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[发明专利]一种高带宽多模光纤-CN201810344494.3有效
发明人：王润涵;肖武丰;黄荣;王海鹰;汪洪海;王瑞春 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形，分布指数α为2.0～2.3，芯层的半径R1为23～27μm，芯层中心最大相对折射率差Δ1max为0.9％～1.2％，所述的芯层为锗磷氟Ge、P、F三元共掺的二氧化硅玻璃层，芯层中心的P的贡献量ΔP0为0.01％～0.30％，芯层与内包层交界的P的贡献量ΔP1为0.01％～0.30％，芯层中心P含量与芯层边缘保持一致，芯层F作为负掺杂剂，芯层中心到芯层边缘方向，F掺杂量呈递增状，芯层中心的F的贡献量ΔF0为0.0％～‑0.1％，芯层边缘F的贡献量ΔF1为‑0.40％～‑0.20％。
一种带宽光纤

[发明专利]线圈单元、线圈单元的制造方法以及拍摄用光学装置-CN201610530163.X有效
发明人：南泽伸司;柳泽一彦 -专利权人：日本电产三协株式会社
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G03B5/00 文献下载
摘要：线圈单元(35)具有：线圈(26)，其形成为大致长方形的框状；以及线圈保持部件(9)，其保持线圈(26)，在线圈保持部件(9)的外周面形成有线圈(26)的厚度方向上的线圈(26)的一端面所抵接的平面状的抵接面(9f)，且直接卷绕线圈(26)的凸部(9g)以从抵接面(9f)向线圈保持部件(9)的外周侧突出的方式形成。在凸部(9g)的突出方向上的凸部(9g)的前端侧形成有与抵接面(9f)平行的平面状的凸部端面(9k)，抵接面(9f)与凸部端面(9k)之间的距离与线圈(26)的厚度相等。
线圈单元制造方法以及拍摄用光装置

[发明专利]氟碳介质在动力锂离子电池领域中的应用-CN201610939772.0在审
发明人：程思聪;吴永明 -专利权人：厦门兆氟科技有限公司;中国科学院上海有机化学研究所
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01M10/613 文献下载
摘要：氟碳介质为C3H4F4O或C6F12或C6F12O或C4H4F6O或C5H3F9O或C6H4F10O，具体为将氟碳介质C3H4F4O或C6F12或C6F12O或C4H4F6O或C5H3F9O或C6H4F10O装入密封容器中，使C3H4F4O或C6F12或C6F12O或C4H4F6O或C5H3F9O或C6H4F10O浸没锂离子电池即可。
介质动力锂离子电池领域中的应用

[实用新型]一种键盘-CN202221638600.7有效
发明人：李宁宁 -专利权人：济宁大五宝电子科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06F3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种键盘，包括键盘主体和设于所述键盘主体上的按键，所述键盘主体的正面包括按键区和支撑区，所述按键区内F9键设有两个，其中第一F9键设于所述按键区顶部的行中，第二F9键设于所述按键区底部的行中本实用新型的键盘，在按键区的底部设有第二F9键，方便游戏中左手操作F9键，节约游戏按键时间；且键盘底部设有支撑区，用于放置支撑手掌掌根，防止长时间操作键盘掌根无支撑而造成劳累；键盘背面设有可折叠支撑脚和防滑贴
一种键盘

[发明专利]装饰眼科制品的方法及相关眼科制品-CN202180053506.7在审
发明人： M·拉伽斯 -专利权人：巴贝里尼股份公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G02C7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于装饰眼科制品(1)的方法，包括以下步骤：‑提供具有基板(9)的眼科制品(1)，该基板(9)具有旨在定向成朝向用户的视野(5)并且在眼科制品(1)的中心视觉区(35)之外呈现至少一个装饰区(30)的第一外表面(9F)，并且在第一外表面(9F)上具有至少一个维度长度大于或等于1mm的拓扑结构(40)用于形成装饰图案；在所述第一外表面(9F)上沉积折射率与基板(9)的折射率不同的薄层(50)以在第一外表面(9F)的顶部形成干涉镜(52)。
装饰眼科制品方法相关

