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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器装置及操作该存储器装置的方法-CN202010776080.5有效
发明人：尹美善;蔡东赫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：存储器装置及操作该存储器装置的方法。本文提供一种存储器装置及操作该存储器装置的方法。存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；页缓冲器，其通过相应的位线联接至存储器单元阵列；以及控制逻辑，其被配置为进行控制，使得在读取操作期间，感测存储器单元阵列中存储的数据并将其存储在页缓冲器中，以及将存储在页缓冲器中的数据输出到外部装置，其中，响应于从外部装置接收到的读取命令，控制逻辑控制在感测数据之后要执行放电操作的时间点以及要执行每个页缓冲器中包括的锁存器之间的数据传输操作的时间点。
存储器装置操作方法

[外观设计]前格栅-CN202230599703.6有效
发明人：郝祝鹏;蔡东赫;李虹;张红伟;王景程;李亚斌;闫慧;崔晓梦 -专利权人：北京现代汽车有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：前格栅。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于汽车的前格栅。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
格栅

[外观设计]中控盖板-CN202230824166.0有效
发明人：崔晓梦;蔡东赫;郝祝鹏;褚中苇;张红伟 -专利权人：北京现代汽车有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：中控盖板。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作汽车中控区的盖板。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
盖板

[外观设计]前保险杠-CN202230599704.0有效
发明人：崔晓梦;蔡东赫;李虹;张红伟;王景程;李亚斌;闫慧;郝祝鹏 -专利权人：北京现代汽车有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：前保险杠。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于汽车的前保险杠。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
保险杠

[外观设计]下进气格栅-CN202230599713.X有效
发明人：闫慧;蔡东赫;李虹;张红伟;王景程;李亚斌;郝祝鹏;崔晓梦 -专利权人：北京现代汽车有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：下进气格栅。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于汽车的下进气格栅。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
下进气格栅

[发明专利]三维半导体装置-CN202210016875.5在审
发明人：吴星来;朴商佑;蔡东赫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：一种三维半导体装置可以包括：第一单元区、第二单元区以及设置在第一单元区和第二单元区之间的通孔插塞区；字线层叠体，其设置于第一单元区、通孔插塞区和第二单元区中，字线层叠体包括交替层叠的多条字线及多个层间绝缘层；以及多个通孔插塞，其通过垂直贯穿通孔插塞区中的字线层叠体而分别排它地连接至多条字线。从顶视图看，通孔插塞可以在行方向上具有Z字图案的布置。通孔插塞的直径可以在行方向上增加。
三维半导体装置

[发明专利]具有垂直结构的存储器装置-CN202110489359.X在审
发明人：吴星来;朴商佑;蔡东赫;金基洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：一种具有垂直结构的存储器装置包括：存储器单元阵列，其限定在单元晶圆中并且具有布置在其内的在第一方向上延伸的多条字线和在第二方向上延伸的多条位线；以及逻辑电路，其被配置为控制存储器单元阵列，并且包括页缓冲器低压电路、页缓冲器高压电路、行解码器电路和外围电路，其中，页缓冲器低压电路设置于在垂直方向上与单元晶圆交叠的第一外围晶圆中，并且其中，页缓冲器高压电路、行解码器电路和外围电路设置于在垂直方向上与单元晶圆和第一外围晶圆交叠的第二外围晶圆中。
具有垂直结构存储器装置

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN201810001997.0有效
发明人：朴熙中;姜垌承;辛源哲;蔡东赫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：存储装置及其操作方法。一种存储装置包括：多个存储单元；多条位线，多条位线连接到所述多个存储单元；以及多个页缓冲器，多个页缓冲器通过所述多条位线联接到所述多个存储单元，并且对所述多个存储单元执行读取操作，其中，所述多个页缓冲器中的每一个包括：第一锁存器，该第一锁存器在所述读取操作期间控制位线预充电操作；以及第二锁存器，该第二锁存器存储第一感测操作的结果和在所述第一感测操作之后执行的第二感测操作的结果，其中，当所述第一感测操作的结果和所述第二感测操作的结果在所述第二感测操作期间彼此不同时，存储在所述第二锁存器中的值被反转。
存储装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置、具有存储器装置的存储器系统及其写入方法-CN202110228991.9在审
发明人：吴星来;金基洙;朴商佑;蔡东赫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：提供一种存储器装置、具有存储器装置的存储器系统及其写入方法。一种存储器装置包括：第一存储器块，其限定在第一晶片中；以及第二存储器块，其限定在相对于第一晶片设置在垂直方向上的第二晶片中。第一存储器块的尺寸小于第二存储器块的尺寸。
存储器装置具有系统及其写入方法

