[发明专利]柱顶互连的封装堆栈方法与构造

说明书

技术领域

本发明有关于半导体芯片封装领域，特别有关于一种柱顶互连的封装堆栈方法与构造。

背景技术

半导体芯片封装构造早期是表面接合在一外部印刷电路板上，并可以具备有各种已知的封装型态。当一顶部封装构造表面接合在一底部封装构造上，便可组合成封装堆栈构造(Package-On-Package, POP)。其中，用以连接顶部与底部封装构造的中介端子的尺寸与间距将会明显地影响封装堆栈构造的制作合格率，通常中介端子包含焊球。

在现有利用雷射钻孔的底部封装构造中，例如焊球的中介端子预先设置于底部封装构造的基板上并以模封胶体密封。随后，以雷射钻孔方式以露出中介端子被模封胶体包围的锡球表面，以供顶部封装构造的焊球接合，因此上下堆栈的顶部与底部封装构造可以回焊组成一封装堆栈构造(POP)。

请参阅图1，一种现有封装堆栈构造(POP)包含一底部封装构造10以及一上方堆栈的顶部封装构造20，该底部封装构造10与该顶部封装构造20之间以多个例如被模封焊球的中介端子30作回焊接合。该底部封装构造10包含一基板11，一芯片12安装在该基板11上并以一模封胶体13密封，可利用多个覆晶接合的凸块电性连接该芯片12至该基板11。该多个中介端子30预先接合于该基板11的上表面并亦被该模封胶体13所密封。多个底端子14接合于该基板11的下表面。以雷射钻孔作业露出该多个中介端子30的顶面，并且该模封胶体13在该多个中介端子30之间将形成一挡墙15。该顶部封装构造20包含另一基板21，一芯片22安装在该基板21上并以一模封胶体23密封。可利用多个打线形成的焊线24电性连接该芯片22与该基板21。该基板21的下表面设置有连接垫，以接合该多个中介端子30。

图2绘示在现有封装堆栈构造的制程中进行雷射钻孔作业时的底部封装构造的局部截面示意图。以一雷射钻孔器40对该底部封装构造10的该模封胶体13进行雷射钻孔作业，直到该多个中介端子30的顶面为露出；同时，该模封胶体13在该多个中介端子30之间形成的挡墙15，其原本用意是避免锡球对接时镕融短接。然而，当该多个中介端子30之间距微小化时，雷射钻孔孔径需要的斜角，将导致挡墙的矮化、缩小化而功能失效。因此，雷射钻孔的底部封装构造无法符合下一代微间距封装堆栈构造(POP)的要求，这是因为制程中挡墙的厚度与斜角要求，限制了底部封装构造走向微间距的发展能力。

发明内容

为了解决上述的问题，本发明的主要目的在于提供一种柱顶互连的封装堆栈方法与构造，用以防止封装堆栈构造中底部封装构造的中介导通组件的焊料桥接，中介端子能更微间距的排列与微小化，并且底部封装构造的模封胶体的平坦面可不必要地制作重配置线路结构。

本发明的次一目的在于提供一种柱顶互连的封装堆栈方法与构造，使得中介端子之间距可以不大于顶端子的间距，亦同时可不大于底端子的间距，在POP产品设计上更有调整弹性。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本发明提供一种柱顶互连的封装堆栈方法，包含：

提供一载板；

在该载板上电镀形成多个第一金属柱与多个第二金属柱，其中该多个第一金属柱的多个第一顶端面相对于该多个第二金属柱的多个第二顶端面更加远离该载板；

在该载板上设置一芯片；

在该载板上形成一模封胶体，其中该模封胶体密封该芯片、该多个第一金属柱以及该多个第二金属柱；

平坦化研磨该模封胶体的方式，共平面地显露出该多个第一金属柱的该多个第一顶端面与该多个第二金属柱的该多个第二顶端面在该模封胶体的一平坦面；以及

在该平坦面上安装一顶部封装构造，并且在该顶部封装构造与该模封胶体之间介入一中介转板，该顶部封装构造包括多个顶端子，该中介转板包含多个中介端子，在回焊过程中，该多个顶端子接合至该中介转板的对应接垫，该多个中介端子接合至该多个第一金属柱的该多个第一顶端面与该多个第二金属柱的该多个第二顶端面。

其中该载板为一底部封装构造的线路基板。

其中该载板的下表面接合有多个底端子。

其中该多个第一金属柱电镀形成于一防焊层上，该多个第二金属柱电镀形成于该载板的多个基板连接垫上。

5、根据权利要求1所述的柱顶互连的封装堆栈方法，其特征在于，其中该载板为一扇出型晶圆或面板等级封装制程所使用的暂时载板。

其中该多个第一金属柱电镀形成于一重配置线路层上，该多个第二金属柱电镀形成于该载板上。

本发明还提供一种柱顶互连的封装堆栈构造，包含：