[发明专利]一种位线预充电和放电电路以及存储器有效

专利信息
申请号: 201611130662.6 申请日: 2016-12-09
公开(公告)号: CN108615541B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 权彝振;倪昊;杨家奇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G11C16/24 分类号: G11C16/24;G11C7/12
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 位线预 充电 放电 电路 以及 存储器
【权利要求书】:

1.一种位线预充电和放电电路,用于为存储器中的位线进行预充电和放电,其特征在于,所述位线预充电和放电电路包括:

位线偏压监控模块,用于监控所述位线的位线偏压并输出位线检测信号;

选择控制模块,连接所述位线偏压监控模块,并用于基于所述位线检测信号生成选择设置信号;

位线偏压调节模块,连接所述选择控制模块,用于基于所述选择设置信号生成参考偏压,并基于所述参考偏压将所述位线的位线偏压调节至目标位线偏压。

2.如权利要求1所述的位线预充电和放电电路,其特征在于,还包括源线偏压调节模块,用于基于所述参考偏压调节源线偏压,以使得所述位线偏压和源线偏压之间保持恒定的电势差。

3.如权利要求1所述的位线预充电和放电电路,其特征在于,所述位线偏压调节模块包括:

参考偏压控制器,连接至所述选择控制模块,用于基于所述选择设置信号生成所述参考偏压;

第一比较放大器,正输入端连接至所述参考偏压控制器的输出端;

调节电路,连接至所述第一比较放大器的输出端,用于基于存储器系统的泵偏压将所述位线偏压调节为所述目标位线偏压。

4.如权利要求3所述的位线预充电和放电电路,其特征在于,所述调节电路包括第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管,其中,

所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的漏极连接所述泵偏压,

所述第一NMOS管的源极连接所述第一比较放大器的负输入端,

所述第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管的栅极均连接所述第一比较放大器的输出端,

所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极输出所述位线偏压。

5.如权利要求4所述的位线预充电和放电电路,其特征在于,所述位线偏压调节模块还包括第四NMOS管,其中,

所述第四NMOS管的栅极用于连接存储器系统时钟信号,漏极连接所述第三NMOS管的源极。

6.如权利要求3所述的位线预充电和放电电路,其特征在于,

所述参考偏压控制器包括多条放电路径,并且基于不同的选择设置信号选择不同的所述放电路径,以输出不同的参考偏压。

7.如权利要求1所述的位线预充电和放电电路,其特征在于,所述位线偏压监控模块包括开关元件和第二比较放大器,其中,

所述开关元件的输入端用于连接存储器系统时钟信号和所述位线偏压,输出端连接所述第二比较放大器的负输入端,

所述第二比较放大器的正输入端连接所述参考偏压,负输入端用于连接所述存储器系统时钟信号。

8.如权利要求7所述的位线预充电和放电电路,其特征在于,所述位线偏压监控模块还包括反相器,其中所述开关元件的输入端与所述反相器连接,以连接所述存储器系统时钟信号。

9.一种存储器,包括存储器阵列、位线地址选择电路和比较放大电路,其特征在于,还包括如权利要求1-8之一所述的位线预充电和放电电路。

10.如权利要求9所述的存储器,其特征在于,所述位线偏压调节模块、所述选择控制模块和所述位线偏压监控模块均由存储器系统时钟信号控制使能。

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