[发明专利]半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：

导电基底；

p型半导体层，设置在导电基底上；

活性层，设置在p型半导体层上；

n型半导体层，设置在活性层上；

n侧电极，设置在n型半导体层上并包括掺杂有n型杂质的碳纳米管层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，n侧电极还包括与掺杂有n型杂质的碳纳米管层电连接的欧姆金属层。

3.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中，欧姆金属层形成在碳纳米管层的上表面的中心区域中。

4.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中，欧姆金属层形成在n型半导体层的上表面的部分区域中，并且碳纳米管层形成在n型半导体层的上表面的除了形成有欧姆金属层的部分区域之外的区域上。

5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，碳纳米管层的n型杂质包括氧气和碱金属中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，所述半导体发光装置还包括设置在n型半导体层和n侧电极之间的透光导电层。

7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，所述半导体发光装置还包括设置在碳纳米管层上的钝化层。

8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，钝化层形成为完全覆盖碳纳米管层的上表面。

9.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，n侧电极还包括设置在碳纳米管层上的荧光层。

10.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，碳纳米管层形成为完全覆盖n型半导体层的上表面。

11.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，通过沉积在碳纳米管层上的氧化物层，碳纳米管层掺杂有n型杂质。

12.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其中，氧化物层包括N、P、As、Sb和Bi中的至少一种。

13.一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：

n型半导体层；

活性层和p型半导体层，顺序形成在n型半导体层上；

n侧电极，形成在通过去除p型半导体层和活性层的部分而暴露的n型半导体层上；

p侧电极，形成在p型半导体层上，

其中，n侧电极还包括掺杂有n型杂质的碳纳米管层。

14.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其中，n侧电极还包括与掺杂有n型杂质的碳纳米管层电连接的欧姆金属层。

15.根据权利要求14所述的半导体发光装置，其中，欧姆金属层形成在掺杂有n型杂质的碳纳米管层的上表面的中心区域中。

16.根据权利要求14所述的半导体发光装置，其中，欧姆金属层形成在n型半导体层的上表面的至少一部分区域中，并且碳纳米管层形成在n型半导体层的上表面的除了形成有欧姆金属层的所述至少一部分区域之外的至少一部分区域中。

17.根据权利要求13所述的半导体发光装置，所述半导体发光装置还包括设置在n型半导体层和n侧电极之间的透光导电层。

18.根据权利要求13所述的半导体发光装置，所述n侧电极还包括设置在碳纳米管层上的荧光层。

19.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其中，p侧电极包括掺杂有p型杂质的碳纳米管。

20.根据权利要求19所述的半导体发光装置，其中，p侧电极还包括与掺杂有p型杂质的碳纳米管层电连接的欧姆金属层。

21.根据权利要求20所述的半导体发光装置，其中，欧姆金属层形成在掺杂有p型杂质的碳纳米管层的上表面的中心区域中。

22.根据权利要求20所述的半导体发光装置，其中，欧姆金属层形成在p型半导体层的上表面的至少一部分区域中，并且碳纳米管层形成在p型半导体层的上表面的除了形成有欧姆金属层的所述至少一部分区域之外的至少一部分区域中。

23.根据权利要求19所述的半导体发光装置，所述半导体发光装置还包括设置在p型半导体层和p侧电极之间的透光导电层。