[发明专利]超薄多层封装体及其制作方法

权利要求书

1.一种超薄多层封装体，其特征是：在基底层（1）的上表面设有芯片层（2），在芯片层（2）的外部填充有包封体（3），在包封体（3）与芯片层（2）的上表面设有正面钝化层（4），在基底层（1）的下表面设有介质层（5），在介质层（5）的下表面设有背面钝化层（6），在正面钝化层（4）内嵌有正面布线（7），在背面钝化层（6）内嵌有背面布线（8），背面布线（8）与正面布线（7）之间通过穿透基底层（1）和包封体（3）的金属柱（9）相连。

2.如权利要求1所述的超薄多层封装体，其特征是：所述芯片层（2）位于金属柱（9）区域外；且所述芯片层（2）为一层芯片或者多层堆叠芯片，堆叠方式为倒装焊或者正面贴装。

3.如权利要求1所述的超薄多层封装体，其特征是：所述基底层（1）材料为硅、玻璃、SiC或者三五族单晶体。

4.如权利要求1所述的超薄多层封装体，其特征是：所述金属柱（9）分布在基底层（1）外周的方形区域或者金属柱（9）在基底层（1）的中心区域或者沿中心往外扩散。

5.如权利要求1所述的超薄多层封装体，其特征是：所述金属柱（9）直径范围为1um~300um，高度范围为10um~750um；所述金属柱（9）的外壁上由内向外依次设有种子层、阻挡层和介质层（5）。

6.如权利要求1所述的超薄多层封装体，其特征是：所述正面布线（7）包含正面钝化层（4）内部的布线层以及其引出的输入输出电性端口；所述背面布线（8）包含背面钝化层（6）内部的布线层以及其引出的输入输出电性端口。

7.一种超薄多层封装体的制作方法，其特征是该制作方法包含以下步骤：

a、从硅基底层（1）的下表面向上开设盲孔；

b、在盲孔内制作介质层、阻挡层和种子层，然后填充金属柱（9）；

c、在金属柱（9）的下端部制作背面布线（8）；

d、从上往下将基底层（1）刻蚀掉，使金属柱（9）露出，金属柱（9）的露出高度大于或者等于芯片层（2）的厚度；

e、将芯片层（2）放置在基底层（1）的上表面及金属柱（9）外的区域；

f、在芯片层（2）的外部填充包封体（3）；

g、研磨使金属柱（9）的上端部和芯片层（2）的电性接口暴露，再在金属柱（9）的上端部制作正面布线（7），连接芯片层（2）的电性接口。

8.如权利要求7所述的一种超薄多层封装体的制作方法，其特征是：步骤d中基底层（1）的减薄量为10~750um。

9.如权利要求7所述的一种超薄多层封装体的制作方法，其特征是：步骤d中，通过机械研磨或者化学机械抛光对金属柱（9）的上端部和芯片层（2）进行打平。

10.如权利要求7所述的一种超薄多层封装体的制作方法，其特征是：步骤f中，包封体（3）通过热压塑封、底填充或者压合胶膜填充在包封体（3）与芯片层（2）的上表面。