[发明专利]一种场效应晶体管源漏电阻的提取方法

摘要

本发明涉及一种场效应晶体管源漏电阻的提取方法，属于半导体器件参数提取领域。该方法先选择相同栅宽W、相同栅长L、不同Halo注入剂量的多个晶体管，将栅端偏置在相同的过驱动电压下，并求得每个晶体管的总电阻；对Halo注入剂量和总电阻进行线性拟合，将拟合曲线外推至Halo注入剂量为0，截距R即为总电阻；再选择相同栅宽W、相同Halo注入剂量N、不同栅长的多个晶体管，将栅端偏置在相同的过驱动电压下，并求得每个晶体管的总电阻；对晶体管的栅长和总电阻进行线性拟合，计算得到拟合曲线的斜率K；对栅宽W、栅长L、Halo注入剂量N的晶体管，根据公式Rsd＝R‑K*L计算得到其源漏电阻Rsd。该方法适用于具有非均匀沟道掺杂的晶体管，且大幅提升源漏电阻提取精度。

主权项

1.一种场效应晶体管源漏电阻的提取方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤1：选择具有相同栅宽W、相同栅长L、不同Halo注入剂量的多个晶体管，将所有晶体管栅端偏置在相同的过驱动电压下，过驱动电压大于0.2V，测量每个晶体管的漏端电流，用漏端电压除以漏端电流得到每个晶体管的总电阻；对晶体管的Halo注入剂量和总电阻进行线性拟合，其中Halo注入剂量为自变量，总电阻为因变量，计算拟合曲线在因变量坐标轴上的截距，将拟合曲线外推至Halo注入剂量为0时，此时的截距R为无Halo注入情况下的总电阻；步骤2：再选择具有相同栅宽W、相同Halo注入剂量N、不同栅长的多个晶体管，将所有晶体管栅端偏置在相同的过驱动电压下，过驱动电压大于0.2V，晶体管漏端偏置电压小于0.15V，测量每个晶体管的漏端电流，用漏端电压除以漏端电流得到每个晶体管的总电阻；对晶体管的栅长和总电阻进行线性拟合，其中栅长为自变量，总电阻为因变量，计算得到拟合曲线的斜率K；步骤3：对栅宽为W、栅长为L、Halo注入剂量为N的晶体管，根据公式Rsd＝R‑K*L计算得到该晶体管的源漏电阻Rsd。