[发明专利]半导体存储设备及其操作方法

权利要求书

1.一种操作包含多个存储单元的半导体存储设备的方法，所述方法包括以下步骤：

向连接至所述多个存储单元中的所选择的存储单元的所选择的字线施加编程电压脉冲；以及

在向所选择的字线施加所述编程电压脉冲期间，向所选择的存储单元中的至少一个存储单元的位线施加位线电压脉冲，

其中，在向所选择的字线施加所述编程电压脉冲期间，所述位线电压脉冲的电压电平从编程禁止电压改变为编程许可电压，

其中，在第一时段期间，所述位线电压脉冲具有所述编程禁止电压的电压电平，在第二时段期间，所述位线电压脉冲具有所述编程许可电压的电压电平，并且

其中，在向所选择的字线施加所述编程电压脉冲期间，所述第一时段和所述第二时段依次重复。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一时段和所述第二时段具有相同的持续时间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一时段和所述第二时段中的一个时段具有比另一时段长的持续时间。

4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在向连接至所述多个存储单元中的所选择的存储单元的所选择的字线施加所述编程电压之前，通过第一验证电压和大于所述第一验证电压的第二验证电压来验证所选择的存储单元的编程状态。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所选择的存储单元具有高于所述第一验证电压并且低于所述第二验证电压的阈值电压。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，当所选择的存储单元的阈值电压更接近所述第一验证电压并且所述阈值电压介于所述第一验证电压和所述第二验证电压之间时，所述第一时段增大。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，当所选择的存储单元的阈值电压更接近所述第二验证电压并且所述阈值电压介于所述第一验证电压和所述第二验证电压之间时，所述第二时段增大。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述编程许可电压的电压电平是地电压。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述编程禁止电压的电压电平是电源电压。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述编程许可电压是具有比地电压高第一基准值的电压电平的正电压。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述编程禁止电压是具有比电源电压低第二基准值的电压电平的正电压。

12.一种操作包含多个存储单元的半导体存储设备的方法，所述方法包括以下步骤：

向连接至所述多个存储单元中的所选择的存储单元的所选择的字线施加编程电压；以及

在向所选择的字线施加所述编程电压期间，施加具有先以指数方式然后以对数方式从编程许可电压增大至编程禁止电压或者先以指数方式然后以对数方式从所述编程禁止电压减小至所述编程许可电压的电压电平的位线电压。

13.一种操作包含多个存储单元的半导体存储设备的方法，所述方法包括以下步骤：

向连接至所述多个存储单元中的所选择的存储单元的所选择的字线施加编程电压；以及

在向所选择的字线施加所述编程电压期间，向连接至所选择的存储单元的位线依次施加第一电压和第二电压，

其中，所述第一电压具有比编程许可电压高第一基准值的电压电平，并且

所述第二电压具有比编程禁止电压低第二基准值的电压电平。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，向连接至所选择的存储单元的位线依次施加所述第一电压和所述第二电压的步骤包括以下步骤：

在施加所述第二电压之后施加所述第一电压，或者在施加所述第一电压之后施加所述第二电压。