[发明专利]一种具有界面N⁺层的SOI LDMOS半导体器件有效

申请号：	201210261200.3	申请日：	2012-07-26
公开（公告）号：	CN102760753A	公开（公告）日：	2012-10-31
发明（设计）人：	胡盛东;罗俊;谭开洲;徐学良;王健安;秦国林;唐昭焕;陈文锁	申请（专利权）人：	中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L29/78
代理公司：	北京同恒源知识产权代理有限公司 11275	代理人：	赵荣之
地址：	400060***	国省代码：	重庆;85
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摘要：
搜索关键词：	一种具有界面 sup soi ldmos 半导体器件
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【权利要求书】：

1.一种具有界面N⁺层的SOI LDMOS半导体器件，包括衬底硅层、介质埋层和有源顶层硅，所述介质埋层设置于衬底硅层与有源顶层硅之间，其特征在于：所述有源顶层硅包括N型硅层、P型硅层和N⁺硅层，所述N⁺硅层设置于介质埋层上方，所述P型硅层设置于N⁺硅层上方，所述N型硅层设置于P型硅层上方。

2. 根据权利要求1所述的具有界面N⁺层的SOI LDMOS半导体器件，其特征在于：还包括在介质埋层设置的半导体窗口，所述半导体窗口设置于衬底层和有源顶层硅之间。

3. 根据权利要求2所述的具有界面N⁺层的SOI LDMOS半导体器件，其特征在于：所述有源顶层硅还设置有N⁺漏区、N⁺源区和P阱，所述N⁺漏区上方设置有漏电极，所述P阱上方还设置有栅氧化层，所述栅氧化层上方设置有栅电极，所述N⁺源区设置于P阱区域内上方，所述N⁺源区上方设置有源电极。

4. 根据权利要求3所述的具有界面N⁺层的SOI LDMOS半导体器件，其特征在于：所述有源顶层硅中的N型硅层中是采用P-top技术形成的。

5. 根据权利要求4所述的具有界面N⁺层的SOI LDMOS半导体器件，其特征在于：所述有源半导体层为Si、SiC、GaN半导体材料中的一种或多种。

6. 根据权利要求5所述的具有界面N⁺层的SOI LDMOS半导体器件，其特征在于：所述介质埋层为SiO₂和/或Si₃N₄介质。

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