[发明专利]集成电路元件的封装结构及其制造方法有效
申请号: | 200810095363.2 | 申请日: | 2008-05-05 |
公开(公告)号: | CN101577233A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 黄禄珍 | 申请(专利权)人: | 相丰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 元件 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装集成电路元件的方法,包含:
提供一晶片,该晶片具多个集成电路元件;
提供一可延伸载板,具有一第一面及相对于该第一面的一第二面,该第 一面承载该晶片;
形成多个抗延伸层于该第二面上;
形成多个沟槽于该晶片,使该集成电路元件相互隔离;
拉伸该可延伸载板以扩大该多个沟槽;及
形成一绝缘层以填充该多个沟槽并覆盖该多个集成电路元件。
2.如权利要求1所述的方法,其中该可延伸载板具有对应该沟槽的一 第一部分及一不对应该沟槽的第二部分,在该拉伸步骤时该第一部分的拉伸 程度大于该第二部分的拉伸程度。
3.如权利要求2所述的方法,其中该多个抗延伸层覆盖该第二部分以 抑制该第二部分在该拉伸步骤时向外延伸。
4.如权利要求1所述的方法,其中在拉伸该可延伸载板之后还包含形 成多个通孔以穿透该绝缘层及该可延伸载板。
5.如权利要求4所述的方法,还包含:
形成多个导电凸块以电连接该多个集成电路元件;及
形成一表面导体层以覆盖多个通孔并形成一第一线路于该多个导电凸 块的顶表面上。
6.如权利要求4所述的方法,还包含:
形成多个导电凸块电连接该多个集成电路元件;及
形成一表面导体层以覆盖多个通孔并形成一第二线路于该多个抗延伸 层的顶表面上。
7.如权利要求1所述的方法,其中形成该绝缘层的步骤还包含:
形成多个导电凸块以电连接该多个集成电路元件;
使该绝缘层覆盖该多个导电凸块;及
去除该绝缘层的一部分以使该多个导电凸块的顶表面露出。
8.如权利要求1所述的方法,还包含切断该可延伸载板以使该多个集 成电路元件互不相连。
9.如权利要求1所述的方法,包含形成一粘着层用以连接该晶片与该 可延伸载板。
10.如权利要求1所述的方法,其中该多个抗延伸层以导电材料制成。
11.如权利要求1所述的方法,还包含:
形成多个导电凸块于该多个集成电路元件上;
形成多个通孔以穿透该绝缘层及该可延伸载板;及
形成一表面导体层以覆盖该通孔的内壁,该表面导体层往外延伸以覆盖 该多个导电凸块及该多个抗延伸层;及
去除该表面导体层的一部分以形成连接该多个导电凸块的顶表面的一 第一线路及连接该多个抗延伸层的顶表面的一第二线路。
12.如权利要求1所述的方法,其中该可延伸载板的材料包含硅橡胶、 聚亚酰胺、聚乙烯或聚丙烯。
13.如权利要求1所述的方法,其中形成该多个沟槽的方法包含利用切 割刀、激光切割、干式蚀刻或湿式蚀刻。
14.如权利要求1所述的方法,其中该绝缘层包含环氧树脂、聚亚酰胺、 苯并环丁烷、液晶高分子、或上述的各种组合。
15.如权利要求4所述的方法,其中形成该多个通孔的方法包含机械钻 孔或激光钻孔。
16.如权利要求5所述的方法,其中该多个导电凸块的材料包含铜、银、 锡或导电高分子。
17.如权利要求9所述的方法,其中该粘着层的材料包含丙烯酸酯、环 氧树脂、聚氨酯、或硅胶。
18.如权利要求11所述的方法,其中形成该第一线路或该第二线路的 方法包含光刻、印刷、电镀或无电镀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造