[发明专利]高压半导体元件

权利要求书

1.一种高压半导体元件，包含有：

基底；

绝缘层，设置于该基底上；以及

硅层，设置于该绝缘层上，该硅层还包含：

至少一第一条状掺杂区，且该至少一第一条状掺杂区包含第一导电型态；

二端点掺杂区，分别设置于该硅层的两端，该至少一第一条状掺杂区在该二端点掺杂区之间延伸并与其电连接，且该二端点掺杂区分别包含该第一导电型态；以及

多个第二条状掺杂区，且与该至少一第一条状掺杂区交错设置，该多个第二条状掺杂区包含第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。

2.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该绝缘层隔离该硅层与该基底。

3.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该绝缘层包含一场氧化层或一浅沟隔离。

4.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该硅层提供一完全空乏区域。

5.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该硅层与一常压金属氧化物半导体晶体管元件或一高压金属氧化物半导体晶体管元件电连接。

6.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该硅层包含多晶硅层或非晶硅层。

7.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该至少一第一条状掺杂区为一个第一条状掺杂区，该多个第二条状掺杂区包围该第一条状掺杂区。

8.如权利要求7所述的高压半导体元件，其中该多个第二条状掺杂区接触该第一条状掺杂区的底部与侧壁。

9.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该至少一第一条状掺杂区与该多个第二条状掺杂区沿一方向延伸。

10.如权利要求9所述的高压半导体元件，其中该方向与电流方向平行。

11.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中该至少一第一条状掺杂区包含第一掺杂浓度，该多个端点掺杂区包含第二掺杂浓度。

12.如权利要求11所述的高压半导体元件，其中该第二掺杂浓度高于该第一掺杂浓度。

13.如权利要求11所述的高压半导体元件，其中该至少一第一条状掺杂区包含多个彼此分隔的第一条状掺杂区，且该多个彼此分隔的第一条状掺杂区与该多个第二条状掺杂区平行。

14.如权利要求13所述的高压半导体元件，其中该多个第二条状掺杂区包围该多个第一条状掺杂区。

15.如权利要求14所述的高压半导体元件，其中该多个第二条状掺杂区接触该多个第一条状掺杂区的底部与侧壁。