[发明专利]衬底处理设备有效
申请号: | 201410563117.0 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN104576446B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 白圣焕;李周薰;金镐岩;金炳秀 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张洋 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 设备 | ||
本发明提供一种衬底处理设备,其能够去除衬底处理空间内的颗粒。衬底处理设备包含:具有衬底处理空间的腔壳,所述衬底处理空间由底壁、上壁,以及将底壁连接到上壁的侧壁界定;经配置衬底平台,所述衬底平台是在衬底处理空间内在第一轴向方向以及与第一轴向方向交叉的第二轴向方向上可移动的;以及下部排气单元,所述下部排气单元经配置以排出存在于衬底平台与腔壳的底壁之间的气体。
技术领域
本发明涉及衬底处理设备,尤其涉及能够去除衬底处理空间内的颗粒的衬底处理设备。
背景技术
在液晶显示器以及太阳能电池的制造中,涉及用于使非晶形多晶薄膜(例如,非晶形多晶硅薄膜)结晶的热处理过程。此处,当使用具有低熔点的衬底时,可以使用激光来使非晶形多晶硅结晶。
特别地,当在薄膜沉积在衬底上之后执行退火时,难以确保在大型衬底上的均匀性。因此,提出了各种替代方案,所述替代方案中的一者是通过使用激光使非晶形多晶硅结晶的退火方法。图1是根据相关技术的激光处理设备的视图。
参考图1,在腔室10中界定了气体入口11a以及出口11b。此外,透明窗口20安置在腔室10的上部末端中。激光照射单元40安置在透明窗口20上方。从激光照射单元40照射的激光束可以穿过透明窗口20,到达安置在所述腔室10内的衬底平台30上的衬底W。
图2A与图2B是图示了从激光照射单元40照射的激光束41的形状的视图。图2A是图示了从上方观察的衬底的视图,并且图2B是衬底的透视图。如图2A与图2B中所示,激光束41可以直线形状照射到衬底W。激光束41可以通过在垂直于激光束41的直线的方向(箭头方向)上水平地移动来照射到衬底W的整个表面上。
此处,其上安放有衬底W的衬底平台30可以沿着直线电机(英文:linear motor,简称:LM)导轨移动。如图3中所示,第二轴向传送支架52可以由空气轴承或机械轴承沿着LM导轨的第一轴向传送支架51移动,并且衬底平台30可以沿着第二轴向传送支架52移动。当第二轴向传送支架52沿着第一轴向传送支架51移动,并且衬底平台30沿着第二轴向传送支架52移动时,由于空气轴承或机械接触,可能产生颗粒。所述颗粒可能在衬底处理过程期间充当污染物。
[现有技术文件]
[专利文件]
(专利文件1)第10-2012-0128136号韩国专利申请案
发明内容
本发明提供能够通过传送衬底平台来去除在衬底平台的下侧中产生的颗粒的衬底处理设备。
本发明还提供能够去除存在于衬底平台的下侧中的颗粒以提高衬底处理过程的质量的衬底处理设备。
根据一个示例性实施例,衬底处理设备包含:具有衬底处理空间的腔壳,所述腔壳由底壁、上壁,以及将底壁连接到上壁的侧壁界定;衬底平台,所述衬底平台经配置以在衬底处理空间内在第一轴向方向以及与第一轴向方向交叉的第二轴向方向上是可移动的;以及下部排气单元,所述下部排气单元经配置以排出存在于衬底平台与腔壳的底壁之间的气体。
下部排气单元可以包含:安置在衬底平台下方的下部排气气体流入本体(lowerexhaust gas inflow body),所述下部排气流入本体与衬底平台一起移动以将流向衬底平台的侧壁的气体引入到衬底平台下方;下部排气流入阻断本体,所述下部排气流入阻断本体连接到下部排气气体流入本体的下部部分以防止将流向衬底平台的侧壁的气体引入到衬底平台下方;以及下部排气通道本体,所述下部排气通道本体经配置以将在衬底平台下方的气体排出到外部。
下部排气气体流入本体可以包含:安置在衬底平台下以与衬底平台一起移动的下部排气上部板;以及下部排气气体流入板,所述下部排气气体流入板连接到下部排气上部板以将在下部排气上部板上流动的气体引入到衬底平台的下侧中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AP系统股份有限公司,未经AP系统股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410563117.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:激光热处理设备
- 下一篇:半导体制造装置用陶瓷加热器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造