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[发明专利]一种取能测温一体化可塑型温度传感器及其制备和温度传感方法-CN202310360000.1在审
发明人：鄢永高;汪江;杨东旺;唐新峰 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种取能测温一体化可塑型温度传感器，它包括下基板及若干间隔设置在其表面的自取能‑温度传感单元；所述自取能‑温度传感单元包括自下而上依次设置的下基板电极、热电粒子、上基板电极和上基板；其中，下基板电极串联各组自取能‑温度传感单元；每个自取能‑温度传感单元中的P型和N型热电粒子平均分组，且各组热电粒子对应的上基板电极之间和上基板之间进行分离设置。本发明利用优化的温差发电器件构建开路电压与温度关系，并结合集成电路模块实现供能和温度感应的集成应用；所得温度传感器具有温度响应快、取能密度高、测温精度高、使用寿命长等特点，在无源物联网、自供能可穿戴设备、电子皮肤等新型产业中具有很好的应用前景。
一种测温一体化可塑温度传感器及其制备温度传感方法

[发明专利]一种适用于批量化制备多晶Bi2-CN202211033187.6有效
发明人：苏贤礼;李强;唐新峰;鲁志强 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于批量化制备多晶Bi2Te3基块体热电材料的方法，将碲化铋基区熔棒材在空气中破碎过筛，得到粒径尺寸不大于210μm的粉末，然后采用冷压成型与无压烧结相结合的工艺，可批量化制备多晶Bi2Te3基块体热电材料。本发明不仅可以提升材料的机械性能，而且可批量化生产热电性能优异的碲化铋基块体材料，为其商业化应用提供新方法。
一种适用于批量制备多晶 bi base sub

[发明专利]一种n型碲化铋基热电材料的制备方法-CN202011227706.3有效
发明人：苏贤礼;陶奇睿;唐新峰;张政楷;鄢永高 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型碲化铋基热电材的制备方法，首先以铋粉、碲粉和硒粉为原料，按Bi2Te3‑xSex，0.1≤x≤0.7的化学计量要求称取各原料；然后进行自蔓延反应、还原退火、等离子体活化烧结、热锻处理得到致密的n型碲化铋基热电材料。本发明首先采用自蔓延燃烧合成技术快速得到Bi2Te3‑xSex粉体，将其进行还原退火后，进行分步热锻制得高取向性的多晶块体热电材料即可显著提升所得产物的热电性能；且涉及的制备方法简单、操作方便，可为高性能n型Bi2Te3‑xSex基热电材料的扩大化生产提供一条全新思路。
一种型碲化铋基热电材料制备方法

[发明专利]一种微型热电器件的封装方法及其封装剂-CN202310119711.X在审
发明人：孙笑晨;唐新峰;唐昊;鄢永高;唐佳杰;吕嘉南 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型热电器件的封装方法，具体步骤为：1)根据微型热电器件的电极基板尺寸和图案设计模具；2)将微型热电器件置于所述模具的凹槽内，使得微型热电器件与凹槽的四周接洽；3)按照聚二甲基硅氧烷与丙烯酸的体积比为1:1～1:5调配封装剂，然后利用注射器将封装剂注入模具与微型热电器件四周的空隙内；4)然后将包括微型热电器件在内的整个模具放入真空腔体中抽真空排除气泡后进行固化；5)将固化后的微型热电器件脱模，得到封装后的微型热电器件。本发明保护了微型热电器件与器件内的热电粒子不受或少受服役环境的影响，为之提供一个良好的工作条件，以使微型热电器件在使用过程中保持正常的工作状态，延长其服役寿命，提高器件的可靠性。
一种微型热电器件封装方法及其

[发明专利]温度传感器及温度检测方法-CN202211567655.8在审
发明人：李振明;鄢永高;刘铭扬;刘伟;尤汉;彭鹏;唐新峰;杨东旺 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司;国网上海市电力公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明属于传感器领域，公开了一种温度传感器及温度检测方法，包括第一基板和第二基板；第一基板的一侧上设置若干第一电极，第二基板的一侧上设置若干第二电极；第一基板和第二基板之间设置若干温度敏感组，温度敏感组包括P型温度敏感半导体热电材料单元和N型温度敏感半导体热电材料单元；各第一电极、各第二电极以及各温度敏感组，重复第一电极、P型温度敏感半导体热电材料单元、第二电极以及N型温度敏感半导体热电材料单元的顺序并依次串联连接形成温度感应单元。通过单温度传感器实现双面温度测试，相较于现有温度传感器需要多通道电路集成以测试双面温度的方式，极大地提升了温度传感器集成度，拓宽了温度传感器的应用场景。
温度传感器温度检测方法