[发明专利]一种红外LED及其制备方法-CN201710347362.1有效
发明人：冉文方 -专利权人：湛江通用电气有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种红外LED及其制备方法，所述制备方法包括：选取单晶Si衬底；在所述单晶Si衬底上生长Ge外延层；利用激光再晶化工艺处理包括所述单晶Si衬底、所述Ge外延层的整个材料，得到晶化Ge层；对所述晶化Ge层掺杂形成P型晶化Ge层；在所述P型晶化Ge层上生长第一Ge阻挡层；在所述第一Ge阻挡层上生长GeSn层；在所述GeSn层上生长第二Ge阻挡层；在所述第二Ge阻挡层上生长Ge层并掺杂形成N型Ge层；在所述P型晶化Ge层及所述N型Ge层上分别引出电极。
一种红外 led 及其制备方法

[发明专利]Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法-CN201710371220.9有效
发明人：欧欣;张润春;龚谦;游天桂;黄凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法，所述Ge复合衬底的制备方法包括：提供Ge衬底，且所述Ge衬底具有注入面，其中，所述Ge衬底为具有斜切角度的Ge衬底；于所述注入面进行离子注入，以在所述Ge衬底的预设深度处形成缺陷层；提供支撑衬底，将所述Ge衬底与所述支撑衬底键合；沿所述缺陷层剥离部分所述Ge衬底，使所述Ge衬底的一部分转移至所述支撑衬底上，以在所述支撑衬底上形成Ge薄膜，获得Ge复合衬底通过上述方案，解决了在Si基衬底上直接生长III‑V族外延层困难、在Ge衬底上外延生长III‑V族外延层反相畴难抑制以及Ge与Si基材料等集成难的问题。
ge 复合衬底外延结构及其制备方法

[发明专利]智能电表用低角差纳米晶软磁合金磁芯及其制备方法-CN201610356590.0有效
发明人：陈雨峰;朱昭峰 -专利权人：江苏奥玛德新材料科技有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：磁芯的分子式为Fe100‑a‑b‑c‑d‑eSiaBbMcCudNbeM’f，a、b、c、d、e、f为原子百分比，取值范围分别为8≤a≤14，2≤b≤10，0.8≤c≤3，1≤d≤4，0.5≤e≤2，0.02≤f≤0.5余量为铁和不可避免的杂质，其中M为Al或Zn，M’选自Y、Gd、V、Mo、Mn、Ge、Er、Ga、Sn中的一种或几种。
智能电表用低角差纳米晶软磁合金及其制备方法

[发明专利]炸药组合物及其制造方法、以及掺杂杂原子的纳米金刚石的制造方法-CN202080024638.2在审
发明人：间彦智明;牧野有都;鹤井明彦;刘明;西川正浩 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B01J3/08 文献下载
摘要：本发明提供炸药组合物，其包含至少一种炸药、和至少一种杂原子化合物，上述杂原子化合物包含选自B、P、Si、S、Cr、Sn、Al、Ge、Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Ag、Cd、Hg、Ga、In、Tl、As、Sb、Bi、Se、Te、Co、Xe、F、Y及镧系元素中的至少一种杂原子。
炸药组合及其制造方法以及掺杂原子纳米金刚石

[发明专利]Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池及其制备方法-CN201611247544.3在审
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池及其制备方法，其中，所述制备方法包括：选取Si衬底，在所述Si衬底上生长Ge外延层形成Ge/Si衬底；在所述Ge/Si衬底表面形成SiO2氧化层；用激光再晶化工艺使所述Ge外延层晶化并刻蚀所述SiO2氧化层；在所述Ge外延层上制备GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池层；制备接触电极以完成Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备；本发明中所述Ge/Si衬底是由磁控溅射经两步法形成薄的Ge外延层，再用激光再晶化工艺使Ge横向结晶生长，可有效降低Ge/Si衬底的位错密度。同时，Si衬底上Ge薄膜厚度也较前述常见方法更薄，从而更有利于光的透过。因此，通过本发明制备的高质量的Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池将获得更高的光电转化效率。
衬底制备三结太阳能电池外延层晶化激光光电转化效率衬底表面磁控溅射横向结晶接触电极生长两步法刻蚀位错薄膜

