[发明专利]发光器件及发光器件封装

说明书

技术领域

本发明实施例涉及一种发光器件、发光器件封装、照明装置以及显示装置。

背景技术

基于氮化镓（GaN）的金属有机化学气相沉积以及分子束生长的发展，已经开发出了能够实现高亮度和白光的红光、绿光和蓝光发光二极管（LED）。

这些LED不包含在诸如白炽灯或荧光灯之类的传统照明装置中使用的对环境有害的物质（例如，汞（Hg）），因而有利地具有优越的生态友好性，寿命长，而且功耗低，因而被用作传统光源的替代物。这些LED的核心竞争因素在于基于具有高效率和高功率的芯片以及封装技术来实现高亮度。

为了实现高亮度，重要的是提高光提取效率。为了提高光提取效率，正在研究使用倒装芯片结构、表面粗化（surface texturing）、图案化蓝宝石衬底（PSS）、光子晶体技术、抗反射层结构等的各种方法。

一般而言，发光器件可以包括：发光结构，包括布置在衬底上的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一电极，用于向第一导电类型半导体层提供第一电力；以及第二电极，用于向第二导电类型半导体层提供第二电力。

发明内容

本发明实施例提供了一种发光效率得到提高而且能够防止电极脱落或损坏的发光器件以及发光器件封装。

在一个实施例中，一种发光器件包括：发光结构，包括多个发光区域，所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一分布式布拉格（bragg）反射层，布置在所述多个发光区域上；第一电极单元，布置在所述多个发光区域中一个发光区域内的所述第一半导体层上；第二电极单元，布置在所述多个发光区域中另一个发光区域内的所述第二半导体层上；层间焊垫，布置在所述多个发光区域中至少又一个发光区域内的所述第二半导体层上；以及至少一个连接电极，布置在所述第一分布式布拉格反射层上，从而使得所述连接电极依序（sequentially）将所述多个发光区域串联连接。

在另一个实施例中，一种发光器件包括：发光结构，包括多个发光区域，所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一分布式布拉格反射层，布置在所述多个发光区域上；第一电极单元，布置在所述多个发光区域中一个发光区域内的所述第一半导体层上；第二电极单元，布置在所述多个发光区域中另一个发光区域内的所述第二半导体层上；层间焊垫，布置在所述多个发光区域中至少又一个发光区域内的所述第一半导体层上；以及至少一个连接电极，布置在所述第一分布式布拉格反射层上，从而使得所述连接电极依序将所述多个发光区域串联连接。

所述连接电极可以将相邻的发光区域中一个发光区域的所述第一半导体层电连接至所述相邻的发光区域中另一个发光区域的所述第二半导体层。

所述第一电极单元和所述第二电极单元中每一个均可以包括用来接收电力的焊垫。

所述层间焊垫可以电连接至布置在同一发光区域内的所述连接电极。在所述同一发光区域内的所述第一分布式布拉格反射层上，所述层间焊垫可以与所述连接电极分开。可替代地，在所述同一发光区域内的所述第一分布式布拉格反射层上，所述层间焊垫可以与所述连接电极结合（integrated）在一起。

所述连接电极可以包括：第一部分，所述第一部分穿过所述第一分布式布拉格反射层并且与所述相邻的发光区域中一个发光区域内的所述第二半导体层接触；以及第二部分，所述第二部分穿过所述第一分布式布拉格反射层、所述第二半导体层和所述有源层，并且与所述相邻的发光区域中另一个发光区域内的所述第一半导体层接触；其中，所述第一分布式布拉格反射层布置在所述第二部分与所述第二半导体层之间以及所述第二部分与所述有源层之间。

所述发光器件还可以包括：衬底，布置在所述发光结构下方；以及导电层，布置在所述发光区域与所述第一分布式布拉格反射层之间。

所述连接电极的所述第二部分可以穿过所述导电层。所述第一分布式布拉格反射层可以布置在所述连接电极与所述导电层之间。

所述发光器件还可以包括：第二分布式布拉格反射层，布置在所述第一分布式布拉格反射层上，所述第二分布式布拉格反射层覆盖所述连接电极。

所述第二分布式布拉格反射层可以暴露出所述第一电极单元、所述第二电极单元和所述层间焊垫。

所述第一分布式布拉格反射层和所述第二分布式布拉格反射层每一个均可以包括绝缘体，并且可以包括交替层叠至少一次的至少一个第一层和至少一个第二层，其中，所述第一层的折射率与所述第二层的折射率不同。

所述第一电极单元可以接收第一电力，并且所述层间焊垫和所述第二电极单元中的至少一个可以接收第二电力。