[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

在所述第一区域衬底和第二区域衬底上形成介质层，所述第一区域介质层中具有第一开口，所述第二区域介质层中具有第二开口，所述第一开口和所述第二开口贯穿所述介质层；

在所述第一开口和第二开口底部的衬底上形成初始功函数层；

在所述第一区域和第二区域的初始功函数层上形成初始抗反射膜；

对所述初始抗反射膜进行刻蚀，减小所述初始抗反射膜的厚度，在所述第一区域和第二区域的初始功函数层上形成初始抗反射涂层；

在所述第二区域初始抗反射涂层上形成保护层；

以所述保护层为掩膜对所述初始抗反射涂层进行刻蚀，去除第一区域的初始抗反射涂层，在所述第二区域的初始功函数层上形成抗反射涂层；

以所述抗反射涂层和所述保护层为掩膜刻蚀所述初始功函数层，去除所述第一区域的初始功函数层，形成功函数层；

去除所述第一区域的初始功函数层之后，去除所述保护层和抗反射涂层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层包括：位于所述抗反射涂层上的阻挡层以及位于所述阻挡层上的图形层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形层与所述阻挡层的材料不相同，所述阻挡层与所述抗反射涂层的材料不相同。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氧化硅或氮化硅；所述图形层的材料为光刻胶。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述保护层的步骤包括：去除所述阻挡层；去除所述阻挡层的工艺包括：干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：在所述初始抗反射涂层上形成初始阻挡层；在所述第二区域的初始保护层上形成图形层；以所述图形层为掩膜对所述初始阻挡层进行刻蚀，去除所述第一区域的初始阻挡层，形成阻挡层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始阻挡层进行刻蚀的工艺包括干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

8.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为20埃～100埃。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始抗反射膜表面高于所述介质层顶部表面，所述初始抗反射涂层表面低于或齐平于所述介质层表面。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始抗反射膜进行刻蚀的工艺包括：干法刻蚀或湿法刻蚀工艺。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始抗反射膜的厚度为1800～3000；所述初始抗反射涂层的厚度为800埃～1500埃。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为光刻胶；形成所述保护层的工艺包括旋涂工艺。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为1000埃～4000埃。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射涂层的材料为有机聚合物；所述功函数层的材料为氮化钛或氮化钽。

15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一区域的初始功函数层的工艺包括湿法刻蚀工艺。