[发明专利]半导体结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201611015951.1 申请日: 2016-11-02
公开(公告)号: CN107591386B 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 林柏均 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/00;H01L21/48
代理公司: 72003 隆天知识产权代理有限公司 代理人: 冯志云;王芝艳<国际申请>=<国际公布>
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;TW
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体结构,包括:

一基板;

一接垫,设置于该基板上方;

一保护层,设置于该基板上方并且暴露该接垫的一暴露部分;以及

一凸块,设置于该接垫的该暴露部分上方;

其中该凸块包含一缓冲件及一导电层,该缓冲件设置于该接垫的该暴露部分上方,该缓冲件的一部分设置于该接垫内或是延伸至该接垫中,该导电层环绕该缓冲件且电连接至该接垫。

2.如权利要求1所述的半导体结构,其中该导电层与该接垫的该暴露部分交界。

3.如权利要求1所述的半导体结构,其中该缓冲件是绝缘的、弹性的、或可变形的。

4.如权利要求1所述的半导体结构,其中该缓冲件包含弹性体或聚合物,或该导电层包含铜或焊料。

5.如权利要求1所述的半导体结构,其中该凸块是弹性的或可变形的。

6.如权利要求1所述的半导体结构,其中该凸块电连接至该接垫。

7.如权利要求1所述的半导体结构,其中该导电层的一部分设置于该缓冲件内或是受到该缓冲件环绕。

8.如权利要求1所述的半导体结构,还包括一互连结构,设置于该导电层与该接垫之间,并且经设置以将该导电层电连接该接垫。

9.如权利要求8所述的半导体结构,其中该互连结构是凸块下金属化层(UBM),局部设置于该保护层上方或是局部受到该保护层环绕。

10.如权利要求8所述的半导体结构,其中该互连结构设置于该缓冲件内或是受到该缓冲件环绕。

11.如权利要求8所述的半导体结构,其中该互连结构与该缓冲件共形。

12.如权利要求8所述的半导体结构,其中该互连结构的一部分设置于该导电层与该缓冲件之间。

13.如权利要求8所述的半导体结构,其中该互连结构的一部分设置于该接垫内或是受到该接垫环绕。

14.如权利要求1所述的半导体结构,还包括一粘着层,设置于该缓冲件与该接垫的该暴露部分之间。

15.如权利要求14所述的半导体结构,其中该粘着层设置于该缓冲件与该导电层之间,或该缓冲件由该粘着层囊封。

16.如权利要求14所述的半导体结构,其中该粘着层设置于该接垫内或受到该接垫环绕。

17.一种半导体结构的制造方法,包括:

提供一基板;

设置一接垫于该基板上方;

设置一保护层于该基板与该接垫上方;

局部移除该接垫上方的该保护层;

设置一缓冲件于该接垫的一部分上方,该缓冲件的一部分设置于该接垫内或是延伸至该接垫中;以及

设置一导电层于该缓冲件上方或附近;

其中该缓冲件受到该导电层环绕,以及该导电层电连接至该接垫。

18.如权利要求17所述的制造方法,还包括在局部移除该保护层时或之后,局部移除该接垫。

19.如权利要求17所述的制造方法,其中通过网印工艺设置该缓冲件。

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