[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
申请号: | 201611015951.1 | 申请日: | 2016-11-02 |
公开(公告)号: | CN107591386B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 林柏均 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/00;H01L21/48 |
代理公司: | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人: | 冯志云;王芝艳<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构,包括:
一基板;
一接垫,设置于该基板上方;
一保护层,设置于该基板上方并且暴露该接垫的一暴露部分;以及
一凸块,设置于该接垫的该暴露部分上方;
其中该凸块包含一缓冲件及一导电层,该缓冲件设置于该接垫的该暴露部分上方,该缓冲件的一部分设置于该接垫内或是延伸至该接垫中,该导电层环绕该缓冲件且电连接至该接垫。
2.如权利要求1所述的半导体结构,其中该导电层与该接垫的该暴露部分交界。
3.如权利要求1所述的半导体结构,其中该缓冲件是绝缘的、弹性的、或可变形的。
4.如权利要求1所述的半导体结构,其中该缓冲件包含弹性体或聚合物,或该导电层包含铜或焊料。
5.如权利要求1所述的半导体结构,其中该凸块是弹性的或可变形的。
6.如权利要求1所述的半导体结构,其中该凸块电连接至该接垫。
7.如权利要求1所述的半导体结构,其中该导电层的一部分设置于该缓冲件内或是受到该缓冲件环绕。
8.如权利要求1所述的半导体结构,还包括一互连结构,设置于该导电层与该接垫之间,并且经设置以将该导电层电连接该接垫。
9.如权利要求8所述的半导体结构,其中该互连结构是凸块下金属化层(UBM),局部设置于该保护层上方或是局部受到该保护层环绕。
10.如权利要求8所述的半导体结构,其中该互连结构设置于该缓冲件内或是受到该缓冲件环绕。
11.如权利要求8所述的半导体结构,其中该互连结构与该缓冲件共形。
12.如权利要求8所述的半导体结构,其中该互连结构的一部分设置于该导电层与该缓冲件之间。
13.如权利要求8所述的半导体结构,其中该互连结构的一部分设置于该接垫内或是受到该接垫环绕。
14.如权利要求1所述的半导体结构,还包括一粘着层,设置于该缓冲件与该接垫的该暴露部分之间。
15.如权利要求14所述的半导体结构,其中该粘着层设置于该缓冲件与该导电层之间,或该缓冲件由该粘着层囊封。
16.如权利要求14所述的半导体结构,其中该粘着层设置于该接垫内或受到该接垫环绕。
17.一种半导体结构的制造方法,包括:
提供一基板;
设置一接垫于该基板上方;
设置一保护层于该基板与该接垫上方;
局部移除该接垫上方的该保护层;
设置一缓冲件于该接垫的一部分上方,该缓冲件的一部分设置于该接垫内或是延伸至该接垫中;以及
设置一导电层于该缓冲件上方或附近;
其中该缓冲件受到该导电层环绕,以及该导电层电连接至该接垫。
18.如权利要求17所述的制造方法,还包括在局部移除该保护层时或之后,局部移除该接垫。
19.如权利要求17所述的制造方法,其中通过网印工艺设置该缓冲件。
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