[实用新型]全包封半导体芯片

权利要求书

1.一种全包封半导体芯片，其特征在于，包括：

晶片结构，所述晶片结构底部开设有朝向所述晶片顶部延伸的背面盲孔；

保护层，形成于所述晶片结构外和所述盲孔内，并露出所述晶片结构上植球部的上表面。

2.根据权利要求1所述的全包封半导体芯片，其特征在于，

所述晶片结构包括：

晶片，所述晶片上形成有电极；

钝化层，形成于所述晶片之上，并具有开口部，供所述电极露出；

布线金属层，形成于所述钝化层上，通过所述开口部与所述电极连通；

所述植球部，形成于所述布线金属层上；

所述钝化层和所述布线金属层被所述保护层包裹。

3.根据权利要求2所述的全包封半导体芯片，其特征在于，

所述钝化层具有两层，从下至上依次为第一钝化层和第二钝化层。

4.根据权利要求2所述的全包封半导体芯片，其特征在于，

所述保护层为树脂层。

5.根据权利要求2所述的全包封半导体芯片，其特征在于，

在所述植球部从所述保护层露出的上表面植焊球。

6.根据权利要求1-5任一项所述的全包封半导体芯片，其特征在于，

所述植球部为凸点下金属层。

7.根据权利要求1-5任一项所述的全包封半导体芯片，其特征在于，

所述植球部为铜柱。

8.根据权利要求6所述的全包封半导体芯片，其特征在于，

所述凸点下金属层分为三层，从上到下依次为铜层、钛铜层和钛层。