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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高电压和高电流电源插座-CN201380075171.4在审
发明人：丹尼尔·J·罗尔;程伟成 -专利权人：施耐德电气IT公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01H9/16 文献下载
摘要：根据一个方面，本文的实施方式提供包含电源插座的配电设备，电源插座包括：插孔，插孔包含内部导体，内部导体被配置成被耦合到电源并被耦合到插入插孔内的外部导体；开关，开关被配置成提供外部导体是否已经充分插入插孔内的指示；继电器，其被配置成形成在外部导体和电源之间的第一连接；晶体管，其被配置成与继电器并联耦合以形成在外部导体和电源之间的第二连接；以及控制器，其被配置成基于开关来确定外部导体被移除，响应于外部导体被移除，控制继电器切断第一连接，以及响应于断开继电器，控制晶体管在预定延迟之后切断第二连接。
电压电流电源插座

[发明专利]高电压连接件和用于制造高电压连接件的方法-CN201710061769.8在审
发明人：福尔克尔·舍尔布 -专利权人：特萨特-航天通讯有限责任两合公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01R31/06 文献下载
摘要：本发明涉及行波管(3)的第一线路(2)与用于行波管(3)的电压供应单元(5)的第二线路(4)之间的高电压连接件(1)。高电压连接件(1)包括插塞(6)，所述插塞(6)通过压接连接件(8)连接至第一线路(2)或第二线路(4)的端部(7)；以及插槽(9)，所述插槽(9)通过压接连接件(11)连接至另一线路(2,4)的端部(此外，本发明涉及一种用于制造高电压连接件(1)的方法。
电压连接用于制造方法

[发明专利]集成芯片、高电压器件及形成高电压晶体管器件的方法-CN201910982784.5在审
发明人：何嘉政;卢卉庭;王培伦;钟于彰;周君冠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种包括设置在漂移区之上的场板的集成芯片。第一栅极电极在源极区与漏极区之间上覆在衬底上。刻蚀终止层在侧向上从第一栅极电极的外侧壁延伸到漏极区。刻蚀终止层上覆在设置在源极区与漏极区之间的漂移区上。场板设置在上覆在衬底上的第一层间介电(ILD)层内。场板上覆在漂移区上。场板的顶表面与第一栅极电极的顶表面对准，且场板的底表面垂直地位于第一栅极电极的底表面上方。场板及第一栅极电极分别包含金属材料。
集成芯片电压器件形成晶体管方法

[发明专利]包括高电压产生电路的半导体器件及产生高电压的方法-CN200710004441.9有效
发明人：边大锡;蔡东赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-22 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器件，所述器件包括第一泵时钟产生器，配置用于基于电源电压产生第一泵时钟信号。所述器件还包括第一电荷泵，配置用于响应于第一泵时钟信号产生第一泵输出电压。所述器件还包括第二泵时钟产生器，配置用于基于第一泵输出电压产生第二泵时钟信号。所述器件还包括第二电荷泵，配置用于响应于第二泵时钟信号产生第二泵输出电压。
包括电压产生电路半导体器件方法

[发明专利]包括高电压产生电路的半导体器件及产生高电压的方法-CN200710004056.4有效
发明人：边大锡;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器件，所述器件包括第一泵时钟产生器，配置用于基于第一电源电压产生第一泵时钟信号。所述器件还包括第一电荷泵，配置用于响应于第一泵时钟信号产生第一泵输出电压。所述器件还包括第二泵时钟产生器，配置用于基于第一泵输出电压产生第二泵时钟信号。所述器件还包括第二电荷泵，配置用于响应于第二泵时钟信号产生第二泵输出电压。所述器件还包括第三泵时钟产生器，配置用于基于第一电源电压产生第三泵时钟信号。所述器件还包括第三电荷泵，配置用于响应于第三泵时钟信号产生第三泵输出电压。
包括电压产生电路半导体器件方法

[发明专利]高电压发生装置及具备高电压发生装置的X射线拍摄装置-CN201480062683.1在审
发明人：小川美奈;高野博司 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H05G1/08 文献下载
摘要：为了提供具有在维持二次绕组与铁芯之间的绝缘的同时小型化的高电压变压器的高电压发生装置，高电压发生装置具有：高电压变压器，其具有一次绕组、二次绕组和铁芯；高电压整流器，其将从所述高电压变压器输出的交流电压整流为直流电压
电压发生装置具备射线拍摄

[发明专利]用于在非易失性存储器器件中产生提升电压的电路-CN200610083682.2无效
发明人：郑象和 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-06-02 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种用于产生提升电压的电路，其中可以减少脉动。该电路包括：高电压传送开关；高电压开关单元，其响应于时钟信号泵浦高电压并且开关该高电压传送开关；高电压开关控制器，其比较通过对高电压传送开关的输出信号进行分压而产生的反馈电压与可变参考电压，使用该比较结果和时钟信号产生内部时钟信号，并且控制高电压传送开关的开关以响应于该比较结果；以及提升电压产生器，其泵浦该高电压以响应于该内部时钟信号和多个提升参考电压，并且产生内部提升电压。该高电压传送开关输出该内部提升电压以响应于该高电压开关单元的输出信号。
用于非易失性存储器器件产生提升电压电路

