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种鳍式晶体管器件的制造方法
- 下一篇:生产半导体器件的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造