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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于生产键合晶片的方法-CN200910006107.6无效
发明人：森本信之;西畑秀树;奥田秀彦;远藤昭彦 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及制备键合晶片的方法。在通过将活化层用晶片键合到支撑层用晶片然后再减薄活化层用晶片来生产键合晶片的方法中，将氧离子注入到活化层用晶片中时，该注入步骤分为在特定条件下进行的两个阶段。
用于生产晶片方法

[发明专利]制备半导体衬底的方法-CN200710104569.2有效
发明人：村上贤史;森本信之;西畑秀树;远藤昭彦 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制备半导体衬底的方法，其涉及甚至在氧化物膜厚度比传统氧化物膜薄的层压晶片中抑制缺陷如空穴或气泡出现的方法，其中将氢离子注入具有的氧化物膜厚度不超过50nm的活性层晶片以形成氢离子注入层，注入不同于氢的其它离子直到自氢离子注入表面侧计算的深度比氢离子注入层浅的位置，并且通过氧化物膜将活性层晶片层压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落。
制备半导体衬底方法

[发明专利]制造结合晶片的方法-CN200710126228.5无效
发明人：森本信之;西畑秀树 -专利权人：株式会社SUMCO
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：通过以下步骤制造结合晶片：向有源层晶片中注入轻元素的离子至预定深度位置形成离子注入层，将该有源层晶片直接或通过不超过50nm的绝缘膜与支撑衬底晶片结合，在离子注入层处剥离有源层晶片并减薄通过剥离暴露的有源层，从而形成具有预定厚度的有源层，其中减薄前有源层的厚度不大于750nm，结合前有源层晶片的强度试验中滑移位错的延伸在预定厚度下不大于100μm。
制造结合晶片方法

[发明专利]粘结的晶片的制造方法-CN200710128807.3有效
发明人： 西畑秀树;森本信之;远藤昭彦 -专利权人：株式会社SUMCO
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种制造粘结的晶片的方法，通过将用于有源层和支撑层的两个硅晶片彼此粘结，然后将用于有源层的晶片减薄来进行，其中，在粘结前向用于有源层的晶片表面注入氮离子，以在用于有源层的晶片内部形成氮化物层。
粘结晶片制造方法

[发明专利]制备半导体衬底的方法-CN200710101162.4有效
发明人：村上贤史;森本信之;西畑秀树;远藤昭彦 -专利权人：株式会社上睦可
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了一种甚至在无氧化物膜晶片中抑制缺陷如空穴或气泡出现的方法，其中将氢离子注入表面上无氧化物膜的活性层晶片以形成氢离子注入层，注入不同于氢的其它离子直到自氢离子注入表面侧的深度比氢离子注入层浅的位置，将活性层晶片层压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落。
制备半导体衬底方法

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