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[发明专利]新结构碲化银晶体及其制备方法-CN201210150810.6有效
发明人：朱洁;刘青清;靳常青 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种新结构Ag2Te的制备方法，包括如下步骤：1）在常压下制备出单斜相的Ag2Te晶体；2）将单斜相的Ag2Te晶体置于压力为2~10GPa下进行超高压压制，得到正交相的Ag2Te晶体。本发明还公开了一种新结构Ag2Te晶体，该晶体为正交相结构，晶体的空间群为Immm，晶格常数为本发明还公开了一种新结构Ag2Te晶体，该晶体为坍塌的正交相结构，晶体的空间群为Immm，晶格常数为本发明的正交相Ag2Te晶体与常压下制备的Ag2Te晶体结构相比较，其结构紧凑，对称性提高，配位数增加。
结构碲化银晶体及其制备方法

[发明专利]一种荧光Ag2Te纳米晶的制备方法-CN201610114741.1在审
发明人：孙国凤;刘莉丽 -专利权人：苏州影睿光学科技有限公司
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种荧光Ag2Te纳米晶的制备方法。该Ag2Te纳米晶在1350-1620nm的范围内具有连续光致近红外发光谱。该Ag2Te纳米晶的制备方法包括将银源、硫醇在惰性气体保护下加热到90-145℃，将三丁基膦碲注入并充分反应；将混合反应体系冷却后加入极性溶剂，经离心、洗涤得到Ag2Te纳米晶。本发明的Ag2Te纳米晶单分散性好、荧光强度高、稳定性好。
一种荧光 ag2te 纳米制备方法

[发明专利]一种Ag2-CN202110860379.3有效
发明人：庞代文;刘振亚;刘安安 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：一种Ag2Te量子点尺寸调控方法，通过在碲化银量子点溶液中加入三烷基膦来溶解部分小尺寸的量子点，从而供应前体让大尺寸量子点生长。通过三烷基膦的种类、浓度、反应时间、反应温度以及硫醇银的量可以调控这个溶解行为，从而实现多种尺寸的Ag2Te量子点的可控制备。Ag2Te量子点的尺寸能从1.6nm调控到5.9nm，发射波长能从950nm调控到2100nm，且粒径均一，发射半峰窄。基于本方法制备的Ag2Te量子点在生物成像、光电领域具有良好的应用潜力。
一种 ag base sub

[发明专利]Ag2X化合物的静态载荷合成方法-CN201510129800.8有效
发明人：唐新峰;杨东旺;周梦兰;苏贤礼;鄢永高 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明首次公开了一种Ag2X化合物的静态载荷合成方法，它以Ag、X单质为原料，施以静态载荷制备得到Ag2X化合物，其中，X为Se或Te。本发明所制备的化合物Ag2Se、Ag2Te颗粒尺度达到纳米级，且制备时间超短、工艺超简单、对设备要求低、节能环保、适合规模化生产，彻底摒弃了化学法对溶液、物理法对高温条件的限制，为Ag2Se、Ag2Te
ag sub 化合物静态载荷合成方法

[发明专利]用于实现高热电性能的载流子浓度的自调整-CN201180046622.2无效
发明人： G.·杰弗里·斯奈德;裴艳中 -专利权人：加利福尼亚理工学院
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L35/02 文献下载
摘要：发明人在本文中展示均质的掺杂Ag的PbTe/Ag2Te复合物呈现高热电性能（掺杂超过约50%La的复合物），其与PbTe基质中的Ag的随温度而变的溶解度引起的掺杂浓度的固有温度产生的梯度相关联。
用于实现热电性能载流子浓度调整

[发明专利]氰化提金液中游离氰的离子选择电极分析法-CN92109982.7无效
发明人：张东山 -专利权人：沈阳黄金学院
申请日： 1992-10-19 - 公布日： 1994-04-27 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：一种测定氰化提金液中游离氰浓度的离子选择电极分析法，采用Ag2S、Ag2Se或Ag2Te为敏感膜材料。在测量中应加入10-4～10-1M的Ag(CN)2-为膜电位移定剂。
氰化提金液中游离离子选择电极分析

