[发明专利]具有读出放大器的半导体存储设备及其数据读出方法有效
申请号: | 200810092001.8 | 申请日: | 2008-01-08 |
公开(公告)号: | CN101256825A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 韩公钦 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/08 | 分类号: | G11C7/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 读出 放大器 半导体 存储 设备 及其 数据 方法 | ||
1.一种半导体存储设备,包括:
存储单元阵列,包括沿行和列排列的存储单元;
行解码器,选择多行中的一行并且激活所选择的行;
位线读出放大器,检测并放大通过列与选择的行耦接的存储单元的数据;
数据总线读出放大器,检测并放大从位线读出放大器中输出的数据;和
控制逻辑块,在读操作中启动所述位线和数据总线读出放大器,在预定时间段中以半锁存类型模式操作该数据总线读出放大器,以及在该预定时间段之后以全锁存类型模式操作该数据总线读出放大器。
2、如权利要求1所述的半导体存储设备,其中该控制逻辑块生成锁存类型选择信号和读出放大器启动信号。
3、如权利要求2所述的半导体存储设备,其中响应于该读出放大器启动信号的激活,而启动该数据总线读出放大器。
4、如权利要求2所述的半导体存储设备,其中在从该读出放大器启动信号的有效时间段开始的预定时间段期间,在该有效时间段中激活该锁存类型选择信号。
5、如权利要求4所述的半导体存储设备,其中响应于该锁存类型选择信号的激活,该数据总线读出放大器以半锁存类型模式操作。
6、如权利要求4所述的半导体存储设备,其中响应于该锁存类型选择信号的去激活,该数据总线读出放大器以全锁存类型模式操作。
7、一种半导体存储设备,包括:
存储单元阵列,包括沿行和列排列的存储单元;
第一读出放大器,检测并放大通过列与选择的行耦接的存储单元的数据;和
第二读出放大器,检测并放大通过数据总线从该第一读出放大器输出的数据,
其中第二读出放大器被配置为在第一读出时间段中以半锁存类型模式操作,并且在第一读出时间段之后的第二读出时间段中以全锁存类型模式操作。
8、如权利要求7所述的半导体存储设备,其中所述第一和第二读出时间段形成该第二读出放大器的有效时间段。
9、一种半导体存储设备的数据读出方法,该半导体存储设备具有存储单元阵列,该存储单元阵列包括沿行和列排列的存储单元,所述方法包括:
读出和放大通过列与选择的行耦接的存储单元的数据;
在第一读出时间段中,以半锁存类型模式读出和放大从数据总线输出的读出和放大的数据;以及
在第一读出时间段之后的第二读出时间段中,以全锁存类型模式读出和放大半锁存类型模式的读出和放大的数据。
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