[发明专利]发光器件及发光器件封装有效
申请号: | 201210421187.3 | 申请日: | 2012-10-29 |
公开(公告)号: | CN103094435B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 朱炫承;洪奇锡;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 张浴月,张志杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 | ||
1.一种发光器件,包括:
发光结构,包括多个发光区域,所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层;
第一分布式布拉格反射层,布置在所述多个发光区域上;
第一电极单元,布置在所述多个发光区域中一个发光区域内的所述第一半导体层上;
第二电极单元,布置在所述多个发光区域中另一个发光区域内的所述第二半导体层上;
层间焊垫,布置在所述多个发光区域中至少又一个发光区域内的所述第一半导体层上或所述第二半导体层上;
至少一个连接电极,布置在所述第一分布式布拉格反射层上,以使所述连接电极依序将所述多个发光区域串联连接;以及
第二分布式布拉格反射层,布置在所述第一分布式布拉格反射层上,所述第二分布式布拉格反射层覆盖所述连接电极。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述连接电极将相邻的发光区域中一个发光区域的所述第一半导体层电连接至所述相邻的发光区域中另一个发光区域的所述第二半导体层。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电极单元和所述第二电极单元中每一个均包括用来接收电力的焊垫。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述层间焊垫电连接至布置在同一发光区域内的所述连接电极。
5.根据权利要求4所述的发光器件,其中,在所述同一发光区域内的所述第一分布式布拉格反射层上,所述层间焊垫与所述连接电极分开。
6.根据权利要求4所述的发光器件,其中,在所述同一发光区域内的所述第一分布式布拉格反射层上,所述层间焊垫与所述连接电极结合在一起。
7.根据权利要求2所述的发光器件,其中,所述连接电极包括第一部分,所述第一部分穿过所述第一分布式布拉格反射层并且与所述相邻的发光区域中一个发光区域内的所述第二半导体层接触。
8.根据权利要求7所述的发光器件,其中,所述连接电极还包括第二部分,所述第二部分穿过所述第一分布式布拉格反射层、所述第二半导体层和所述有源层并且与所述相邻的发光区域中另一个发光区域内的所述第一半导体层接触;
其中,所述第一分布式布拉格反射层布置在所述第二部分与所述第二半导体层之间以及所述第二部分与所述有源层之间。
9.根据权利要求8所述的发光器件,还包括:
衬底,布置在所述发光结构下方;以及
导电层,布置在所述发光区域与所述第一分布式布拉格反射层之间。
10.根据权利要求9所述的发光器件,其中,所述连接电极的所述第二部分穿过所述导电层。
11.根据权利要求10所述的发光器件,其中,所述第一分布式布拉格反射层布置在所述连接电极与所述导电层之间。
12.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第二分布式布拉格反射层暴露出所述第一电极单元、所述第二电极单元和所述层间焊垫。
13.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一分布式布拉格反射层和所述第二分布式布拉格反射层每一个均包括绝缘体,并且包括交替层叠至少一次的至少一个第一层和至少一个第二层,其中,所述第一层的折射率与所述第二层的折射率不同。
14.根据权利要求1所述的发光器件,其中,在所述层间焊垫布置在所述第二半导体层上的情况下,所述第一电极单元接收第一电力,并且所述层间焊垫和所述第二电极单元中的至少一个接收第二电力。
15.根据权利要求1所述的发光器件,其中,在所述层间焊垫布置在所述第一半导体层上的情况下,所述层间焊垫和所述第一电极单元中的至少一个接收第一电力,并且所述第二电极单元接收第二电力。
16.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一分布式布拉格反射层覆盖所述发光区域的上部、侧部和边界。
17.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述连接电极将相邻发光区域中一个发光区域的导电层连接至相邻发光区域中另一个发光区域的第一半导体层。
18.根据权利要求9所述的发光器件,其中,所述导电层布置在所述第二半导体层上。
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