[发明专利]一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法-CN201610018707.4有效
发明人：刘桃香;杜慧真;唐新峰;苏贤礼;鄢永高 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法，结合融熔、退火和放电等离子活化烧结(PAS)技术，具体步骤如下1)按化学式(Ag2Te)1‑x(In2Te3)x中各元素的化学计量比称取Ag丝、In粒和Te块作为原料，其中x＝0.50～0.56；2)将原料混合均匀，并真空密封于石英玻璃管中，然后进行熔融处理，淬火后得到锭体；3)将所得锭体真空密封于石英玻璃管中，进行退火处理；4)将步骤3)所得产物研磨成粉末并置于石墨模具中，进行放电等离子体活化烧结，得块状单相的AgInTe2热电材料。
一种制备性能 aginte sub 热电材料方法

[发明专利]一种Ag₂X薄膜的制备方法-CN201010582546.4无效
发明人：蔡克峰;汪元元;姚熹 -专利权人：同济大学
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于材料化学技术领域，涉及一种Ag2X薄膜的制备方法，其中X为硒或碲。首先将硝酸银和硒或碲的化合物加入盛有溶剂的烧杯中，再加入碱和络合剂，搅拌使其充分溶解，然后加入还原剂，充分溶解后停止搅拌，放入基片用于沉积Ag2X薄膜；恒温反应结束后用去离子水和无水乙醇冲洗薄膜；最后将薄膜干燥本发明反应条件温和，在水溶液中一步合成Ag2Se或Ag2Te薄膜，制备的薄膜平整、致密、均匀。
一种 ag sub 薄膜制备方法

[发明专利]具有纳米棒阵列的碲化银-硫化银薄膜及其制法-CN202011371020.1有效
发明人：曹丽莉;高洪利 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有纳米棒阵列的Ag2Te‑Ag2S柔性热电薄膜及其制备方法，先采用射频磁控溅射工艺在衬底上沉积得到纳米棒阵列Te薄膜，再采用真空蒸镀工艺在所述Te薄膜上沉积Ag膜，使Te与Ag发生反应生成Ag2Te‑Ag复合物膜，最后采用旋转涂膜工艺在Ag2Te‑Ag复合物膜上旋涂S膜，经退火处理后，制得所述Ag2Te‑Ag2S薄膜，具有纳米棒阵列，取向好，质量好，热电性能优异，所述Ag2Te‑Ag2S薄膜的电导率为1×103‑150×10
具有纳米阵列碲化银硫化薄膜及其制法

[发明专利]一种Ag自掺杂的Ag2-CN201811640664.9有效
发明人：葛振华;常毅;冯晶 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及热电材料技术领域，具体公开了一种Ag自掺杂的Ag2Te热电材料的制备方法，包括以下步骤：步骤(1)粉体制备：将Na2Ag‑Ag2Te合金粉末；步骤(2)块体制备：将步骤(1)中得到的Ag‑Ag2Te合金粉末采用放电等离子工艺进行烧结，将Ag‑Ag2Te合金粉末倒入石墨模具中，在温度为400‑500℃，压强为10‑50MPa的条件下，烧结时间为5‑30min，得到Ag自掺杂的Ag2Te材料。采用本专利的技术方案制备得到了Ag自掺杂的Ag2Te热电材料，其热电优值高于纯Ag2Te材料。
一种 ag 掺杂 base sub

[发明专利]一种p型Cu2Te-Ag2Te热电材料及其制备方法-CN202110053422.5有效
发明人：黄丹丹;韩薷墨;王瑶 -专利权人：广西大学
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N10/852 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型Cu2Te‑Ag2Te热电材料，该热电材料的化学式为AgXCu2‑XTe，其中x＝0.1‑0.9。该Cu2Te‑Ag2Te热电材料属于p型热电材料，在Cu2Te合金中掺杂Ag本发明还提供一种p型Cu2Te‑Ag2Te热电材料的制备方法，通过熔铸‑热处理来提高p型Cu2Te‑Ag2Te的热电性能，制备方法工艺简单，操作性强，可重复性高，具有很强的应用前景。
一种 cu2te ag2te 热电材料及其制备方法

