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[发明专利]无引线型半导体封装及其制造方法-CN200410063682.7有效
发明人：田平幸德;田中壮和 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2004-07-16 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种无引线型半导体封装，包括板型安装体(10，60)；至少一个所述安装在板型安装体上的半导体芯片(12F，12S，62F，62S)，由此所述半导体芯片的底面固定到所述板型安装体，所述半导体芯片具有至少一个形成在它的顶面上的电极焊盘该封装还包括电连接到电极焊盘的至少一个平坦电极(SE1，GE1，SE2，GE2，SE，GE)；以及模制树脂包封体(14，64)，完全密封并包封所述半导体芯片。
引线半导体封装及其制造方法

[发明专利]基于组网拓扑的复杂业务编排方法、存储介质及设备-CN202111618794.4有效
发明人：廉作锋 -专利权人：安徽皖通邮电股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H04Q11/00 文献下载
摘要：接入汇聚3900配置EOO业务，将多个VLAN映射到同一个ODU0，环内其他3900做ODU0交叉，环出口3900配置EOO业务，将两个方向过来的ODU0分别解到GE口，此GE口作为NNI接口，与客户180P配置LSP1:1保护，配置PW限速，UNI出GE和3900F互联。3900F配置EOS业务，将VLAN映射到不同的VC，VC‑‑STM‑16‑‑‑ODU1，与MUX开启LMSP 1+1保护。本发明可解决传统网管无法对PO融合设备及业务开通比较难的问题。
基于组网拓扑复杂业务编排方法存储介质设备

[发明专利]提高离子注入机使用周期的锗注入方法-CN201310256817.0无效
发明人：赖朝荣;常明刚;苏俊铭;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明的提高离子注入机使用周期的锗注入方法，包括：将晶圆放入离子注入腔室，对腔室抽真空；向离子注入腔室内通入GeF4和SiH4气体；GeF4和SiH4气体发生分解，分解的Si+、游离的F和游离的H被排出腔室；腔室内分解的Ge+注入到晶圆内；其中，游离的F和游离的H反应生成HF气体，被抽出腔室；腔室内分解的Si+和Ge+进入引出极的磁场，Si+不能通过引出极磁场而被排除，Ge+经磁场发生偏转后注入晶圆内。
提高离子注入使用周期方法

[发明专利]中波和长波红外集成型光纤合束器及其制备方法-CN202210546552.7在审
发明人：杨志勇;田康振;李宇海;杨海波;李森森;黄梓轩;祁思胜;冯宪 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：根长波红外光纤紧密堆积并熔融拉锥而成，包括1个锥形输出端和m+n个分散排布的圆形输入端，其中m≥3、n≥3；中波和长波红外光纤由内向外依次为硫系玻璃纤芯、硫系玻璃内包层和聚合物外包层；中波红外光纤的纤芯材料的化学组成为Ge:Sub>aAsbS1‑a‑b，a＝0～0.1,b＝0.24～0.4，其内包层材料的化学组成为GeAsdS1‑c‑d，c＝0～0.1,d＝0.22～0.39；长波红外光纤的纤芯材料的化学组成为GeeAsfSegTe1‑e‑f‑g，e＝0.1～0.15,f＝0.2～0.3,g＝0.35～0.4，其内包层材料的化学组成为GehAsiSe
中波长波红外集成光纤合束器及其制备方法

[发明专利]二次电池电极材料钼酸锂-CN201310484882.9在审
发明人：马君;王兆翔;陈立泉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种二次电池电极材料钼酸锂，在一个实施方式中，该电极材料的化学式为Li2-xMoyMzO3-u，其中，-2≤x≤2，0＜y≤5，0≤z≤9，-9≤u≤3。M包含选自C、N、F、Na、Mg、Al、Si、P、S、Cl、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Se、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru
二次电池电极材料钼酸

[实用新型]面料-CN201820734981.6有效
发明人：林资富 -专利权人：上海茂腾针织有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： D04B1/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种面料，由36针道的上针盘与36针道的下针筒编织而成，其特征在于，该面料为双层结构组织，采用两种材质制成，即GE锗纤维50D/72F和中空纤维100D/96F；GE锗纤维主要是正面圆点状的组织结构
面料本实用新型中空纤维锗纤维针道接触人体皮肤远红外波长平面结构平面组织双层结构完整循环血液循环影响人体整个组织中空纱线组织结构格子状上针盘突出状下针筒圆点状格子编织散发

[外观设计]床架（F7F9）-CN202030560526.1有效
发明人：徐翀 -专利权人：东莞市诺品家具贸易有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： 06-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：床架（F7F9）。2.本外观设计产品的用途：家具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
床架 f7f9

[发明专利]PMOS器件及其制备方法及计算机-CN201711244556.5在审
发明人：左瑜 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种PMOS器件的制备方法，该制备方法包括：(a)选取Si衬底；(b)在所述Si衬底上制作晶化SiGe层；(c)在所述晶化SiGe层上制作N型应变Ge层；(d)在所述N型应变Ge层表面的第一指定区域制作栅极；(e)在所述应变Ge层的第二指定区域与第三指定区域分别制作源区与漏区；(f)在所述源区与所示漏区表面分别制作源区电极与漏区电极。本发明通过激光再晶化工艺，使外延层发生固相‑液相‑固相的两次相变，通过横向释放高Ge组分SiGe与Si之间的失配位错，可极大提升高Ge组分SiGe/Si外延层的晶体质量，为后续应变锗的生长提供了重要前提
pmos 器件及其制备方法计算机

