[发明专利]隔离的晶体管和二极管、用于半导体管芯的隔离和终端结构

权利要求书

1.一种隔离的二极管，形成在第一导电类型的半导体衬底中，所述衬底不包括外延层，所述隔离的二极管包括：

与所述第一导电类型相反的第二导电类型的底隔离区域，埋设在所述衬底中；

沟槽，从所述衬底的表面至少延伸到所述底隔离区域，所述沟槽具有由导电材料填充的中心部分以及装衬所述沟槽的壁的电介质材料，所述导电材料提供从所述底隔离区域到所述衬底的表面的电接触，且所述沟槽和所述底隔离区域一起形成所述衬底的隔离袋；以及

阳极区域，为第一导电类型，且在所述隔离袋中，所述阳极区域从所述衬底的表面延伸到所述底隔离区域。

2.如权利要求1所述的隔离的二极管，包括：

电介质层，在所述衬底的表面上方，该电介质层在所述阳极区域上方具有第一开口且在所述导电材料上方具有第二开口；

阳极接触，在所述第一开口中且接触所述阳极区域；以及

阴极接触，在所述第二开口中且接触所述导电材料。

3.如权利要求1所述的隔离的二极管，其中所述阳极区域包括浅部和深部，所述浅部靠近所述衬底的表面，所述深部位于所述浅部之下，所述浅部具有第一掺杂浓度，所述深部具有第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度高于所述第一掺杂浓度。

4.一种隔离结构，形成在第一导电类型的半导体衬底中，该衬底不包括外延层，所述隔离结构包括:

与所述第一导电类型相反的第二导电类型的底隔离区域，埋设在所述衬底中；

沟槽，从所述衬底的表面至少延伸到所述底隔离区域，所述沟槽包括电介质材料，所述沟槽和所述底隔离区域一起形成所述衬底的隔离袋；

保护环，为第一导电类型，在所述隔离袋之外且在所述衬底的表面处，所述保护环的掺杂浓度高于所述衬底的掺杂浓度，

其中所述底隔离区域在朝着所述保护环的方向上延伸超出所述沟槽的外边缘一预定距离。

5.如权利要求4所述的隔离结构，包括在所述保护环下方的第一导电类型的埋设区域，该埋设区域的掺杂浓度高于所述衬底的掺杂浓度。

6.如权利要求4所述的隔离结构，包括在所述隔离袋之外邻近所述衬底的表面和所述沟槽的第二导电类型的漂移区，所述漂移区与所述保护环间隔开。

7.如权利要求6所述的隔离结构，至少包括第二沟槽，所述第二沟槽包括电介质材料并从所述衬底的表面延伸进入所述漂移区，所述第二沟槽的底位于所述漂移区中。

8.如权利要求4所述的隔离结构，包括从所述衬底的表面延伸的第二沟槽，该第二沟槽位于所述第一沟槽与所述保护环之间，且与所述底隔离区域的横向边缘间隔开。