[发明专利]金属‑氧化物‑金属电容器

说明书

技术领域

本发明涉及电路结构，具体地，本发明涉及电容器，诸如以20nm以下工艺制造的那些电容器。

背景技术

被广大消费者需求驱动的电子技术和半导体制造工艺上的快速发展已引起了电子设备在全世界范围的采用。同时，制造工艺持续获得更小尺寸。电子装置的一个基本电路元件是电容器。电容器制造技术上的改进将允许随着制造尺寸持续缩小以精确且稳定的电容值来制造电容器。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种结构体，包括：第一层；第二层，在所述第一层之上并且与所述第一层绝缘；所述第一层包括：第一层金属迹线，根据具有用于所述第一层的第一值的设计参数来定位；所述第二层包括：第二层金属迹线，根据所述第二层的设计参数的第二值来定位，所述第二值不同于所述第一值；并且，其中，所述第二层金属迹线在与所述第一层金属迹线不同的方向上延伸；第一电极，连接所述第一层金属迹线；以及第二电极，连接所述第二层金属迹线。

优选地，所述设计参数包括节距。

优选地，所述设计参数包括金属宽度。

优选地，所述设计参数包括金属间隔。

优选地，所述第一电极、所述第二电极或这二者包括电容器电极。

优选地，所述第二层顺序紧跟所述第一层。

优选地，所述结构体还包括：第三层，在所述第二层之上并且与所述第二层绝缘；第三层金属迹线，也根据所述设计参数的所述第二值来定位；其中：所述第三层金属迹线在与所述第二层金属迹线相同的方向上延伸。

优选地，所述结构体还包括：第四层，在所述第一层的下面并且与所述第一层绝缘；第四层金属迹线，也根据所述设计参数的所述第一值来定位；其中：所述第四层金属迹线在与所述第一层金属迹线相同的方向上延伸。

优选地，所述不同的方向垂直于所述第一层金属迹线。

根据本发明的另一个方面，提供了一种结构体，包括：第一层，包括第一导电迹线，具有满足第一设计规则的第一间隔并且在第一方向上延伸；第二层，垂直于所述第一层设置并且包括：第二导电迹线，被设置成满足第二设计规则并且在与所述第一方向不同的第二方向上延伸，其中，如果所述第一方向与所述第二方向相同，则所述第二设计规则将造成所述第一导电迹线与第二导电迹线之间的未对准。

优选地，所述第二方向垂直于所述第一方向。

优选地，所述第一导电迹线包括交叉的电容器板。

优选地，所述第一导电迹线包括交变极性的交叉的电容器板。

优选地，所述第一导电迹线包括第一极性和第二极性的交叉的电容器板；并且还包括：第一总线，连接所述第一极性的交叉的电容器板；以及第二总线，连接所述第二极性的交叉的电容器板。所述第二导电迹线包括所述第一极性和所述第二极性的交叉的电容器板，并且还包括：第三总线，连接所述第一极性的所述交叉的电容器板；第四总线，连接所述第二极性的所述交叉的电容器板；第一互连线，在所述第一总线与所述第三总线之间；以及第二互联线，在所述第二总线与所述第四总线之间。

根据本发明的又一方面，提供了一种方法，包括：根据设计参数的第一值来制造第一层，所述第一层包括根据所述第一值隔开的第一层金属电容器迹线；根据所述设计参数的第二值来制造第二层，所述第二层包括根据所述第二值隔开并且在与所述第一层金属电容器迹线不同的方向上延伸的第二层金属电容器迹线；以及制造第一极性电极，所述第一极性电极被连接至所述第一层金属电容器迹线和第二层金属电容器迹线中的所选的多个；和制造第二极性电极，所述第二极性电极被连接至所述第一层金属电容器迹线和第二层金属电容器迹线中的所选的多个。

优选地，所述方法还包括：在一系列层中确定所述设计参数从所述第一值改变至所述第二值的特定层；以及当所述第二层为特定层时，制造所述第二层金属电容器迹线以在所述不同的方向上延伸。

优选地，制造所述第二层包括使得所述第二层金属电容器迹线垂直于所述第一层金属电容器迹线延伸。

优选地，制造所述第一层金属电容器迹线和所述第二层金属电容器迹线包括将不同极性的金属迹线交替。

优选地，所述设计参数包括金属化节距。

附图说明

可参照下面的附图和描述来更好地理解本创新。在图中，相同的参考标号在所有不同示图中标示对应的部件。

图1示出了其中设计规则的变化导致在布局中连续制造的半导体层之间的导电迹线未对准的示例性布局。

图2是设计规则以及层与层之间设计规则的变化的实例。