[发明专利]实现推回结隔离半导体结构的方法

权利要求书

1.一种实现推回结隔离半导体结构的方法，其特征是：在一个结隔离池中制造硅集成电路的电路元件，组成的某种导电型硅衬底的表面，该硅衬底的表面上有一个导电类型相反的硅外延层，这种导电类型的扩散隔离区从硅外延层到底层延伸，隔离区包围着外延层从而形成了一个电气交界处并且产生了一个导电类型相反的隔离区，扩散的隔离区有这种导电类型的掺杂物，其表面浓度梯度从扩散隔离区的中心到它的边缘不断下降，隔离区的外延层表面有一种导电类型相反的掺杂物，其浓度高于在底部外延层掺杂浓度，也高于隔离区边缘部分附近的掺杂浓度，从而弥补隔离区的边缘部分附近的掺杂浓度，使得边缘部分的导电类型转换为相反的，并且提供了一个与隔离区分离的导电类型相反的增强区。

2.根据权利要求1所述的实现推回结隔离半导体结构的方法，其特征是：上述结隔离池的表面掺杂物浓度延伸了整个外延层区的表面。

3.根据权利要求1所述的实现推回结隔离半导体结构的方法，其特征是：上述结隔离池中导电类型相反的掺杂物表面浓度高于底部外延层的掺杂浓度，并且被限制在隔离区的外延层的外围。