[发明专利]具有垂直结构的存储器装置-CN202110188578.4在审
发明人：吴星来;朴商佑;蔡东赫;金基洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请涉及具有垂直结构的存储器装置。一种存储器装置包括：单元晶圆，其包括存储器单元阵列；第一逻辑晶圆，其结合到单元晶圆的一个表面，并且包括控制存储器单元阵列的第一逻辑电路；以及第二逻辑晶圆，其结合到单元晶圆的背离所述一个表面的另一表面，并且包括控制存储器单元阵列的第二逻辑电路。
具有垂直结构存储器装置

[发明专利]具有垂直结构的存储器装置-CN202110377490.7在审
发明人：吴星来;朴商佑;蔡东赫;金基洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请涉及具有垂直结构的存储器装置。公开了一种存储器装置。所公开的存储器装置可以包括第一晶圆以及层叠在第一晶圆上并接合到第一晶圆的第二晶圆。第一晶圆可以包括：单元结构，其包括存储器单元阵列；以及第一逻辑结构，其设置在单元结构下方，并且包括列控制电路。第二晶圆可以包括第二逻辑结构，第二逻辑结构包括行控制电路。
具有垂直结构存储器装置

[发明专利]擦除非易失性存储器件的方法-CN201610576999.3有效
发明人：尹治元;蔡东赫;朴宰佑;南尚完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：提供一种擦除包括多个存储单元串的非易失性存储器件的方法，多个存储单元串包括第一存储单元串和第二存储单元串。该方法包括：对第一存储单元串中包括的第一存储单元和第二存储单元串中包括的第二存储单元执行第一擦除操作；在执行第一擦除操作之后对第一存储单元执行第一擦除验证操作；在执行第一擦除验证操作之后对第二存储单元执行第二擦除验证操作；在第二擦除验证操作之后对第一存储单元和第二存储单元执行第二擦除操作；以及选择性地再次执行第一擦除验证操作和第二擦除验证操作中的至少一个，其中，第一存储单元中的至少一个和第二存储单元中的至少一个连接到一字线，并且第一存储单元串之一和第二存储单元串之一连接到一位线。
擦除非易失性存储器方法

[发明专利]具有三维存储单元阵列的非易失存储器件的地址调度方法-CN201711084156.2在审
发明人：尹治元;南尚完;尹廷允;蔡东赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：至少一个地址调度方法包括：选择第一位线；选择连接到第一位线的第一串；从底部字线到顶部字线顺序执行第一串中的每个多电平单元的N个页面的地址调度；在完成第一串中的所有字线上的地址调度之后，以与对第一串执行的相同的方式顺序地在第二到第k个串上执行地址调度，其中“k”是2或大于2的自然数。
地址调度字线位线三维存储单元阵列非易失存储器件多电平单元方式顺序顺序执行选择连接

[发明专利]包括多电平单元的非易失性存储器设备和系统及方法-CN201210551887.4有效
发明人：姜东求;蔡东赫;李承宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：操作多电平非易失性存储器设备的方法，可以包括：存取被存储在与读取电压相关的设备中的数据；和响应于对多电平非易失性存储器设备的读取操作来修改被施加到多个多电平非易失性存储器单元的读取电压，以区分由所述单元存储的状态。还公开了相关的设备和系统。
包括电平单元非易失性存储器设备系统方法

[发明专利]非易失性存储器件、其操作方法以及包括其的存储系统-CN201110248599.7有效
发明人：尹治元;蔡东赫;朴宰佑;南尚完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种操作非易失性存储器件的方法包括：对与多个串选择线(SSL)相关联的存储单元执行擦除操作，所述与多个SSL相关联的存储单元构成存储块；以及在验证对与第一SSL相关联的第一存储单元的擦除操作之后，验证对与第二SSL相关联的第二存储单元的擦除操作。
非易失性存储器操作方法以及包括存储系统

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