[发明专利]具有读出放大器的半导体存储设备及其数据读出方法

说明书

相关申请的交叉引用

这个美国非临时专利申请要求于2007年1月8日提交的韩国专利申请No.10-2007-02091的依据35U.S.C.§119的优先权，其整个内容包含在此作为参考。

技术领域

本公开涉及半导体存储设备，并更具体地，涉及具有根据预定时序在锁存类型操作模式上可变的数据总线读出放大器的半导体存储设备。

背景技术

一般来讲，在半导体存储设备中，读出放大器操作来检测和放大在单元阵列中存储的低电平信号，并且将检测和放大的信号传输到数据输出缓冲器中。

典型的半导体存储设备被组成包括单元阵列、行解码器、位线(BL)读出放大器、数据总线(DB)读出放大器、列解码器和控制逻辑块。

从半导体存储设备的单元中读取数据到外部设备(例如，到存储控制器)的过程如下所述。半导体存储设备的行解码器接收行地址并且激活对应于该行地址的字线。BL读出放大器由控制逻辑块启动(enabled)，并然后锁存激活字线的单元数据。列解码器接收列地址并且向DB读出放大器提供与列地址对应的BL读出放大的信息。通过控制逻辑块启动DB读出放大器。DB读出放大器检测和放大BL读出放大的信息，并且将放大的信号输出到数据输出缓冲器中。

当检测和放大BL读出放大的信息时，DB读出放大器以半锁存类型和全锁存类型之一进行操作。

利用半锁存类型，即使输入信号由于噪声而波动，DB读出放大器仍操作以输出正确数据。换句话说，即使一旦检测到错误数据，如果此后再次输入正确数据，则DB读出放大器就会检测并放大重新输入的正确数据并且输出放大的正确数据。因而，半锁存类型的DB读出放大器在改善噪声容限特性方面是有用的。但是半锁存DB读出放大器具有的缺点在于，在电路操作中存在更多的电流消耗，并且输出信号在它的全范围中摆幅较小。这里，“全摆幅”指的是一种状态，即将输出信号放大为施加到读出放大器的电源电压(Vcc)的电平。

利用全锁存类型，DB读出放大器可操作为仅仅具有小的电流耗散(dissipation)，同时将输入信号放大至全电源电平。全锁存类型的DB读出放大器能够以全摆幅操作。但是，当输入信号由于噪声而波动时，全锁存类型的DB读出放大器可能输出错误数据。换句话说，即使在输入错误数据之后再次输入正确数据，全锁存类型的DB读出放大器也不能检测并放大正确数据，而是检测并放大错误数据并且输出放大的错误数据。因此，全锁存类型的DB读出放大器比半锁存类型的DB读出放大器对噪声更敏感。

因此，半锁存类型的DB读出放大器耗散大量电流并具有不充分的全摆幅，而全锁存类型的DB读出放大器对噪声敏感并且可能产生错误数据。

发明内容

本发明的示范实施例旨在想要一种具有能够实施稳定的读出放大功能的DB读出放大器的半导体存储设备、及其数据读出方法。

本发明示例性的实施例旨在想要一种具有耐噪声的DB读出放大器的半导体存储设备、及其数据读出方法。

本发明的示例性实施例包括一种半导体存储设备，该设备包括：存储单元阵列，具有沿行和列排列的存储单元；行解码器，选择多行中的一行并且激活所选择的行；位线读出放大器，检测并放大通过列与选择的行耦接的存储单元的数据；数据总线读出放大器，检测并放大从位线读出放大器中输出的数据；和控制逻辑块，在读操作中启动所述位线和数据总线读出放大器，在预定时间段中以半锁存类型模式操作该数据总线读出放大器，以及在该预定时间段之后以全锁存类型模式操作该数据总线读出放大器。

在这个示例性实施例中，控制逻辑块生成锁存类型选择信号和读出放大器启动信号。

在这个示例性实施例中，响应于读出放大器启动信号的激活，启动该数据总线读出放大器。

在这个示例性实施例中，在从有效时间段开始的预定时间段期间，在读出放大器启动信号的有效时间段中激活锁存类型选择信号。

根据示例性实施例，响应于锁存类型选择信号的激活，数据总线读出放大器操作为半锁存类型。

在这个示例性实施例中，响应于锁存类型选择信号的无效，数据总线读出放大器以全锁存类型操作。

本发明的示例性实施例提供了一种半导体存储设备，该设备包括：存储单元阵列，具有沿行和列排列的存储单元；第一读出放大器，检测并放大通过列与选择的行耦接的存储单元的数据；和第二读出放大器，检测并放大通过数据总线从第一读出放大器输出的数据。第二读出放大器被配置为在第一读出时间段中操作为半锁存类型，并且在第一读出时间段之后的第二读出时间段中操作为全锁存类型。