[发明专利]高电压开漏极静电放电(ESD)保护装置-CN201410078294.X有效
发明人：彭政杰;陈志豪;姜信钦 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明是揭露一种高电压开漏极静电放电(ESD)保护装置，包含一第一高电压N通道金氧半场效晶体管(HV NMOSFET)，其是连接一高电压焊垫与一低电压端，并接收高电压焊垫的高电压以正常运作。高电压焊垫与第一高电压N通道金氧半场效晶体管更连接一高电压静电放电(ESD)保护单元，其在正常操作下并不影响正常电路功能，但是，在高电压焊垫发生静电放电事件时，可以在接收高电压焊垫的静电放电电压后，有效率地释放此静电放电事件的静电放电电流高电压静电放电保护单元与低电压端连接一电压箝位单元，其是经由高电压静电放电保护单元接收静电放电电压，以释放宣泄静电放电电流。
电压开漏极静电放电 esd 保护装置

[其他]高电压合成绝缘子-CN85101712无效
发明人：黄齐嵩;欧阳民康;华南屏;郭慎远;粟福珩;姚立宁;涂胜金;郭小清 -专利权人：武汉水利电力学院;湖北化学研究所
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1988-06-29 - 主分类号： H01B17/02 文献下载
摘要：一种由伞盘，棒心和金属端头三部分组成的高电压合成绝缘子。
电压合成绝缘子

[发明专利]高电压热插拔采样电路-CN201310174555.3在审
发明人：徐以锋 -专利权人：苏州工业园区新宏博通讯科技有限公司
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电压热插拔采样电路，包括串联在一起的第一高压端、分压电阻、稳压管及第二高压端，所述高电压热插拔采样电路还包括并联在所述稳压管两端的采集卡电路，该采集卡电路包括一采样电阻，所述稳压管设置的嵌位电压大于分压电阻
电压热插拔采样电路

[发明专利]高电压MiM电容器-CN201410431337.8在审
发明人：陈轶群;陈宗高;王海强;蒲贤勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提出了一种高电压MiM电容器，包括：第一金属极板，置于所述高电压MiM电容器的底部作为其第一下极板；第二金属极板，置于所述高电压MiM电容器的顶部作为其第二下极板；第三金属极板，设置于所述第一和第二金属极板之间，作为所述高电压MiM电容器的上极板；以及电介质层，填充于所述第一金属极板和所述第三金属极板之间以及所述第二金属极板和所述第三金属极板之间。该MiM电容器结构可以支持高电压应用同时增强MiM电容器密度。
电压 mim 电容器

[发明专利]高电压耐压试验接线架-CN201410149813.7在审
发明人：程立;高磊;尚文臣;李建华;孟晓光;张志鹏;王健;许天酬 -专利权人：国家电网公司;国网河北省电力公司;国网河北省电力公司保定供电分公司
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电压耐压试验接线架，它涉及高电压耐压试验技术领域。
电压耐压试验接线

[发明专利]高电压固态放大器-CN201310750264.4在审
发明人：刘银修;谢勇 -专利权人：北京长峰广播通讯设备有限责任公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电压固态放大器。其中，该高电压固态放大器包括：IXYS公司的IXZ2210型号的MOS晶体管；其中，所述MOS晶体管在工作频率为67.8MHz、150V直流供电的条件下，脉冲输出功率≥960W；漏极供电电压为150Vdc本发明提供了一种高电压固态放大技术，在选用功率放大器的晶体管选型上，选用了IXYS公司的IXZ2210型号的MOS管，并依该MOS管展开固态功率放大的设计和研究。
电压固态放大器

[发明专利]高电压真空绝缘穿墙套管-CN201710559217.X在审
发明人：朱建新 -专利权人：沈阳世杰电器有限公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H02G3/22 文献下载
摘要：本发明是一种高电压真空绝缘穿墙套管，它包括有包括保温墙，设置在保温墙体内的电蓄热系统，以及与电源相连接并穿过保温墙体且与电蓄热系统相连接的电极，其技术要点是在穿过保温墙体的电极上依次套装有内套管和外套管本发明的有益效果是，该35kV至220kV电压等级的真空绝缘穿墙套管，实现了安装在高温区部分和安装在低温区部分是结构相同的同一整体。
电压真空绝缘穿墙套管

[发明专利]高电压晶体管装置-CN201710367658.X在审
发明人： S·H·博多;宽特·葛斯荷夫;朱尔根·法尔;彼特·杰瓦卡 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及高电压晶体管装置，其提供一种半导体装置，包含绝缘体上覆硅(SOI)基材，该SOI基材包含半导体主体基材、形成于该半导体主体基材上的埋置型氧化物层、以及形成于该埋置型氧化物层上的半导体层；以及晶体管装置
电压晶体管装置

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