[发明专利]一种位线预充电和放电电路以及存储器有效

专利信息
申请号: 201611130662.6 申请日: 2016-12-09
公开(公告)号: CN108615541B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 权彝振;倪昊;杨家奇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G11C16/24 分类号: G11C16/24;G11C7/12
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 位线预 充电 放电 电路 以及 存储器
【说明书】:

发明提供一种位线预充电和放电电路以及存储器,所述位线预充电和放电电路包括:位线偏压监控模块,用于监控所述位线的位线偏压并输出位线检测信号;选择控制模块,连接所述位线偏压监控模块,并用于基于所述位线检测信号生成选择设置信号;位线偏压调节模块,连接所述选择控制模块,用于基于所述选择设置信号生成参考偏压,并基于所述参考偏压将所述位线的位线偏压调节至目标位线偏压。本发明的位线预充电和放电电路以及存储器,能够在非常短的时间内准确调节到所需的位线偏压,从而增加读取速度。

技术领域

本发明涉及存储器领域,具体而言涉及一种位线预充电和放电电路以及存储器。

背景技术

非易失性存储器(NVM)可进行编程、擦除和读取操作,其中,读取操作的读取速度与位线偏置电压的建立时间密切相关,并且尤其重要的是位线(BL)与源线(SL)之间的恒定的电势差。传统的位线预充电和放电方案简单地用开关连接电源电压VDD或地电压VSS以为位线进行预充电和放电,所以需要等待位线预充电或放电的时间,以达到所需的位线偏置电压。

然而,随着社会的进步,需要越来越快的存储器读取速度,但现有的位线调节器已经变为存储器读取速度的限制因素。

因此,为了解决上述问题,有必要提出一种新型的位线预充电和放电电路以及存储器,以提高数据读取速度。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题,本发明一方面提供一种位线预充电和放电电路,用于为存储器中的位线进行预充电和放电,所述位线预充电和放电电路包括:

位线偏压监控模块,用于监控所述位线的位线偏压并输出位线检测信号;

选择控制模块,连接所述位线偏压监控模块,并用于基于所述位线检测信号生成选择设置信号;

位线偏压调节模块,连接所述选择控制模块,用于基于所述选择设置信号生成参考偏压,并基于所述参考偏压将所述位线的位线偏压调节至目标位线偏压。

在一个实施例中,所述位线预充电和放电电路还包括源线偏压调节模块,用于基于所述参考偏压调节源线偏压,以使得所述位线偏压和源线偏压之间保持恒定的电势差。

在一个实施例中,所述位线偏压调节模块包括:

参考偏压控制器,连接至所述选择控制模块,用于基于所述选择设置信号生成所述参考偏压;

第一比较放大器,正输入端连接至所述参考偏压控制器的输出端;

调节电路,连接至所述第一比较放大器的输出端,用于基于存储器系统的泵偏压将所述位线偏压调节为所述目标位线偏压。

在一个实施例中,所述调节电路包括第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管,其中,

所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的漏极连接所述泵偏压,

所述第一NMOS管的源极连接所述第一比较放大器的负输入端,

所述第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管的栅极均连接所述第一比较放大器的输出端,

所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极输出所述位线偏压。

在一个实施例中,所述位线偏压调节模块还包括第四NMOS管,其中,所述第四NMOS管的栅极用于连接存储器系统时钟信号,漏极连接所述第三NMOS管的源极。

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