[发明专利]光器件晶片的分割方法有效
申请号: | 201210147803.0 | 申请日: | 2012-05-10 |
公开(公告)号: | CN102779786A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 上野宽海;星野仁志 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 晶片 分割 方法 | ||
1.一种光器件晶片的分割方法,该光器件晶片在由设定在表面上的多个交叉的分割预定线划分的各区域分别形成有光器件,并在里面形成有反射膜,
该光器件晶片的分割方法的特征在于包括:
激光束照射步骤,将激光束的聚光点定位在光器件晶片的内部,并从光器件晶片的里面侧沿着该分割预定线照射激光束,在光器件晶片的内部形成改质层;以及
分割步骤,在实施该激光束照射步骤之后,在光器件晶片上施加外力而沿着该分割预定线分割光器件晶片来形成多个光器件芯片,
在该激光束照射步骤中,照射在光器件晶片上的激光束的波长相对于该反射膜的透过率为80%以上。
2.根据权利要求1所述的光器件晶片的分割方法,其中,
在该激光束照射步骤中,照射在光器件晶片上的激光束的波长为680nm~1mm。
3.根据权利要求1或2所述的光器件晶片的分割方法,其中,
所述反射膜由层叠折射率不同的材料而成的多层膜构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造