[发明专利]集成电路元件的封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路元件的封装结构及其制造方法，更具体地涉及 晶片级封装结构及其制造方法。

背景技术

一般晶片级封装(wafer level package)是将已制好多个集成电路元件的晶 片透过重布线、介电材料涂布及锡球工艺直接在晶片上完成封装结构。这种 晶片级封装结构仅适用于尺寸较大，输出/输入端较少的集成电路元件。详言 之，由于锡球需要对应到电路板的接点，其间距规范通常不能小于0.25mm， 因此对于尺寸较小而无法提供足够间距的集成电路元件，就无法适用于一般 锡球工艺。

已知已有利用二次封装方式来扩充集成电路元件的可接触面积的作法， 例如将已封装的集成电路元件切割成粒，然后在一颗颗地移植到一块面积较 大的载板上。接着在这块面积较大的载板上进行第二次封装并产生集成电路 元件的接触延伸线进而扩大其可接触面积。这种已知二次封装方式工艺相当 复杂且成本也很高，所以需要一种新颖的集成电路元件封装结构及其制法来 改善已知的上述缺点。

发明内容

有鉴于上述的需求，本发明提供一种适用于较小尺寸的集成电路元件的 晶片级封装结构。

依据一实施例，本发明提供一种集成电路元件的封装结构，包含：一集 成电路元件；一可延伸基板，具有一第一面及相对于该第一面的一第二面， 该第一面承载该集成电路元件，其中该可延伸基板的材料包含硅橡胶、聚亚 酰胺、聚乙烯或聚丙烯；一抗延伸层设置于该第二面上，该抗延伸层以相对 于该可延伸基板张力较强弹性较差的材料制成；及一绝缘层包覆该集成电路 元件。

本发明的一特点在于利用可延伸载板将已切割的晶片其裸芯与裸芯之 间的距离扩大之后再封装，如此将可避免将裸芯一颗颗地移植到另一块面积 较大载板的复杂工艺。

依据一实施例，本发明提供一种封装集成电路元件的方法，包含提供一 晶片，该晶片具多个集成电路元件；提供一可延伸载板，具有一第一面及一 相对于该第一面的第二面，该第一面承载该晶片；切割该晶片以形成多个沟 槽，使该集成电路元件相互隔离；拉伸该可延伸载板以扩大该多个沟槽；及 形成一绝缘层以填充该多个沟槽并覆盖该多个集成电路元件。

本发明的另一特点在于利用贴附在可延伸载板上的抗延伸层来控制可 延伸载板所延伸位置。

依据一实施例，本发明提供一种封装集成电路元件的方法，提供一晶片， 该晶片具多个集成电路元件；提供一可延伸载板，具有一第一面及一相对于 该第一面的第二面，该第一面承载该晶片；形成多个抗延伸层于该第二面上； 切割该晶片以形成多个沟槽，使该集成电路元件相互隔离；拉伸该可延伸载 板以扩大该多个沟槽；及形成一绝缘层以填充该多个沟槽并覆盖该多个集成 电路元件。

本发明的更一特点在于形成至少一通孔及表面导电层于封装好的集成 电路元件上，该通孔及表面导电层可使封装好的集成电路元件于各个不同的 面向都具有对外的接点，由此更加扩大集成电路元件对外接触的可利用面 积。

依据更另一实施例，本发明提供一种封装集成电路元件的方法，包含提 供一晶片，该晶片具多个集成电路元件；形成多个导电凸块于该多个集成电 路元件上；提供一可延伸载板，该可延伸的载板具有一第一面及一相对于该 第一面的第二面，该第一面承载该晶片；形成多个抗延伸层于该第二面上； 切割该晶片以形成多个沟槽，使该集成电路元件相互隔离；拉伸该可延伸载 板以扩大每个沟槽；形成一绝缘层以填充该多个沟槽并覆盖该多个集成电路 元件；形成穿透该绝缘层及该可延伸载板的多个通孔；及形成一表面导体层 以覆盖该通孔的内壁，该表面导体层往外延伸以覆盖该多个导电凸块及该多 个抗延伸层；及去除该表面导体层的一部分以形成一第一线路以连接该多个 导电凸块的顶表面及一第二线路以连接该多个抗延伸层的表面。

附图说明

图1至图12为本发明第一实施例的制作过程的剖面图；

图13为本发明第一实施例所示封装芯片的立体透视图；

图14为本发明第二实施例所示封装芯片的立体透视图；及

图15为本发明第三实施例所示封装芯片的立体透视图。

附图标记说明

100晶片

102集成电路元件

104输出/输入接点

110保护层

200导电凸块

300可延伸载板