[发明专利]具有在金属化层之下的应力缓冲层的LED有效
| 申请号： | 201480037882.7 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105340089B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | S.阿克拉姆;Q.邹 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙慧;景军平 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 金属化 之下 应力 缓冲 led | ||
【权利要求书】：
1.一种发光器件，包括：
基本上透明的生长衬底；
布置在衬底上的发光二极管（LED）层，LED层包括p型层和n型层；
电气接触p型层和n型层以形成p金属接触件和n金属接触件的一个或多个金属接触层；
布置在p金属接触件和n金属接触件之上的电介质聚合物应力缓冲层，应力缓冲层在p金属接触件和n金属接触件之上形成基本上平面的表面，应力缓冲层具有暴露p金属接触件的部分和n金属接触件的部分的两个或更多开口；以及
布置在应力缓冲层之上的金属焊接垫，其中金属焊接垫通过应力缓冲层中的开口电气连接到p金属接触件和n金属接触件。
2.权利要求1的器件，其中应力缓冲层是弹性的以便当金属焊接垫在施加热量时以与其下面的材料不同的速率膨胀时变形。
3.权利要求1的器件，其中应力缓冲层包括苯并环丁烯（BCB）。
4.权利要求1的器件，其中生长衬底具有在其上外延生长LED层的生长表面，其中生长表面在生长LED层之前被图案化。
5.权利要求1的器件，其中蚀刻LED层以暴露p型层和n型层之一以用于电气连接到p金属接触件或n金属接触件，其中蚀刻还创建围绕器件的沟槽，其中应力缓冲层至少部分地填充沟槽。
6.权利要求1的器件，还包括在应力缓冲层与p金属接触件和n金属接触件之间的钝化层。
7.权利要求1的器件，其中器件是倒装芯片LED。
8.权利要求1的器件，还包括焊接垫上的焊料凸块。
9.权利要求1的器件，其中衬底包括蓝宝石并且LED是基于GaN的。
10.权利要求1的器件，其中一个或多个金属接触层包括与p型层和n型层之一物理接触的金属接触层以及在接触层与焊接垫之间的界面层。
11.权利要求1的器件，其中焊接垫包括多个金属层。
12.一种用于形成发光器件的方法，包括：
在基本上透明的生长衬底上外延生长发光二极管（LED）层，LED层包括p型层和n型层；
沉积和图案化一个或多个金属接触层，所述一个或多个金属接触层电气接触p型层和n型层以形成p金属接触件和n金属接触件；
在p金属接触件和n金属接触件之上沉积电介质聚合物应力缓冲层，应力缓冲层在p金属接触件和n金属接触件之上形成基本上平面的表面，应力缓冲层具有暴露p金属接触件的部分和n金属接触件的部分的两个或更多开口；以及
在应力缓冲衬底层之上形成金属焊接垫，金属焊接垫通过应力缓冲层中的开口电气接触p金属接触件和n金属接触件。
13.权利要求12的方法，其中应力缓冲层是弹性的以便当金属焊接垫在施加热量时以与其下面的材料不同的速率膨胀时变形。
14.权利要求12的方法，其中应力缓冲层包括苯并环丁烯（BCB）。
15.权利要求12的方法，还包括蚀刻LED层以暴露p型层和n型层之一以用于电气连接到p金属接触件或n金属接触件，其中蚀刻还创建围绕器件的沟槽，其中应力缓冲层至少部分地填充沟槽。
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- 2016-08-02 - 2020-04-03 - H01L33/44
- 防止伴随紫外线发光动作的起因于填充在电极间的树脂的电特性劣化。一种在基板(12)上具有紫外线发光元件的氮化物半导体晶圆，该紫外线发光元件具备：具有n型AlGaN层(16)、由AlGaN层构成的活性层(17)、p型AlGaN层(19、20)的半导体层叠部(21)；n电极(23)；p电极(22)；保护绝缘膜(24)；第1及第2镀覆电极(25、26)；以及氟树脂膜(27)，在第1区域(R1)的p型AlGaN层上表面形成p电极，在第2区域(R2)的n型AlGaN层上表面形成n电极，保护绝缘膜具有n电极和p电极的至少一部分露出的开口部，第1镀覆电极与第2镀覆电极隔离而与p电极接触，将第1区域(R1)的上表面及外周侧面的整面、与第1区域(R1)相接的第2区域(R2)的一部分覆盖，第2镀覆电极与n电极接触，氟树脂膜(27)将第1及第2镀覆电极的侧壁面及间隙部(31)的底面覆盖。
- 发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法-201680067380.8
- 延斯·埃贝克;彼得鲁斯·松德格伦;罗兰德·蔡塞尔 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2016-11-17 - 2020-03-06 - H01L33/44
- 提出一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片具有：外延的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有有源区(2)，所述有源区在运行时产生电磁辐射；和钝化层(10)，在所述钝化层中静力学固定电的载流子，或者所述钝化层引起半导体层序列(1)的表面态的饱和。钝化层(10)施加在半导体层序列(1)的侧面(8)上，并且钝化层(10)至少部分地遮盖有源区(2)。
- 用于发光二极管的基板及相关方法-201880016034.6
- E·R·F·韦尔奇;C·K·布莱克利;J·C·赖赫泽;A·F-Y·潘 - 科锐公司
- 2018-02-26 - 2019-10-25 - H01L33/44
- 提供了发光二极管(LED)装置、组件和系统。提供了用于LED和LED装置的改进的基板，所述基板具有在反射层上方的足以最小化或消除电介质层的损坏的一个或多个电介质层。使用这种改进的基板可以生产出更稳定和有效的LED装置。还提供了LED装置及其制造方法，其中LED芯片嵌入填充材料中以将LED附接到基板上并增大光反射率。
- 具有温度敏感的低折射率颗粒层的白色外观半导体发光器件-201780068017.2
- M.R.博默;清水健太郎;J.J.F.G.霍伊茨 - 亮锐有限责任公司
- 2017-08-29 - 2019-08-02 - H01L33/44
- 用于LED光照产品的系统。提出了在不降低白光生成效率的情况下实现白色外观LED产品所带来的问题的解决方案。对LED装置设计和制造了包括特别配方的断开状态白色外观层的器件。调节特别配方的断开状态白色外观层的成分以得到接通状态期间的高效率。
- 包括用于UV LED阵列的厚膜层的散热器，以及形成UV LED阵列的方法-201780054638.5
- W·E·约翰逊三世;D·莱昂哈特;M·加拉戈兹鲁 - 贺利氏特种光源美国有限责任公司
- 2017-09-13 - 2019-04-26 - H01L33/44
- 提供一种紫外线LED阵列。所述紫外线LED阵列包括散热器。所述散热器包括(i)基座散热器元件，以及(ii)施加至所述基座散热器元件的厚膜层。所述紫外线LED阵列还包括直接耦合至所述散热器的所述厚膜层的多个紫外线LED元件。
- 专利分类
