[发明专利]提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法

权利要求书

1.一种提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底包含有第一材料层与第二材料层；

在所述半导体衬底上依次形成氧化层与氮化层；

进行第一次刻蚀，在所述氮化层、氧化层、半导体衬底第一材料层和第二材料层上形成第一浅沟道隔离凹槽；

在所述第一浅沟道隔离凹槽中，对所述半导体衬底第二材料层进行第二次刻蚀，形成第二浅沟道隔离凹槽；

在所述第二浅沟道隔离凹槽中填充隔离材料，并进行平坦化处理；

去除所述氮化层，形成浅沟道隔离结构。

2.如权利要求1所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，所述半导体衬底第一材料层与第二材料层的材质不同。

3.如权利要求2所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，所述半导体衬底第一材料层的材质为硅、锗化硅或碳化硅。

4.如权利要求3所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，所述半导体衬底第二材料层的材质为硅、锗化硅或碳化硅。

5.如权利要求4所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，所述锗化硅中锗的摩尔比为0.2～0.45。

6.如权利要求4所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，所述碳化硅中碳的摩尔比为0.05～0.2。

7.如权利要求1所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，所述半导体衬底第一材料层的厚度为20nm～100nm。

8.如权利要求1所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为100～400。

9.如权利要求1所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，所述第一次刻蚀为湿法刻蚀。

10.如权利要求4所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，所述硅或锗化硅的第二次刻蚀为湿法刻蚀。

11.如权利要求10所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，采用氢氟酸对硅进行湿法刻蚀。

12.如权利要求10所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，采用醋酸对锗化硅进行湿法刻蚀。

13.如权利要求4所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，所述碳化硅的第二次刻蚀为干法刻蚀。

14.如权利要求13所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，采用等离子体对碳化硅进行干法刻蚀。

15.如权利要求1至14中任意一项所述的提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，其特征在于，所述氧化层的材质为氧化硅，所述氮化层的材质为氮化硅，所述隔离材料的材质为氧化硅。