[发明专利]一种可变电容及其制作方法

权利要求书

1.一种可变电容，其特征在于，包括依次排列的高阻GaN层、高迁移率GaN层、AlGaN势垒层和金属层。

2.根据权利要求1所述的可变电容，其特征在于：所述高阻层的厚度为2.0~2.5μm，所述高迁移率层的厚度为150~200nm，所述AlGaN势垒层的厚度为20~30nm。

3.根据权利要求1所述的可变电容，其特征在于：所述金属层包括Ni层和Au层，所述Ni层作为所述AlGaN势垒层和所述Au层的粘合层；其中Ni层厚度为20~50nm，Au层厚度为150~250nm。

4.一种制作可变电容的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）在衬底上生长缓冲层；

2）在所述缓冲层上依次生长高阻GaN层和高迁移率GaN层；

3）在所述高迁移率GaN层上生长AlGaN势垒层；

4）在所述AlGaN势垒层上采用ICP-RIE方法刻蚀隔离岛；

5）在生成所述隔离岛的表面涂光刻胶，进行光刻、曝光并显影，形成肖特基电极图形；

6）在覆盖光刻胶的表面上通过电子束蒸发一金属层，然后将光刻胶剥离，形成可变电容。

5.根据权利要求4所述的制作可变电容的方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底或SiC衬底；所述缓冲层为GaN或AlN。

6.根据权利要求4所述的制作可变电容的方法，其特征在于：所述高阻GaN层的厚度为2.0~2.5μm，所述高迁移率GaN层的厚度为150~200nm；所述AlGaN势垒层的厚度为20~30nm；所述刻蚀的深度为150~200nm。

7.根据权利要求4或6所述的制作可变电容的方法，其特征在于：所述步骤6）先制作Ni层，作为粘合层；然后在所述Ni层上制作Au层；其中Ni层厚度为20~50nm，Au层厚度为150~250nm。

8.根据权利要求4所述的制作可变电容的方法，其特征在于：步骤5）对所述光刻胶进行烘烤，然后进行曝光和显影，所述烘烤的温度为90~100℃，时间为90~100秒；步骤6）采用有机溶剂剥离所述光刻胶，所述有机溶剂包括：丙酮、乙醇。

9.根据权利要求4所述的制作可变电容的方法，其特征在于，在所述高迁移率GaN层和所述AlGaN势垒层之间生长一AlN插入层。

10.根据权利要求4或9所述的制作可变电容的方法，其特征在于，所述生长的方法包括：

金属有机物化学气相淀积、分子束外延、氢化物气相外延。