[发明专利]旋转电机中的握刷器结构-CN200410001939.6无效
发明人：须具周史 -专利权人：株式会社美姿把
申请日： 2004-01-16 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01R39/38 文献下载
摘要：在形成于锁紧单元(7、8)的锁紧部(7a、8a)的内径侧部位形成通孔(7f、8f)，而另一方面在刷把(9)的铆接片(9d)的内径侧形成突片(9f)的同时，把通孔(7f、8f)的第一孔边缘(7h、8h)部位中的孔宽设制成窄于突片(9d)的板厚，并通过把突片(9d)以硬性嵌入方式配合而形成变形阻止部，在此状态下通过把铆接片(9d)进行铆接，使刷把两脚片(9a)不弹回。
旋转电机中的握刷器结构

[发明专利]猪伪狂犬病变异病毒毒株及其应用-CN202110684706.4在审
发明人：陈义锋;王闯;林峰;陈智韡;杨宏富;刘阳阳;刘志昌 -专利权人：江西正邦科技股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C12N7/01 文献下载
摘要：通过在某猪场PRV病发体中分离的病毒，经PCR鉴定、测序和毒力测试，确认属于PRV强毒，命名为PRV SD2020株，以该毒株为亲本，利用基因编辑技术(CRISPR/CAS9系统)敲除其gI‑gE基因和TK基因，构建了双基因所失株PRV SD2020ΔgI‑gE和三基因缺失株PRV SD2020ΔgI‑gE‑TK。
狂犬病变异病毒及其应用

[发明专利]一种编辑水稻巨胚基因GE培育巨胚粳稻品种的方法-CN202110886392.6有效
发明人：陈平丽;陈友订;刘传光;王毓富;周新桥;陈达刚;郭洁;陈可;李巨昌 -专利权人：广东省农业科学院水稻研究所
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C12N15/84 文献下载
摘要：本发明公开一种编辑水稻巨胚基因GE培育巨胚粳稻品种的方法。本发明通过CRISPR‑Cas9多靶点系统对控制水稻胚大小的GE巨胚基因进行定点编辑，并进行粳稻遗传转化获得巨胚转基因植株，对后代进行转基因插入片段的检测，可以缩短育种周期快速获得多种无转基因片段插入的大小种胚的粳稻品种，每种不一样种胚大小的ge基因型突变株其糙米含有的GABA含量也有差异，并且随着胚的增大
一种编辑水稻基因 ge 培育粳稻品种方法

[实用新型]脊状发光二极管-CN201720544793.2有效
发明人：张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种脊状发光二极管，包括SOI衬底层、晶化Ge层、脊状Ge‑Sn合金层、N型Ge‑Sn合金层、P型Ge‑Sn合金层，其中所述晶化Ge层位于所述SOI衬底层之上；所述脊状Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上中间位置；所述N型Ge‑Sn合金层和P型Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上所述脊状Ge‑Sn合金层两侧。
发光二极管

[发明专利]连接交换机与接入点AP的适配器和网络通信系统-CN201510622423.1有效
发明人：陈培枝;李明纬 -专利权人：北京星网锐捷网络技术有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H04L12/02 文献下载
摘要：所述适配器包括：至少两个千兆以太网接口GE、以及至少一个n GE，其中，n GE包括2.5GE、5GE或10GE，所述适配器的n GE用于与所述交换机的n GE连接；所述适配器的GE用于与所述AP的GE本发明能够使用多个GE的AP，实现多GE的AP与交换机的链接，进而提高AP的上链带宽。
连接交换机接入 ap 适配器网络通信系统