[发明专利]一种锗的化学机械抛光方法-CN201410345960.1有效
发明人：杨涛;刘金彪;贺晓彬;李俊峰;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该晶圆具有生长完成的锗沟槽，锗沟槽之间为测量隔离区；b.确认锗沟槽与测量隔离区齐平的最低图形密度ρ；c.在晶圆上图形密度小于等于ρ的锗沟槽上涂覆光刻胶；d.对未被光刻胶覆盖的区域进行离子注入处理；e.去除光刻胶；f.本发明在完成外延生长单晶Ge沟槽后，选择性的对高密度图形区的凸起Ge沟道进行离子注入，然后再进行Ge的CMP，提高CMP过程中对高密度去凸出部分的材料移除速率。这样可以避免因图形密度不同而造成Ge材料移除速率的差异，从而改善Ge沟道CMP后的局部均匀性。
一种化学机械抛光方法

[发明专利]一种金属催化生长Ge纳米结构的制备方法-CN202310515164.7在审
发明人：周青伟;汤丹;吴凡;罗芳;郭楚才;朱志宏 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B22F1/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属催化生长Ge纳米结构的制备方法，金属催化剂包括Ag和Au，Ge纳米结构包括Ge纳米晶、Ge纳米棒、Ge纳米线和Ge纳米锥等；包括以下步骤：步骤1：基底的选择与处理，选用Si基片，将Si基底表面残余的SiO2除去；步骤2：Au或Ag催化剂的生长，采用热蒸镀方法将Au或Ag蒸镀在上述清洗后的Si基底上，形成衬底；步骤3：Ge纳米结构的生长，将上述衬底置于CVD生长腔中，抽真空至9×10‑7Torr后，向CVD腔中通入氢气，气体通入的同时持续抽真空，使腔体内气压保持在1Torr后，对衬底进行加热；通入GeHGe纳米结构的形貌、尺寸和分布密度等可控，纯度高，且整个可控生长方法的制备工艺简单。
一种金属催化生长 ge 纳米结构制备方法

[发明专利]用于固体电解质的材料-CN201580084746.8有效
发明人：加藤祐树 -专利权人：丰田自动车欧洲公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明涉及包含元素Li、M、P、S和X的材料，其中M＝Si、Ge或Sn，并且X＝F、Cl、Br或I。该材料可用作硫化物固体电解质材料，特别是用于全固态锂电池。
用于固体电解质材料

[发明专利]荧光体的制造方法-CN201680010827.8有效
发明人：市川真義;近藤良祐;江本秀幸;田中基 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C09K11/61 文献下载
摘要：base:Sub>2MF6：Mn4+(式中，元素A为至少包含K的碱金属元素，元素M为至少包含Si或Ge的选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf中的一种以上的金属元素，F为氟，Mn为锰)所示的复合氟化物荧光体的制造方法，可以得到吸收率、内量子效率、外量子效率高且光学特性优异的荧光体的制造方法。
荧光制造方法

[发明专利]一种大尺寸弯曲不敏感多模光纤预制棒的制造方法-CN201410420024.2有效
发明人：龙胜亚;张磊;黄荣;王润涵;王瑞春 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸弯曲不敏感多模光纤预制棒的制造方法，首先使用纯石英玻璃衬管作为芯棒基底管，使用PCVD或MCVD工艺进行掺杂沉积，形成Ge/F共掺的芯层、Ge/F共掺或掺F的第一内包层、及纯二氧化硅第二内包层的沉积衬管；经沉积、熔缩制成实心芯棒；然后再使用纯石英玻璃衬管作为套管基底管，沉积掺氟的下陷包层；沉积后成为外层为纯二氧化硅玻璃层，内层为F掺杂玻璃层的掺杂套管；最后将实心芯棒套入掺杂套管，制成用于RIT工艺的光纤预制棒
一种尺寸弯曲敏感光纤预制制造方法

[发明专利]在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法-CN200810116412.6无效
发明人：王鹏飞;吴东海;吴兵朋;熊永华;詹峰;黄社松;倪海桥;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-07-09 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： C30B29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理后的Ge衬底在As蒸气环境下暴露一定时间，然后在温度300至650℃范围内在该Ge衬底上生长无反相畴的GaAs薄膜。
衬底生长无反相畴砷化镓薄膜分子外延方法

[发明专利]加热装置及焊料接合完毕对象物的制造方法-CN202080030838.9在审
发明人：竹内奈奈美;白石有沙;小泽直人;铃木隆之 -专利权人：株式会社欧利生
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：供载置对象物(W)，且该载台(13)将腔室(11)的内部空间(C)区分成下方区域(Ce)及上方区域(Cf)；加热部(15)，对载台(13)上的对象物(W)进行加热；以及气体供给装置(18)、(19)，将气体(Ge)、(F)供给到下部区域(Ce)。载台13形成有间隙(D)，该间隙(D)使通过气体供给装置(18)、(19)供给到下部区域(Ce)的气体(Ge)、(F)成为沿着腔室(11)壁面从下方区域(Ce)往上方区域(Cf)移动的流动。制造方法为将对象物(W)提供到腔室(11)内，且供给沿着腔室(11)的壁面从下方区域(Ce)往上方区域(Cf)移动的气体(Ge)，并使对象物(W)的温度上升而进行焊料接合。
加热装置焊料接合完毕对象制造方法