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[发明专利]标记结构的形成方法-CN201610079408.1有效
发明人： 陆道亮;张宏伟;冯奎 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种标记结构的形成方法，包括：提供包括器件层的衬底，器件层表面具有介质层，介质层表面具有掩膜层，衬底包括标记区和器件区，标记区包括第二标记区以及包围第二标记区的第一标记区；采用第一刻蚀工艺刻蚀部分掩膜层直至暴露出介质层，在器件区内形成第一开口，在第一标记区内形成第一标记，在第二标记区形成标记开口，第一开口和标记开口的底部高于器件层表面，标记开口至少暴露出第二标记区的部分介质层；采用第二刻蚀工艺刻蚀第一开口底部和标记开口底部的介质层，在第一开口底部形成暴露出器件层的第二开口，在标记开口底部的介质层内形成第二标记；在第一开口和第二开口内形成导电结构。所形成的标记结构更清晰，有利于提高标记检测精度。
标记结构形成方法

[发明专利]一种光罩及其制备方法-CN201710097117.X在审
发明人：冯奎;张宏伟;陆道亮;高志攀;李佳园 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种光罩及其制备方法。所述光罩包括用于形成目标图案的中心区域和位于所述中心区域外侧的周围区域，所述中心区域和所述周围区域中均设置有遮光的掩膜图案，以作为对准标记。本发明将所述光罩的中心区域和周围区域中形成的所述对准标记均设置为遮光的掩膜，以消除光罩的中心区域和周围区域对准不够准确的问题，以进一步提高通过所述光罩制备得到的器件的性能和良率。
光罩中心区域周围区域制备对准标记遮光目标图案掩膜图案良率掩膜对准

[发明专利]一种检验光刻对准精度的方法-CN201610251748.8在审
发明人：冯奎;张宏伟;陆道亮;高志攀;李佳园 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种检验光刻对准精度的方法，包括对器件中的下层图形光刻时，仅将第一对准标记的位于X方向的图形曝光出来；对器件中的下层图形中的子图形光刻时，仅将第二对准标记的位于与X方向垂直的Y方向的图形曝光出来；对器件中的上层图形光刻时，将第三对准标记的位于X方向的图形和位于Y方向的图形全部曝光出来；光刻后实施叠加量测时，通过第一对准标记的位于X方向的图形和第三对准标记的位于X方向的图形来监控X方向的偏移误差，通过第一对准标记的位于Y方向的图形和第三对准标记的位于Y方向的图形来监控Y方向的偏移误差。根据本发明，可以节省对于光刻操作站点的50％的叠加量测工具需求，加快实施光刻时晶圆的移动速度。
一种检验光刻对准精度方法