[发明专利]一种Ag₂X块体热电材料的超快速合成方法-CN201510747203.1在审
发明人：唐新峰;杨东旺;付婕妃;苏贤礼;鄢永高 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明首次公开了一种Ag₂X块体热电材料的超快速合成方法，它以Ag和X单质为原料，混合均匀后在常温下施以高压，反应和致密化一步完成，制备得到Ag₂X块体热电材料，其中，X为Se或Te。本发明制备的Ag₂Se、Ag₂Te块体致密度均在97％以上，且涉及的制备时间短、工艺简单。所得产物的热电性能优于传统制备方法，所得Ag₂Se的ZT_max＝0.65@107℃，Ag₂Te的ZT_max＝0.7本发明为Ag₂Se和Ag₂Te热电材料的规模化制备和大规模应用奠定了良好的基础。
一种 ag sub 块体热电材料快速合成方法

[发明专利]近红外发光量子点荧光光谱法测定纳米金浓度的方法-CN201410237382.X有效
发明人：覃爱苗;吴秀兰;杜为林;廖雷 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：在含有近红外发光的Ag₂S、Ag₂Se或Ag₂Te量子点的体系中，加入不同体积的待测纳米金，由于待测纳米金使得近红外发光的Ag₂S、Ag₂Se或Ag₂Te量子点的荧光强度产生有规律的变化，通过分析近红外发光的Ag₂S、Ag₂Se或Ag₂Te量子点点荧光强度变化的量来实现对待纳米金浓度的定量检测；近红外发光的Ag₂S、Ag₂Se或Ag₂Te量子点对纳米金的检测范围分别为27.09×10^-6mol/l、3.39-28.79×10^-6mol/l或3.39-16.93×10^-6mol/l；其相关系数（r^2<
红外发光量子荧光光谱测定纳米浓度方法

[发明专利]一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器及其制备方法-CN201210558819.0有效
发明人：缪向水;张金箭;孙华军;王青;徐小华 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器，该忆阻器包括上电极层、下电极层以及位于上下电极层之间的功能材料层，其中所述功能材料层由譬如Ag5In5Sb60Te30、Ag5.5In6.5Sb59Te29、Ag7In3Sb60Te30、Ag3In4Sb76Te17、Ag12.4In3.8Sb55.2Te28.6、Ag3.4In3.7Sb76.4Te16.5、AgSbTe2和AgInTe等分子式结构的硫系合金化合物制成
一种基于 aginsbte 化合物忆阻器及其制备方法

[发明专利]低电阻的热电材料及其制备方法-CN201010584138.2无效
发明人：陈信文;吴欣洁 -专利权人：陈信文
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：热电材料(Thermoelectric materials)是近年来备受重视的能源材料，Ag-Sb-Te材料为具有高潜力之热电材料，尤其是其三元AgSbTe2化合物。热电优值(z＝S2/ρκ)为热电转换效率指标。AgSbTe2化合物为低热传导系数(κp＝0.6WK-1m-1)的p型半导体，但其高电阻性质(ρ＝7.5*10-3Ωcm)限制其应用性。本发明公开了一种低电阻的热电材料及其制备方法，找出Ag-Sb-Te三元系统共晶点，并透过Class I反应：L＝AgSbTe2+Ag2Te+δ制备高机械强度、存在均匀纳米结构之Ag-Sb-Te三元块材合金此具纳米结构的Ag-Sb-Te三元块材合金与三元AgSbTe2化合物不同，具有低电阻性质(ρ＝8.4*10-4Ωcm)。
电阻热电材料及其制备方法

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