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[发明专利]选择与衬底上的测量或特征相关联的部位的集合-CN201780063402.8有效
发明人： P·弗朗西斯科;S·P·马特瓦;J·S·怀登伯格 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G03F9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种选择衬底上用于测量或特征的部位的最优集合的方法，该方法包括：(302)：限定约束条件，并且可选地限定成本函数。(306)：限定部位的第一候选方案。(308)：基于对所述第一候选方案的方案域中的坐标的修改，限定具有部位的第二候选方案。这可能涉及重复、突变和交叉。(310)：确定与所述衬底上所需的测量准确性或特征布局相关联的成本函数的值。(312)：根据与所述衬底相关联的约束并且可选地根据所述成本函数的值，选择所述第一候选方案和/或第二候选方案作为所述最优方案。(314)：如果满足所述约束并且所述成本函数的值已收敛，或者如果已达到一迭代次数，则迭代结束。
选择衬底测量特征相关部位集合

[发明专利]一种焦面探测单元以及自动调焦的对准系统-CN201510415979.3有效
发明人：黄栋梁;于大维 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： G03F9/02 文献下载
摘要：本发明提供的位于光刻机中的对准系统中的焦面探测单元，通过视场光阑、调焦透镜与探测器顺序排列放置，将透过视场光阑的入射光束通过调焦透镜折射到探测器上，由探测器显示出入射光束的投射在探测器上的坐标，并加以计算。因此这种焦面探测单元能够及时、简便地计算出入射光束的离焦量。本发明提供的自动调焦对准系统中的分光组件旁设置焦面探测单元，这样掩模或者工件上反射或者折射的光线进入焦面探测单元后，由探测器计算出离焦量，并输送至控制单元，由控制单元控制工件台的移动，直至焦面探测单元计算出的离焦量为0，成像传感器上呈现出清晰的对准标记像，完成了自动调焦。因此这种自动调焦对准系统具有及时、准确、操作简单的特点。
一种探测单元以及自动调焦对准系统

[发明专利]光刻对准装置、其使用方法及光刻机-CN201110459572.2有效
发明人：伍强;姚欣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G03F9/02 文献下载
摘要：一种光刻对准装置，包括：透镜组；光探测器；位于透镜组与光探测器之间的分光镜，用于将照明光全部反射到位于载物台的衬底的对准记号上，且用于使衬底的对准记号的反射光通过以进入光探测器；具有两个垂直设置的反射面的固定反射镜与具有两个垂直设置的反射面的可动反射镜，所述固定反射镜的两个反射面分别与所述可动反射镜的两个反射面相对，且所述固定反射镜、所述可动反射镜与所述光探测器位于所述透镜组的一侧。本发明还提供了该光刻对准装置的使用方法及包含该光刻对准装置的光刻机。采用本发明的技术方案，满足在载物台的位置无法上下移动情况下，需使掩膜板图案与衬底里对准记号对准的需求。
光刻对准装置使用方法

[发明专利]将硅片调整至最佳焦平面的方法及其曝光装置-CN201010241655.X有效
发明人：郑乐平;陈飞彪;顾鲜红 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G03F9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种将硅片调整至最佳焦平面的方法及其曝光装置。将硅片调整至最佳焦平面的方法包括下述步骤。在预备阶段：投射裂缝型光斑至第一硅片的第一区域；检测自第一硅片的第一区域反射的第一反射光斑以产生第一误差值。在第一曝光阶段：投射裂缝型光斑至第一硅片的第一区域；检测自第一硅片的第一区域反射的第一光斑以产生第一光斑信号；根据第一光斑信号与第一误差值计算第一硅片的第一离焦位置；根据第一离焦位置将第一硅片调整至最佳焦平面。
硅片调整最佳平面方法及其曝光装置

[发明专利]一种光刻机硅片平台水平控制和自动对焦系统及方法-CN200610119397.1无效
发明人：王雷;伍强 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-12-11 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G03F9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻机硅片平台水平控制和自动对焦系统及方法，该系统除包括掩模板、透镜、硅片载物台、焦平面空间像收集探测器阵列和反馈控制仪系统外，还包括：一投影透镜和一分束板，可对反射光束进行分光，投影透镜和焦平面空间像收集探测器阵列收集在硅片表面反射所形成的像并放大。本发明由于利用光学中常用的共焦探测方法，利用光路可逆原理，提高了硅片水平控制系统探测精度，并能实现自动对焦，从而提高硅片水平控制系统的精度加大光刻工艺窗口，大大降低光刻技术对光刻设备的要求，降低设备成本，提高制造工艺，可以实时、精密、自动地对硅片进行水平位置控制和自动对焦。
一种光刻硅片平台水平控制自动对焦系统方法

[发明专利]一种光刻装置的对准系统以及该对准系统的级结合系统-CN200610117988.5有效
发明人：徐荣伟;李铁军;李仲禹 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： G03F9/02 文献下载
摘要：本发明公开一种光刻装置的对准系统以及该对准系统的级结合系统，其对准系统包括光源模块，提供照明光源；照明模块，传输照明光源的光束，照明晶片上的对准标记；成像模块，使正、负级次的频谱光斑对应重叠相干，采用多色光分离系统实现多波长光信号的分离；探测模块，通过测量多个波长多级次衍射光斑对应位置处光强或位相的变化，得到对准标记的位置信息。对准系统的级结合系统使对准标记衍射频谱的正、负级次的频谱光斑对应重叠相干；采用多色光分离系统实现多波长光信号的分离；通过测量多个波长多级次衍射光斑对应位置处光强或位相的变化，得到对准标记的位置信息。本发明光刻装置的对准系统以及级结合系统能够提供较高的对准精度和稳定性。
一种光刻装置对准系统以及结合

[发明专利]扫描曝光方法以及装置制造方法-CN200510093213.4无效
发明人：香田徹;筒井慎二 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G03F9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种扫描曝光方法，用于利用弧形照射光照射掩膜上的图形，并且用于将由照射光学系统照射的掩膜上的图形投影到板片上，扫描曝光设备相对于投影光学系统同步扫描掩膜和板片，所述方法包括如下步骤：曝光焦距测量图形掩膜；由板片上的焦距测量图形图像的光强度或分辨率性能，测量特定区域的聚焦位置；线性内插测量结果并确定图像平面位置；计算用于倾斜掩膜和/或板片的倾斜角度，使得将板片表面置于图像表面位置的聚焦平面中；根据计算的数据，校正掩膜托架和/或板片托架的倾斜；以及曝光实际的掩膜。本发明还提供了一种装置制造方法包括如下步骤：使用上述扫描曝光方法将装置图形曝光到板片上，并将已被曝光的板片显影。
扫描曝光方法以及装置制造

[发明专利]光刻机投影物镜奇像差原位检测方法-CN200510026450.9无效
发明人：马明英;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-06-03 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： G03F9/02 文献下载
摘要：一种光刻机投影物镜奇像差原位检测方法，该方法根据不同离焦量下测量得到的成像位置偏移量，实现了对奇像差中波前倾斜、彗差、三波差的同时精确测量。与在先技术相比，本发明基于离焦量的改变来检测奇像差，避免了对光刻机投影物镜多种不同的数值孔径、部分相干因子的优化工作，检测过程简单。由于灵敏度系数的变化范围增大，本发明方法提高了所述奇像差的检测精度。
光刻投影物镜奇像差原位检测方法

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