[发明专利]光器件晶片的分割方法

说明书

技术领域

本发明涉及在蓝宝石等晶体生长用衬底上通过外延生长来形成具有多个光器件的发光层的光器件晶片的分割方法。

背景技术

在激光二极管（LD）或发光二极管（LED）等光器件的制造工艺中，制造如下所述的光器件晶片：在由蓝宝石或SiC等构成的晶体生长用衬底的上面，例如通过外延生长来形成具有多个光器件的发光层（外延层）。

LD、LED等光器件形成在通过以格子状形成的分割预定线划分的各区域上，通过沿着分割预定线分割光器件晶片来实现个片化，从而制造各个光器件。

以往，作为沿着分割预定线分割光器件晶片的方法，公知有如下所述的方法：沿着分割预定线照射对晶片具有吸收性的波长的脉冲激光束来形成激光加工槽，通过对该激光加工槽施加外力来割断光器件晶片（例如，参照日本特开平10-305420号公报）。

另外，还公开有如下所述的方法：将对光器件晶片具有透过性的波长的脉冲激光束，将其聚光点对准到晶片内部来照射，从而在内部形成沿着分割预定线的改质层，通过在该改质层中在强度下降的分割预定线上施加外力来分割光器件晶片（例如，参照日本特开2005-86161号公报）。

另一方面，在日本特开平10-125956号公报及日本特开平10-308532号公报中公开有为了提高光器件的亮度，在光器件芯片的背面侧形成了反射膜的光器件芯片。

【专利文献1】日本特开2005-86161号公报

【专利文献2】日本特开平10-125956号公报

【专利文献3】日本特开平10-308532号公报

当在将激光束的聚光点定位在光器件晶片的内部的状态下从光器件晶片的表面侧照射激光束时，存在如下所述的问题。即、被定位在光器件晶片的内部的激光束的聚光点越接近光器件晶片的背面侧，光器件晶片的表面中的激光束的射束点越大。

因此，为了防止通过激光束的照射而损坏光器件，分割预定线需要充分的宽度，每个光器件晶片的光器件芯片的安装数量减少，生产性恶化。

在光器件晶片中，也存在以提高光器件芯片的亮度为目的在与晶体生长用衬底的外延层之间的界面侧上形成有微细的凹凸的光器件晶片，在这样的光器件晶片中不能从表面侧照射激光束。

另一方面，在从光器件晶片的背面侧照射激光束时，在背面侧形成有反射膜的光器件晶片中存在如下所述的问题：根据反射膜的种类和激光束的波长，照射在光器件晶片的背面的激光束会被反射，不能实施激光加工。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供如下所述的光器件晶片的分割方法，能够从背面侧照射激光束而将在背面侧具有反射膜的光器件晶片分割为各个光器件芯片。

根据本发明，提供光器件晶片的分割方法，该光器件晶片在通过设定在表面上的多个交叉的分割预定线而划分的各区域上分别形成有光器件，并在里面形成有反射膜，该光器件晶片的分割方法的特征在于包括：激光束照射步骤，将激光束的聚光点定位在光器件晶片的内部，并从光器件晶片的里面侧沿着该分割预定线照射激光束，在光器件晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施该激光束照射步骤之后，在光器件晶片上施加外力而沿着该分割预定线分割光器件晶片来形成多个光器件芯片，在该激光束照射步骤中照射在光器件晶片上的激光束的波长相对于该反射膜的透过率为80％以上。

优选的是，在激光束照射步骤中照射在光器件晶片上的激光束的波长在680nm~1mm的范围内。优选的是，反射膜由层叠折射率不同的材料而成的多层膜构成。

本申请的发明人通过专心的研究，发现通过从光器件晶片的里面照射对于激光束的反射膜的反射率小于20％、即对于反射膜的激光束的透过率为80％以上的波长的激光束，从而能够在光器件晶片的内部形成改质层。

基于该发现，根据本发明，从在里面具有反射膜的光器件晶片的里背面侧照射激光束而在内部形成改质层，能够将改质层作为分割起点而将光器件晶片分割为光器件芯片，能够解决不能从里面侧实施激光加工、或生产性恶化等以往的问题点。

附图说明

图1是适合实施本发明的分割方法的激光加工装置的立体图。

图2是光束照射单元的框图。

图3是光器件晶片的表面侧立体图。

图4是在里面具有反射膜的光器件晶片的剖视图。

图5是示出激光束照射步骤的立体图。

图6是说明激光束照射步骤的剖视图。

图7是说明激光束照射步骤的其他实施方式的剖视图。

图8是示出第1实施方式的分割步骤的剖视图。