[发明专利]半导体结构的测试方法有效
| 申请号： | 201210440020.1 | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103779249A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 黄品诚;赖顗喆 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 测试 方法 | ||
1.一种半导体结构的测试方法，其包括：
提供至少一具有一中介板及设于该中介板上的一半导体组件的半导体结构；
设置该半导体结构于一具有支撑部的承载件上，令该中介板为该支撑部所支撑；以及
进行测试作业。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，该承载件上具有用以结合该支撑部及半导体组件的绝缘层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，该绝缘层为具高热阻的高分子材质所形成者。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，该支撑部为软性材料所形成者。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，该软性材料为树脂或橡胶材料。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，该支撑部为弹性材料所形成者。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，该弹性材料为海绵。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，该中介板具有连通其表面的多个导电穿孔。
9.根据权利要求8所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，该中介板上具有电性连接该导电穿孔的线路重布结构，且该半导体组件结合并电性连接至该线路重布结构。
10.根据权利要求1或8所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，该中介板为含硅基板。
11.根据权利要求1所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，该测试方法还包括形成定位部于该承载件上。
12.根据权利要求11所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，该定位部为激光刻痕。
13.根据权利要求1所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，于测试作业后，还包括移除该承载件及其支撑部。
14.根据权利要求13所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，于移除该承载件及其支撑部后，还包括结合另一半导体组件于该半导体结构上。
15.根据权利要求14所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，于结合该另一半导体组件后，还包括进行该半导体结构测试，以测试该另一半导体组件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
