专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于微型LED显示器的滤光片-CN202180075407.9在审
  • 萨米尔·迈祖阿里;杰夫·杜马斯;詹姆斯·皮尔金顿;科林·埃夫斯塔夫 - 普列斯半导体有限公司
  • 2021-11-08 - 2023-08-08 - H01L25/075
  • 一种形成包括多个发光像素的发光二极管阵列的方法,其中,这些发光像素中的至少一个包括:发光二极管,该发光二极管被配置成发射具有第一主峰值波长的光;第一区域,该第一区域包括第一下转换材料,该第一下转换材料被配置成接收并转换来自发光二极管的具有第一主峰值波长的输入光,以提供具有第二主峰值波长的输出光以及具有第一主峰值波长的未转换光;以及第二区域,该第二区域包括分散在介质中的有机半导体材料,该有机半导体材料被配置成吸收具有第一主峰值波长的输入光,其中,第二区域被配置成透射来自第一区域的具有第二主峰值波长的输出光,并且吸收来自发光二极管的、穿过第二区域的具有第一主峰值波长的未转换光,由此提高至少一个发光像素发射的光色纯度。
  • 用于微型led显示器滤光
  • [发明专利]可由电压控制的单片原生RGB阵列-CN202180080043.3在审
  • 安德烈亚·皮诺斯;谭唯欣;萨米尔·迈祖阿里 - 普列斯半导体有限公司
  • 2021-11-24 - 2023-07-25 - H01L33/06
  • 一种发光二极管结构,包括:p型区域;n型区域;栅极触点;第一发光区域,用于可由该p型区域和该n型区域注入的载流子的复合;以及第二发光区域,用于可由该p型区域和该n型区域注入的载流子的复合,其中,该第一发光区域和该第二发光区域至少部分地重叠以形成与该第一发光区域和该第二发光区域相关联的发光表面;其中,该p型区域至少部分地形成在穿过该第一发光区域和该第二发光区域的第一通道中,并且该n型区域至少部分地形成在穿过该第一发光区域和该第二发光区域的第二通道中,其中,发光器件被配置成使得该发光表面所发出的光的波长可通过改变由该栅极触点施加于该p型区域和该n型区域中的一个的栅极电压而控制,从而改变由该p型区域和该n型区域向该第一发光区域和该第二发光区域中的载流子注入。
  • 电压控制单片原生rgb阵列
  • [发明专利]制作单块RGB阵列的工艺-CN202180075438.4在审
  • 萨米尔·迈祖阿里;杰夫·杜马斯 - 普列斯半导体有限公司
  • 2021-11-08 - 2023-07-21 - H01L33/50
  • 一种形成多色发光阵列的方法,该方法包括:提供第一发光器件和第二发光器件,该第一发光器件被配置为发射具有第一主峰值波长的光,该第二发光器件被配置为发射具有第一主峰值波长的光;形成色彩转换区域,该色彩转换区域至少部分地与第一发光器件和第二发光器件相关联,其中,色彩转换区域被配置为吸收具有该第一主峰值波长的光、并且发射具有比第一主峰值波长更长的第二主峰值波长的光;以及光漂白与该第一发光器件相关联的色彩转换区域的一部分,使得与第一发光器件相关联的色彩转换区域对于具有第一主峰值波长的光是至少部分地透明的,从而使得具有第一主峰值波长的光能够由与第一发光器件相关联的第一像素发射,并且具有第二主峰值波长的光能够由与第二发光器件相关联的第二像素发射。
  • 制作rgb阵列工艺
  • [发明专利]形成显示器的方法和显示器-CN202180045289.7在审
  • 萨米尔·迈祖阿里;安德烈亚·皮诺斯;谭唯欣 - 普列斯半导体有限公司
  • 2021-06-22 - 2023-04-07 - H01L27/15
  • 一种形成显示器的方法,包括:将包括多个背板电触点的背板键合到包括对应的多个电触点的单片发光二极管结构,其中,键合包括在该多个背板电触点中的至少一个背板电触点与该单片发光二极管结构的对应电触点之间形成可逆键合;以及从该单片发光二极管结构移除材料,以提供多个物理隔离的发光二极管管芯,从而使得能够通过逆转该多个背板电触点中的该至少一个背板电触点与该单片发光二极管结构的对应电触点之间的该可逆键合来移除和/或替换至少一个物理隔离的发光二极管管芯。
  • 形成显示器方法
  • [发明专利]应变弛豫层-CN202180048539.2在审
