[发明专利]半导体存储设备及其操作方法

说明书

半导体存储设备及其操作方法。本技术涉及一种电子设备，更具体地，涉及一种半导体存储设备及其操作方法。具有改进的可靠性的半导体存储设备包括地址解码器，所述地址解码器向联接至多个存储单元中的所选择的存储单元的所选择的字线施加编程电压；读写电路，所述读写电路向联接至所选择的存储单元的位线施加编程许可电压或编程禁止电压；以及控制逻辑，所述控制逻辑控制所述读写电路，以在施加所述编程电压时，向联接至所选择的存储单元的所述位线依次施加所述编程许可电压和所述编程禁止电压。

技术领域

各个实施方式总体上涉及电子设备，更具体地，涉及一种半导体存储设备及其操作方法。

背景技术

半导体存储设备是利用由诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)以及磷化铟(InP)的材料形成的半导体具体实现的存储设备。半导体存储设备分为易失性存储设备和非易失性存储设备。

易失性存储设备在断电时丢失存储的数据。易失性存储设备的示例包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)以及同步DRAM(SDRAM)。非易失性存储设备无论通电/断电条件均保持存储的数据。非易失性存储设备的示例包括只读存储器(ROM)、掩码ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)以及铁电RAM(FRAM)。闪存分为NOR型存储器和NAND型存储器。

发明内容

各个实施方式涉及具有改进的可靠性的半导体存储设备及其操作方法。

根据一个实施方式，一种包含多个存储单元的半导体存储设备的操作方法可包括向联接至所述多个存储单元中的所选择的存储单元的所选择的字线施加编程电压。该方法还包括在施加所述编程电压时，向联接至所选择的存储单元的位线依次施加编程许可电压和编程禁止电压。

根据一个实施方式，一种包含多个存储单元的半导体存储设备可包括地址解码器，所述地址解码器被配置成向联接至所述多个存储单元中的所选择的存储单元的所选择的字线施加编程电压。所述半导体存储设备还包括：读写电路，所述读写电路被配置成向联接至所选择的存储单元的位线施加编程许可电压或编程禁止电压；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置成控制所述读写电路，以在施加所述编程电压时，向联接至所选择的存储单元的所述位线依次施加所述编程许可电压和所述编程禁止电压。

附图说明

图1是示出存储系统的配置的框图；

图2是示出根据一个实施方式的半导体存储设备的框图；

图3是示出如图2所示的存储单元阵列结构的图；

图4是示出如图2所示的存储单元阵列的另一实施方式的图；

图5是示出如图2所示的存储单元阵列的另一实施方式的图；

图6是示出根据双重验证方法的编程操作的图；

图7是示出根据一个实施方式的半导体存储设备的操作方法的图；

图8是示出根据另一实施方式的半导体存储设备的操作方法的图；

图9是示出根据另一实施方式的半导体存储设备的操作方法的图；

图10是示出根据另一实施方式的半导体存储设备的操作方法的图；

图11是示出根据另一实施方式的半导体存储设备的操作方法的图；

图12是示出根据另一实施方式的半导体存储设备的操作方法的图；

图13是示出根据另一实施方式的半导体存储设备的操作方法的图；

图14是示出根据另一实施方式的半导体存储设备的操作方法的图；