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- [发明专利]半导体存储装置-CN202011118720.X在审
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前嶋洋;柴田升
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东芝存储器株式会社
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2016-07-22
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2021-01-15
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G11C16/08
- 实施方式的半导体存储装置包含可设定为至少4个阈值电压中的任一个阈值电压的第1存储单元(MT)、第1位线(BL)、字线(WL)、及连接于第1位线(BL)的第1感应放大器(SAU)。第1感应放大器(SAU)是在对字线(WL)施加第1电压的第1验证操作中,对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH),在对字线(WL)施加比第1电压高的第2电压的第2验证操作中,不对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH),在对字线(WL)施加比第2电压高的第3电压的第3验证操作中,对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH)。
- 半导体存储装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN201610585571.5有效
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前嶋洋;柴田升
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东芝存储器株式会社
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2016-07-22
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2020-11-06
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G11C16/08
- 实施方式的半导体存储装置包含可设定为至少4个阈值电压中的任一个阈值电压的第1存储单元(MT)、第1位线(BL)、字线(WL)、及连接于第1位线(BL)的第1感应放大器(SAU)。第1感应放大器(SAU)是在对字线(WL)施加第1电压的第1验证操作中,对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH),在对字线(WL)施加比第1电压高的第2电压的第2验证操作中,不对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH),在对字线(WL)施加比第2电压高的第3电压的第3验证操作中,对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH)。
- 半导体存储装置
- [发明专利]剥离装置-CN201610261205.4有效
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川越理史;正司和大;芝藤弥生;增市干雄;上野博之;上野美佳;谷口和隆
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斯克林集团公司
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2014-01-29
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2018-08-07
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B32B38/10
- 本发明的剥离装置,具有:第一保持单元(310),其用于保持第一板状体(BL);剥离开始单元(321),其通过使第一板状体(BL)的一端部向与第二板状体(SB)相反的方向弯曲成柱面状,将第二板状体(SB)中的与第一板状体(BL)紧贴的紧贴区域的局部转变为第一板状体(BL)被剥离的剥离区域,在紧贴区域和剥离区域之间的边界处形成一条且直线状边界线;第二保持单元(122),其用于保持形成有剥离区域的第二板状体(SB);分离单元,其使第一保持单元(310)和第二保持单元(122)之间的间隔增大,来使第一板状体(BL)和第二板状体(SB)分离。
- 剥离装置
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