[发明专利]标记结构的形成方法

权利要求书

1.一种标记结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件层、位于器件层表面的介质层、以及位于介质层表面的掩膜层，所述衬底包括标记区和器件区，所述标记区包括第二标记区以及包围所述第二标记区的第一标记区；

采用第一刻蚀工艺刻蚀部分所述掩膜层直至暴露出所述介质层，在器件区内形成第一开口，在第一标记区内形成第一标记，并在第二标记区形成标记开口，所述第一开口和标记开口的底部高于器件层表面，所述标记开口至少暴露出第二标记区的部分介质层；

采用第二刻蚀工艺刻蚀第一开口底部和标记开口底部的介质层，在第一开口底部形成暴露出器件层的第二开口，在所述标记开口底部的介质层内形成第二标记；

在所述第一开口和第二开口内形成导电结构。

2.如权利要求1所述的标记结构的形成方法，其特征在于，所述第一标记包括若干第一标记凹槽。

3.如权利要求2所述的标记结构的形成方法，其特征在于，若干第一标记凹槽围绕所述第二标记区均匀分布。

4.如权利要求3所述的标记结构的形成方法，其特征在于，所述第一标记凹槽的数量为4个，所述第一标记凹槽顶部的图形为条形，且所述4个条形的第一标记凹槽围绕第二标记区呈四边形。

5.如权利要求2所述的标记结构的形成方法，其特征在于，所述第一标记凹槽、标记开口和第一开口的形成步骤包括：在所述掩膜层表面形成第一图形层，所述第一图形层暴露出需要形成第一标记凹槽、标记开口和第一开口的掩膜层表面；以所述第一图形层为掩膜，采用第一刻蚀工艺刻蚀所述掩膜层和部分介质层，形成第一标记凹槽、标记开口和第一开口；在刻蚀所述掩膜层和部分介质层之后，去除所述第一图形层。

6.如权利要求1所述的标记结构的形成方法，其特征在于，所述第一标记包括若干第一标记凸部。

7.如权利要求6所述的标记结构的形成方法，其特征在于，若干第一标记凸部围绕所述第二标记区均匀分布。

8.如权利要求7所述的标记结构的形成方法，其特征在于，所述第一标记凸部的数量为4个，所述第一标记凸部顶部的图形为条形，且所述4个条形的第一标记凸部围绕第二标记区呈四边形。

9.如权利要求6所述的标记结构的形成方法，其特征在于，所述第一标记凸部、标记开口和第一开口的形成步骤包括：在所述掩膜层表面形成第一图形层，所述第一图形层完全暴露出第二标记区的掩膜层表面、并暴露出第一标记区和器件区部分掩膜层表面，且所述第一图形层在第一标记区覆盖需要形成第一标记凸起的掩膜层表面；以所述第一图形层为掩膜，采用第一刻蚀工艺刻蚀所述掩膜层和部分介质层，形成第一标记凸起、标记开口和第一开口；在刻蚀所述掩膜层和部分介质层之后，去除所述第一图形层。

10.如权利要求9所述的标记结构的形成方法，其特征在于，所述标记开口延伸至第一标记区，并以所述第一标记凸起为侧壁。

11.如权利要求5或9所述的标记结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形层包括图形化的光刻胶层。

12.如权利要求1所述的标记结构的形成方法，其特征在于，所述第二标记包括若干第二标记凹槽。

13.如权利要求12所述的标记结构的形成方法，其特征在于，若干第二标记凹槽围绕所述第二标记区的中心点均匀分布。

14.如权利要求13所述的标记结构的形成方法，其特征在于，所述第二标记凹槽的数量为4个，所述第二标记凹槽顶部的图形为条形，且所述4个条形的第二标记凹槽围绕第二标记区的中心点呈四边形。