  • 安德烈亚·皮诺斯;谭唯欣;萨米尔·迈祖阿里;约翰·莱尔·怀特曼;喻翔;金俊允 - 普列斯半导体有限公司
  • 2021-07-14 - 2023-03-10 - H01L33/12
  • 一种在磊晶结晶结构中形成应变弛豫层的方法,该方法包括:提供结晶模板层,该结晶模板层包括具有第一自然弛豫的面内晶格参数的材料;形成第一磊晶结晶层于该结晶模板层上,其中,该第一磊晶结晶层的初始导电率高于该结晶模板层的电导率;形成第二磊晶结晶层于该第一磊晶结晶层上,其中,该第二磊晶结晶层的电导率低于该第一磊晶结晶层的该初始导电率,该第二磊晶结晶层包括具有第二自然弛豫的面内晶格参数的材料,该第二自然弛豫的面内晶格参数与该结晶模板层的该第一自然弛豫的面内晶格参数不同;藉由该第一磊晶结晶层的电化学蚀刻在该第一磊晶结晶层中形成孔隙,以通过在第一磊晶结晶层中和/或在该第一磊晶结晶层和该第二磊晶结晶层之间的界面处的键的塑性变形来实现该第二磊晶结晶层中的应变弛豫;以及形成包含导电材料的一个或多个通道,该一个或多个通道至少穿过该第一磊晶结晶层及该第二磊晶结晶层,从而实现通过该第一磊晶结晶层和该第二磊晶结晶层到该结晶模板层的电连接。
  • 应变弛豫层
  • [发明专利]单片LED阵列及其前体-CN202180040129.3在审
  • 安德烈亚·皮诺斯;萨米尔·迈祖阿里;谭唯欣;约翰·莱尔·怀特曼 - 普列斯半导体有限公司
  • 2021-05-28 - 2023-02-03 - H01L27/15
  • 一种单片LED阵列前体,包括共享第一半导体层的多个LED结构,其中,该第一半导体层限定该LED阵列前体的平面,每个LED结构包括:(i)该第一半导体层上的第二半导体层,具有与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分,该第二半导体层具有垂直于该上表面部分的规则梯形截面,使得该第二半导体层具有倾斜的侧面;(ii)该第二半导体层上的第三半导体层,具有与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分,该第三半导体层具有垂直于该上表面部分的规则梯形截面,使得该第三半导体层具有与该第二半导体层的倾斜的侧面平行的倾斜的侧面;(iii)该第三半导体层上的第四半导体层,具有与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分,该第四半导体层具有垂直于该上表面部分的规则梯形截面,使得该第四半导体层具有与该第三半导体层的倾斜的侧面平行的倾斜的侧面;(iv)该第四半导体层上的初级电接触件,其中,该接触件仅位于该第四半导体层的与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分上;(v)该第四半导体层的倾斜的侧面上的光学透明的电绝缘间隔件,这些间隔件具有面向该第四半导体层的倾斜的侧面的内表面和相反的外表面;以及(vi)反射层,在这些间隔件的外表面上导电延伸,其中,该第三半导体层包括多个量子阱子层,这些量子阱子层在与该LED阵列前体的平面平行的部分上具有更大的厚度,而在不与该LED阵列前体的平面平行的部分上具有减小的厚度。
  • 单片led阵列及其
  • [发明专利]LED背光-CN201980032465.6有效
  • 萨米尔·迈祖阿里;艾哈迈德·玛卡维;基思·斯特里克兰 - 普列斯半导体有限公司
  • 2019-05-15 - 2022-10-21 - H04N9/31
  • 本发明提供了一种与显示面板一起使用的LED背光,该背光包括:单片LED阵列,具有表面并且包括用于从阵列的表面发射光的多个LED;单片准直仪阵列,包括多个准直通道,并且被对准使得准直通道中的每一个与多个LED中的一个或多个对准,其中,准直通道被配置为使从LED发射的发射光准直到与大致垂直于LED阵列的表面的线在约+/‑50°的范围内的角度;微透镜阵列,用于将准直光聚焦到无限远,该微透镜阵列包括多个小透镜,每个小透镜与单片准直仪阵列的准直通道对准;以及中继透镜,用于将来自微透镜阵列的光聚焦在显示面板上。
  • led背光

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