[发明专利]光器件晶片的分割方法有效

专利信息
申请号: 201210147803.0 申请日: 2012-05-10
公开(公告)号: CN102779786A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 上野宽海;星野仁志 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;B23K26/38
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 器件 晶片 分割 方法
【权利要求书】:

1.一种光器件晶片的分割方法,该光器件晶片在由设定在表面上的多个交叉的分割预定线划分的各区域分别形成有光器件,并在里面形成有反射膜,

该光器件晶片的分割方法的特征在于包括:

激光束照射步骤,将激光束的聚光点定位在光器件晶片的内部,并从光器件晶片的里面侧沿着该分割预定线照射激光束,在光器件晶片的内部形成改质层;以及

分割步骤,在实施该激光束照射步骤之后,在光器件晶片上施加外力而沿着该分割预定线分割光器件晶片来形成多个光器件芯片,

在该激光束照射步骤中,照射在光器件晶片上的激光束的波长相对于该反射膜的透过率为80%以上。

2.根据权利要求1所述的光器件晶片的分割方法,其中,

在该激光束照射步骤中,照射在光器件晶片上的激光束的波长为680nm~1mm。

3.根据权利要求1或2所述的光器件晶片的分割方法,其中,

所述反射膜由层叠折射率不同的材料而成的多层膜构成。

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