[发明专利]一种基于锚固效应提高n型碲化铋基热电元件金属化连接强度的方法-CN202310082965.9在审
发明人：吕嘉南;唐新峰;鄢永高;唐昊;唐佳杰;孙笑晨 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于锚固效应提高n型Bi2Te3基热电元件金属化连接强度的方法，配置n型Bi2Te3基晶片表面处理剂，成分包括40～50％硫酸(体积)、1～2％硝酸(体积)、余量为水；将洁净的n型Bi2Te3基晶片浸入表面处理剂中进行表面刻蚀；再将经过刻蚀后的n型Bi2Te3基晶片浸入超纯水中进行超声；超声后的n型Bi2Te3基晶片通过电镀或化学镀方式进行金属化连接，镀层金属易与n型Bi2Te3发生锚定效应，其金属化连接强度得到提高；最后进行划片切割，得到较高金属化连接强度的Bi2Te3基热电元件。本发明使得n型Bi2Te3基晶片在电镀前具有较高的表面粗糙度，有利于和镍等镀层金属形成锚固效应，从而获得较高金属化连接强度的Bi2Te3基热电元件，并且对热电元件无任何物理损伤，可以提高产品合格率。
一种基于锚固效应提高型碲化铋基热电元件金属化连接强度方法

[发明专利]一种基于电子-离子混合导体的忆阻器及其制备方法-CN202110760585.7有效
发明人：吴劲松;白辉;唐新峰;苏贤礼;杨东旺;唐昊 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明属于半导体储存相关技术领域，提出了一种基于电子‑离子混合导体的忆阻器及其制备方法。所述忆阻器自下而上包括衬底、底电极、阻变层及顶电极；所述阻变层为电子‑离子混合导体，具体为Cu2Se、Cu2S、Cu2Te、Ag2Se、Ag2S、Ag2Te、Zn4Sb3、AgCrSe2、CuCrSe2、Ag8MX6(M=Sn,Ge,Si;X=Te,Se,S)、Ag9AlSe6、Ag9GaSe6中的一种。所述阻变层在外加电压作用下会发生取向畴的可逆转变，从而使所述忆阻器的电阻发生高低阻态的切换。本发明提出了该忆阻器的制备方法，所述制备方法选用真空蒸镀、磁控溅射、激光脉冲沉积或电子束蒸发中的一种。本发明丰富了忆阻器的种类，在存储器和仿生物突触领域具有巨大的应用潜力。
一种基于电子离子混合导体忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种P型Cu2Se基热电元件及其一体化制备工艺-CN202010783243.2有效
发明人：鄢永高;董铱斐;唐新峰;唐昊;陈诗怡 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H10N10/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型Cu2Se基热电元件及其制备方法，在热端的电极和热电材料之间设置Ni层和Al‑Mo伪合金层相邻共同构成的双过渡层；而在冷端的电极和热电材料之间采用单过渡层Ni。该P型Cu2Se基热电元件的结构从热端到冷端依次为：第一焊接过渡层Ni、过渡层伪合金、Cu2Se层和第二焊接过渡层Ni。本发明通过在热端设置双过渡层，在解决可焊性的基础上阻止高温下Cu2Se与焊接过渡层Ni直接接触而发生反应使器件性能劣化。并且,本发明采用一步烧结法在炉内完成过渡层伪合金的合成，以及Cu2Se材料致密化，同时实现整个热电元件的连接，该工艺大大提高了制备效率，节约了资源，同时增强了界面结合性能。
一种 cu2se 热电元件及其一体化制备工艺

[发明专利]一种提升p型多晶碲化铋材料性能的方法以及制备方法-CN202110416436.9有效
发明人： 唐新峰;张政楷;苏贤礼;陶奇睿;唐昊 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升p型多晶碲化铋材料性能的方法，将p型多晶Bi2Te3化合物粉体置于非氧气气氛中放置一段时间，驱离粉体表面吸附的氧气，然后再进行放电等离子烧结，从而得到高性能p型多晶Bi2Te3热电材料。本发明通过复原材料在破碎过程中产生的缺陷，避免氧元素与材料反应降低载流子浓度，得到具有较高电导率与热电优值的p型多晶碲化铋材料。
一种提升多晶碲化铋材料性能方法以及制备

[实用新型]一种利用人体体温和环境温差发电的可穿戴装置-CN202221836548.6有效
发明人：唐昊;唐新峰;唐佳杰;鄢永高;孙笑晨;吕嘉南 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：一种利用人体体温和环境温差发电的可穿戴装置，涉及热电转换领域。该利用人体体温和环境温差发电的可穿戴装置包括多个片状的热电单元及至少一根柔性的连接线，连接线用于将各个热电单元连接形成可穿戴于人体的环形结构；热电单元包括热电器件、固定于热电器件朝向人体一侧的集热器及固定于热电器件远离人体一侧的散热器，相邻两个热电单元的热电器件之间电连接。本申请提供的利用人体体温和环境温差发电的可穿戴装置能够收集人体散发热量转化成电能使用，从而方便使用者获得能持续驱动mW级别用电器的电能。
一种利用人体体温环境温差发电穿戴装置

