[发明专利]隔离型NLDMOS器件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种隔离型NLDMOS器件，在P型硅衬底上形成有两个独立的N型深阱；左N型深阱左部形成有一P阱；P阱左部形成有一P型重掺杂区及一源端N型重掺杂区；P阱右部上方及左N型深阱右部上方形成有栅氧化层；左N型深阱同右N型深阱之间的P型硅衬底上方及右N型深阱左部上方形成有场氧；右N型深阱右部形成有一漏端N型重掺杂区；场氧左部上方及栅氧化层上方形成有栅极多晶硅；场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中形成有漂移P型注入区，漂移P型注入区右部为分段间隔状。本发明还公开了该隔离型NLDMOS器件的制造方法。本发明，能在保证隔离型NLDMOS器件击穿电压不降低的同时使得器件导通电阻降低。

技术领域

本发明涉及半导体技术，特别涉及一种隔离型NLDMOS器件及其制造方法。

背景技术

LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)由于具有耐高压、大电流驱动能力、极低功耗以及可与CMOS集成等优点，目前在电源管理电路中被广泛采用。

隔离型NLDMOS器件，既具有分立器件高压大电流特点，又汲取了低压集成电路高密度智能逻辑控制的优点，单芯片实现原来多个芯片才能完成的功能，大大缩小了面积，降低了成本，提高了能效，符合现代电力电子器件小型化，智能化，低能耗的发展方向。击穿电压及导通电阻是衡量隔离型NLDMOS器件的关键参数。

现有一种隔离型NLDMOS(N型横向扩散金属氧化物半导体)器件，单元结构如图1所示，在P型硅衬底101上形成有左N型深阱102a、右N型深阱102b两个独立的N型深阱，左N型深阱102a左部形成有P阱104，P阱104左部形成有P型重掺杂区109及源端N型重掺杂区108a，P阱104右部、左N型深阱102a右上方形成有栅氧化层106，左N型深阱102a同右N型深阱102b之间的P型硅衬底101上方，及右N型深阱102b左部上方形成有场氧103，右N型深阱102b右部形成有漏端N型重掺杂区108b，场氧10左部及栅氧化层106上方形成有栅极多晶硅107a，场氧10右部上方形成有漏端多晶硅场板107b，层间介质110覆盖在器件表面，P型重掺杂区109及源端N型重掺杂区108a通过金属111穿过层间介质110的一金属111短接在一起，漏端N型重掺杂区108b同漏端多晶硅场板107b通过穿过层间介质110的另一金属111短接在一起，场氧10下方的P型硅衬底101及右N型深阱102b中形成有漂移P型注入区105b，P阱104中形成有一源端P型注入区105a。图1所示的隔离型NLDMOS器件，其漂移区的漂移P型注入区105b的注入，能加速漂移区耗尽，使击穿器件电压增加，但因为漂移P型注入区105b会补偿漂移区，减小漂移区有效掺杂浓度，压缩漂移区电流通道，所以这也会使得器件导通电阻增加。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，在保证隔离型NLDMOS器件击穿电压不降低的同时使得器件导通电阻降低。

为解决上述技术问题，本发明提供的隔离型NLDMOS器件，其单元结构是，在P型硅衬底上形成有左N型深阱、右N型深阱两个独立的N型深阱；

所述左N型深阱，左部形成有一P阱；

所述P阱，左部形成有一P型重掺杂区及一源端N型重掺杂区；

所述P阱右部上方及所述左N型深阱右部上方，形成有栅氧化层；

所述左N型深阱同所述右N型深阱之间的P型硅衬底上方，及所述右N型深阱左部上方，形成有场氧；

所述右N型深阱，右部形成有一漏端N型重掺杂区；

所述场氧左部上方及所述栅氧化层上方，形成有栅极多晶硅；

所述场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中，形成有漂移P型注入区；

所述漂移P型注入区，右部为分段间隔状。

较佳的，所述场氧右部上方形成有漏端多晶硅场板；