[发明专利]半导体封装件、应用其的堆迭封装件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210259350.0 申请日: 2012-07-18
公开(公告)号: CN102751254A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 颜瀚琦 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L25/00;H01L21/48
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 应用 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,包括:

一芯片元件,具有相对的一第一主动表面与一第二主动表面;

一封装体,包覆该芯片元件,且具有一贯孔;以及

一连接件,经由该贯孔电性连接该芯片元件的该第一主动表面与该第二主动表面并露出于该半导体封装件之外。

2.如权利要求1所述的半导体封装件,更包括:

一重布层,覆盖该连接件。

3.如权利要求1所述的半导体封装件,其中该芯片元件包括:

一第一芯片,具有相对的该第二主动表面与一第一背面;以及

一第二芯片,具有相对的该第一主动表面与一第二背面,该第二芯片以该第二背面连接于该第一芯片的该第一背面。

4.如权利要求1所述的半导体封装件,其中该封装体更具有一开孔,该开孔露出该第一主动表面,该连接件包括:

一第一导电件,形成于该贯孔内;

一第二导电件,形成于该开孔内;以及

一第一导电层,连接该第一导电件与该第二导电件。

5.如权利要求1所述的半导体封装件,其中该封装体露出该芯片元件的该第一主动表面,该连接件包括:

一第一导电件,形成于该贯孔内;以及

一第一导电层,连接该第一导电件与该第一主动表面。

6.如权利要求1所述的半导体封装件,其中该封装体露出该芯片元件的该第二主动表面,该连接件包括:

一第一导电件,形成于该贯孔内;以及

一第二导电层,连接该第一导电件与该第二主动表面。

7.一种堆迭封装件,包括:

一第一半导体封装件及一第二半导体封装件,各包括:

一芯片元件,具有相对的一第一主动表面与一第二主动表面;

一封装体,包覆该芯片元件,且具有一贯孔;及

一连接件,经由该贯孔电性连接该芯片元件的该第一主动表面与该第二主动表面并露出于该第一半导体封装件或该第二半导体封装件之外;

其中,该第二半导体封装件的该芯片元件通过该第二半导体封装件的该连接件及该第一半导体封装件的该连接件电性连接于该第一半导体封装件的该芯片元件。

8.如权利要求7所述的堆迭封装件,其中该第一半导体封装件更包括一重布层覆盖该第一半导体封装件的该连接件,其中该第二半导体封装件的该芯片元件更通过该重布层电性连接于该第一半导体封装件的该芯片元件。

9.如权利要求8所述的堆迭封装件,其中该第一半导体封装件的该芯片元件包括:

一第一芯片,具有相对的该第二主动表面与一第一背面;及

一第二芯片,具有相对的该第一主动表面与一第二背面,该第二芯片以该第二背面连接于该第一芯片的该第一背面;

该第二半导体封装件的该芯片元件包括:

一第三芯片,具有相对的该第二主动表面与一第一背面;及

一第四芯片,具有相对的该第一主动表面与一第二背面,该第四芯片以该第二背面连接于该第三芯片的该第一背面;

其中,该第三芯片与该第四芯片中至少一者通过该第二半导体封装件的该连接件、该第一半导体封装件的该重布层及该第一半导体封装件的该连接件电性连接于该第一芯片与该第二芯片中至少一者。

10.如权利要求7所述的堆迭封装件,更包括:

一中介层基板,设于该第一半导体封装件与该第二半导体封装件之间;

其中,该第二半导体封装件的该芯片元件通过该第二半导体封装件的连接件、该中介层基板及该第一半导体封装件的该连接件电性连接于该第一半导体封装件的该芯片元件。

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