[发明专利]一种消除PbTe基热电材料中阳离子空位的方法-CN202111669625.3有效
发明人：苏贤礼;汪聪;唐新峰;陶奇睿;訾鹏;任培安 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明提出一种消除PbTe基热电材料中阳离子空位的方法，以单质铅、碲和铋为原料，真空密封后进行熔融反应，然后淬火、退火，得到锭体材料；然后于保护气氛下研磨成粉体，再进行等离子体活化烧结，得到消除阳离子空位的PbTe基热电材料。本发明揭示了n型PbTe基化合物中阳离子空位缺陷的形成机制，提出了阳离子空位形成的反应方程式；并在此基础上提出了消除n型PbTe基热电材料中阳离子空位缺陷的解决方案，对开发高性能n型PbTe基材料提供了新的思路。
一种消除 pbte 热电材料中阳离子空位方法

[发明专利]一种基于温差电制冷技术降低空调能耗的方法-CN202210797955.9在审
发明人：唐昊;唐新峰;唐佳杰;鄢永高;胡凯;杨东旺;孙笑晨;吕嘉南;刘雨天;邢玉冰 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： F24F5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于温差电制冷技术降低空调能耗的方法，包括以下步骤：S1、将热电制冷器件添加在空调核心功率半导体器件和散热翅片之间，强制将热量由功率器件传导至散热翅片；S2、可根据实际通过控制热电制冷器件的功率，进而控制热电制冷器件的制冷量。本发明相比于功率器件与散热翅片间自然传热，使用温差电制冷技术强制换热能使功率器件保持在更低的温度，避免由于其温度过高而降频；能够提高散热翅片的温度，降低风冷所需功耗，实现节能。
一种基于温差制冷技术降低空调能耗方法

[发明专利]一种自催化低温快速合成Cu2-CN201811454192.8有效
发明人： 唐新峰;杨东旺;黎俊;张敏;柳伟;鄢永高 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明首次开发了一种自催化低温快速合成Cu2Se基热电材料的方法，它以Cu粉和Se粉为原料，利用过量Cu的自催化作用，使按化学计量比Cu2(1+x)Se(x＞0)混合后的粉体在130℃以上低温进行短时间处理即可得到Cu2Se基单相化合物；且所得化合物粉体在室温下进行简单冷压可得到高致密度块材，并表现出优异的热电性能。本发明涉及的原料价格低廉，工艺超简单、制备时间超短，可为Cu2Se热电材料的制备和大规模应用奠定良好的基础。
一种催化低温快速合成 cu base sub

[发明专利]一种n型碲化铋基热电材料的表面处理剂及方法-CN202011238922.8有效
发明人： 唐新峰;唐昊;鄢永高;苏贤礼 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型碲化铋基热电材料的表面处理剂，包括粗化液和除灰液两部分；所述粗化液的组成按体积百分比计包括：5～20％磷酸、5～30％硝酸、5～50％冰乙酸、5～20％硫酸、余量为水；所述除灰液包括溶剂和溶质，溶剂按体积百分比计包括：5～20％硝酸、5～20％盐酸、余量的水，溶质为溴酸钾，浓度为1～10g/L。该表面处理剂在使用时，粗化液和除灰液配合使用，洁净的n型碲化铋基晶片先浸入粗化液中，再浸入除灰液中，即可完成预处理，后续直接通过电镀或化学镀方式进行金属化连接。本发明提出的n型碲化铋基热电材料的表面处理剂和方法，使得n型碲化铋基晶片在电镀前具有较高的表面活性，有利于获得较高的镀层结合强度，且对晶片无任何物理损伤，提高产品合格率。
一种型碲化铋基热电材料表面处理方法

[发明专利]应用于热电器件的p型碲化铋基材料的表面处理剂及方法-CN202011239999.7有效
发明人： 唐新峰;唐昊;鄢永高;张政楷;苏贤礼 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型碲化铋基材料的表面处理剂，包括粗化液和除灰液两部分；所述粗化液的组成按体积百分比计包括：5～50％盐酸、5～40％双氧水、5～10％硝酸、余量为水；所述除灰液的组成按体积百分比计包括：5～50％氢氟酸、5～20％盐酸、5～10％硝酸、余量为水。该表面处理剂在使用时，粗化液和除灰液配合使用，洁净的p型碲化铋基晶片先浸入粗化液中，再浸入除灰液中，即可完成预处理，后续直接通过电镀或化学镀方式进行金属化连接。本发明提出的p型碲化铋基材料的表面处理剂及方法，避免了传统喷砂‑电弧喷涂处理较薄p型碲化铋基晶片时，容易导致晶片破损的问题，同时可以减少生产环节，提高成品率及生产效率，降低生产成本。
应用于热电器件型碲化铋基材表面处理方法

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